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公開番号
2024091430
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-07-04
出願番号
2023178710
出願日
2023-10-17
発明の名称
基板処理装置及び物品の製造方法
出願人
キヤノン株式会社
代理人
弁理士法人近島国際特許事務所
主分類
F26B
5/04 20060101AFI20240627BHJP(乾燥)
要約
【課題】基板の上に配置された溶液の乾燥速度のムラを低減させる。
【解決手段】基板処理装置は、気密容器と、前記気密容器の内部を減圧する減圧機構と、前記気密容器の内部に配置され、基板を保持可能な基板保持部と、前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板の側面に対向する位置に配置された壁部材と、を備える。前記壁部材は、前記基板の側面に対向する側の壁面を有する。前記壁部材は、前記壁面の少なくとも一部に、第1撥液部材を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
気密容器と、
前記気密容器の内部を減圧する減圧機構と、
前記気密容器の内部に配置され、基板を保持可能な基板保持部と、
前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板の側面に対向する位置に配置された壁部材と、を備え、
前記壁部材は、前記基板の側面に対向する側の壁面を有し、
前記壁部材は、前記壁面の少なくとも一部に、第1撥液部材を有する、
ことを特徴とする基板処理装置。
続きを表示(約 860 文字)
【請求項2】
前記第1撥液部材は、有機溶媒をはじく性質を有する部材である、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記第1撥液部材において、純水に対する動的接触角の後退接触角が90度以上である、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記第1撥液部材において、純水に対する動的接触角の後退接触角が120度以下である、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第1撥液部材は、フッ素樹脂又はフッ素含有化合物を主成分として含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記壁部材は、前記基板保持部に保持される前記基板の前記側面を囲む形状に形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板の基板主面に対向する位置に配置されたカバー部材を更に備え、
前記カバー部材は、前記基板保持部に保持される前記基板の前記基板主面に対向する側の主面を有し、
前記カバー部材は、前記主面の少なくとも一部に、第2撥液部材を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記第2撥液部材は、有機溶媒をはじく性質を有する部材である、
ことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記第2撥液部材において、純水に対する動的接触角の後退接触角が90度以上である、
ことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記第2撥液部材において、純水に対する動的接触角の後退接触角が120度以下である、
ことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板の上に配置された溶液の乾燥技術に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)
【背景技術】
【0002】
有機EL(Electro Luminescence)素子であるOLED(Organic Light Emitting Diode)を有するパネル(有機ELパネル)などの物品を製造する際に、基板の上の所望の箇所にインクジェット装置を用いて溶液膜を塗布する方法が知られている。溶液膜は、溶質と溶媒とを含む溶液で構成される膜である。基板の上に塗布された溶液膜を乾燥させることで、基板の上に膜(層)が形成される。溶液膜の乾燥には、基板処理装置である減圧乾燥装置が用いられる。
【0003】
特許文献1には、基板保持部と、基板保持部に保持された基板の側方に配置され、基板の側面を囲う囲い壁と、基板保持部の上方に配置され、上下方向に移動する整流板と、を備える減圧乾燥装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2022-38284号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献1に開示された囲い壁及び整流板で基板を囲っても、基板の上の溶液膜から蒸発する溶媒が、囲い壁及び整流板に囲まれた空間に滞留し、囲い壁、整流板、又は囲い壁及び整流板に囲まれた空間内に存在する部材へ吸着することがある。これら部材のうちのいずれか部材の一部分に溶媒が吸着される際には、溶媒が吸着される部分の近傍において局所的に溶媒分圧が一時的に低下する。またその部分に吸着された溶媒が再び蒸発する際には、その部分の近傍において局所的に溶媒分圧が一時的に上昇する。このように、基板周囲の溶媒分圧が局所的に変動することにより、基板の上の溶液膜の乾燥速度にムラが生じる虞がある。乾燥速度にムラが生じると、乾燥後に基板の上に形成される膜の厚さにムラが生じる虞がある。
【0006】
本開示は、基板の上に配置された溶液の乾燥速度のムラを低減させる。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の第1態様は、気密容器と、前記気密容器の内部を減圧する減圧機構と、前記気密容器の内部に配置され、基板を保持可能な基板保持部と、前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板の側面に対向する位置に配置された壁部材と、を備え、前記壁部材は、前記基板の側面に対向する側の壁面を有し、前記壁部材は、前記壁面の少なくとも一部に、第1撥液部材を有する、ことを特徴とする基板処理装置である。
【0008】
本開示の第2態様は、気密容器と、前記気密容器の内部を減圧する減圧機構と、前記気密容器の内部に配置され、基板を保持可能な基板保持部と、前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板の基板主面に対向する位置に配置されたカバー部材と、を備え、前記カバー部材は、前記基板保持部に保持される前記基板の前記基板主面に対向する側の主面を有し、前記カバー部材は、前記主面の少なくとも一部に、撥液部材を有する、ことを特徴とする基板処理装置である。
【0009】
本開示の