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公開番号2024128510
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-24
出願番号2023037502
出願日2023-03-10
発明の名称電子部品
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20240913BHJP(基本電子回路)
要約【課題】リッドの撓みを低減することが可能な電子部品を提供すること。
【解決手段】弾性波デバイス100は、基板10と、基板10上に設けられる弾性波素子50と、平面視して弾性波素子50を囲んで基板10上に設けられる枠体18と、基板10とで空隙22を挟んで枠体18上に設けられ、空隙22内に弾性波素子50を封止し、金属材料からなり空隙22に露出する第1層32と、絶縁材料または半導体材料からなり第1層32に対して空隙22とは反対側に位置する第2層34と、を含み、第1層32および第2層34の厚さは同じまたは薄い方の厚さが厚い方の厚さの1/10以上であるリッド30とを備える。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられる機能素子と、
平面視して前記機能素子を囲んで前記基板上に設けられる枠体と、
前記基板とで空隙を挟んで前記枠体上に設けられ、前記空隙内に前記機能素子を封止し、金属材料からなり前記空隙に露出する第１層と、絶縁材料または半導体材料からなり前記第１層に対して前記空隙とは反対側に位置する第２層と、を含み、前記第１層および前記第２層の厚さは同じまたは薄い方の厚さが厚い方の厚さの１／１０以上であるリッドと、を備える電子部品。
続きを表示（約 610 文字）【請求項２】
前記第１層のヤング率および前記第２層のヤング率は７０ＧＰａ以上である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２層のヤング率は前記第１層のヤング率より大きい、請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第２層は前記第１層より厚い、請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第２層は、サファイア、酸化アルミニウム、シリコン、水晶、スピネル、炭化シリコン、ＤＬＣ、ＦＲ４、ＬＴＣＣ、ＨＴＣＣ、ガラス、石英、またはＦＲＰにより形成される、請求項１に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１層は、コバール、４２アロイ、ニッケル、ステンレス鋼、銅、洋白、またはジュラルミンにより形成される、請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記リッドは、前記第１層と、前記第２層と、前記第１層と前記第２層の間に設けられて前記第１層と前記第２層を接着する接着層と、を含む、請求項５に記載の電子部品。
【請求項８】
前記機能素子は弾性波素子である、請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項９】
前記弾性波素子によりフィルタが形成されている、請求項８に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記フィルタによりマルチプレクサが形成されている、請求項９に記載の電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップの周りに封止金属部を設け、デバイスチップに形成された機能素子をデバイスチップと基板との間の空隙に封止することが知られている（例えば特許文献１）。また、基板上に形成された機能素子を囲むように枠体を設け、枠体上にリッドを設けることで、基板とリッドとの間の空隙に機能素子を封止することが知られている（例えば特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－７４４１８号公報
特開２００９－２７８５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
機能素子で発生した熱をリッドに放熱させる点から、リッドを金属材料により形成することが考えられる。しかしながら、この場合、リッドに圧力が加わると、リッドが撓んでしまうことがある。リッドが撓むと、リッドが機能素子に近づくことで機能素子の特性が劣化してしまうことがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、リッドの撓みを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられる機能素子と、平面視して前記機能素子を囲んで前記基板上に設けられる枠体と、前記基板とで空隙を挟んで前記枠体上に設けられ、前記空隙内に前記機能素子を封止し、金属材料からなり前記空隙に露出する第１層と、絶縁材料または半導体材料からなり前記第１層に対して前記空隙とは反対側に位置する第２層と、を含み、前記第１層および前記第２層の厚さは同じまたは薄い方の厚さが厚い方の厚さの１／１０以上であるリッドと、を備える電子部品である。
【０００７】
上記構成において、前記第１層のヤング率および前記第２層のヤング率は７０ＧＰａ以上である構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第２層のヤング率は前記第１層のヤング率より大きい構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２層は前記第１層より厚い構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第２層は、サファイア、酸化アルミニウム、シリコン、水晶、スピネル、炭化シリコン、ＤＬＣ、ＦＲ４、ＬＴＣＣ、ＨＴＣＣ、ガラス、石英、またはＦＲＰにより形成される構成とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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