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公開番号2024121934
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-09
出願番号2023029185
出願日2023-02-28
発明の名称半導体装置の固有情報生成方法、半導体装置の固有情報管理方法および半導体装置の製造装置
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/02 20060101AFI20240902BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置からの固有情報の抽出を、汎用性の高い方法で実現する。
【解決手段】半導体装置上に定められた基点に基づいて、半導体装置が有する金属膜上の第1読み取り領域を特定する。第1読み取り領域内で、最もサイズの大きいものから予め定められた個数のグレインを抽出する。抽出されたグレインの位置から規定される基準点に基づいて、第1読み取り領域よりも小さい第2読み取り領域を特定する。第2読み取り領域内のグレインの外観から抽出される情報に基づいて半導体装置の固有情報を生成する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
半導体装置上に定められた基点に基づいて、前記半導体装置が有する金属膜上の第１読み取り領域を特定する第１読み取り領域特定工程と、
前記第１読み取り領域内で、最もサイズの大きいものから予め定められた個数のグレインを抽出するグレイン抽出工程と、
前記グレイン抽出工程で抽出された前記予め定められた個数のグレインの位置から規定される基準点に基づいて、前記第１読み取り領域よりも小さい第２読み取り領域を特定する第２読み取り領域特定工程と、
前記第２読み取り領域内のグレインの外観から抽出される情報に基づいて前記半導体装置の固有情報を生成する工程と、
を備える半導体装置の固有情報生成方法。
続きを表示（約 1,600 文字）【請求項２】
前記半導体装置の固有情報を生成する工程は、
前記第２読み取り領域内のグレインをサイズに応じてクラス分けするクラス分け工程と、
前記第２読み取り領域内を複数のメッシュに区分けし、各メッシュで最もサイズが大きいグレインのクラスを示すマトリックスを生成するマトリックス生成工程と、
前記マトリックスから前記半導体装置の固有情報を生成する固有情報生成工程と、
を含む、
請求項１に記載の半導体装置の固有情報生成方法。
【請求項３】
前記半導体装置の固有情報を生成する工程は、前記第２読み取り領域を横切るパッシベーション膜と前記金属膜との境界線に沿って、前記境界線とグレインの輪郭線との交点を複数抽出し、各交点間の距離に基づいて前記半導体装置の固有情報を生成する固有情報生成工程を含む、
請求項１に記載の半導体装置の固有情報生成方法。
【請求項４】
前記半導体装置の固有情報を生成する工程は、
前記第２読み取り領域内を複数のメッシュに区分けし、前記第２読み取り領域に存在するグレイン境界の３重点を抽出し、各メッシュ内の前記３重点の個数を示すマトリックスを生成するマトリックス生成工程と、
前記マトリックスから前記半導体装置の固有情報を生成する固有情報生成工程と、
を含む、
請求項１に記載の半導体装置の固有情報生成方法。
【請求項５】
前記第１読み取り領域は、前記金属膜のパッシベーション膜で覆われた領域内に設定される、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の固有情報生成方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の固有情報生成方法により、半導体装置の固有情報を生成する工程と、
前記半導体装置の前記固有情報を前記半導体装置のチップ情報と紐付けしてデータベースに保存するデータベース保存工程と、
を備える半導体装置の固有情報管理方法。
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の固有情報生成方法により、半導体装置の固有情報を生成し、データベースに保存された固有情報と照合する照合工程と、
前記半導体装置の固有情報と前記データベースに保存された固有情報とが一致した場合に、当該固有情報に紐付けされたチップ情報を前記データベースから取得してユーザーに提示するチップ情報返答工程と、
を備える半導体装置の固有情報管理方法。
【請求項８】
製造過程の半導体装置上に定められた基点に基づいて、前記製造過程の半導体装置が有する金属膜上の第１読み取り領域を特定する第１読み取り領域特定部と、
前記第１読み取り領域内で、最もサイズの大きいものから予め定められた個数のグレインを抽出するグレイン抽出部と、
前記グレイン抽出部で抽出された前記予め定められた個数のグレインの位置から規定される基準点に基づいて、前記第１読み取り領域よりも小さい第２読み取り領域を特定する第２読み取り領域特定部と、
前記第２読み取り領域内のグレインの外観から抽出される情報に基づいて前記製造過程の半導体装置の固有情報を生成する固有情報生成部と、
前記製造過程の半導体装置の前記固有情報を前記製造過程の半導体装置のチップ情報と紐付けして保存するデータベース部と、
半導体装置の固有情報を生成し、前記データベース部に保存された固有情報と照合する照合部と、
前記半導体装置の固有情報と前記データベース部に保存された固有情報とが一致した場合に、当該固有情報に紐付けされたチップ情報を前記データベース部から取得してユーザーに提示するチップ情報返答部と、
を備える半導体装置の製造装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置ごとの固有情報の生成および管理に関するものである。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造において、ウエハのダイシング工程の後でも半導体装置のチップ単位でのトレーサビリティを実現するために、例えば、チップ毎に通し番号を刻印する方法、１枚マスク工程（ウエハ内の複数のチップを１枚のマスクを用いて一括加工する工程）でチップごとに固有のマークを形成する方法、記憶素子（例えばヒューズ、メモリ素子など）を搭載して通し番号を記憶させる方法などにより、各チップに固有の製造プロセス情報（以下、「固有情報」という）を残している。これらの方法をとるためには、チップの刻印工程、チップごとに固有のマーク（パターン）の入った特別なマスクの作成工程、記憶素子の形成工程など、チップに固有情報を残すための工程の追加が必要である。
【０００３】
例えば下記の特許文献１には、チップ上に金属膜を露出させた読み取り領域を予め形成し、読み取り領域のグレイン境界の形状を、チップの固有情報として用いる技術が開示されている。この技術は、チップに固有情報を残すのではなく、チップから固有情報を抽出するものであるため、上記のような工程の追加は不要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００６－１９０８４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の技術は、チップ上に読み取り領域を予め形成しておく必要があるため汎用性が低い。
【０００６】
本開示は以上のような課題を解決するためになされたものであり、半導体装置からの固有情報の抽出を、汎用性の高い方法で実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示に係る半導体装置の固有情報生成方法は、半導体装置上に定められた基点に基づいて、前記半導体装置が有する金属膜上の第１読み取り領域を特定する第１読み取り領域特定工程と、前記第１読み取り領域内で、最もサイズの大きいものから予め定められた個数のグレインを抽出するグレイン抽出工程と、前記グレイン抽出工程で抽出された前記予め定められた個数のグレインの位置から規定される基準点に基づいて、前記第１読み取り領域よりも小さい第２読み取り領域を特定する第２読み取り領域特定工程と、前記第２読み取り領域内のグレインの外観から抽出される情報に基づいて前記半導体装置の固有情報を生成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、固有情報を抽出するために半導体装置の構造変更は必要ないため、半導体装置からの固有情報の抽出を、汎用性の高い方法で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施の形態１における半導体基板の例を示す平面図である。
実施の形態１における半導体基板の例を示す平面図である。
実施の形態１における半導体基板の例を示す平面図である。
実施の形態１におけるチップの固有情報の生成手法を説明するための図である。
実施の形態１におけるチップの固有情報の生成手法を説明するための図である。
実施の形態１におけるチップの固有情報の生成手法を説明するための図である。
実施の形態１におけるチップの固有情報の生成手法を説明するための図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造装置の構成を示す図である。
実施の形態２における第１読み取り領域の位置の例を示す平面図である。
実施の形態２における第１読み取り領域の位置の例を示す平面図である。
実施の形態２における第１読み取り領域の位置の例を示す平面図である。
実施の形態３におけるチップの固有情報の生成手法を説明するための図である。
実施の形態４における第２読み取り領域のメッシュの設定手法を説明するための図である。
実施の形態４におけるチップの固有情報の生成手法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜実施の形態１＞
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法について説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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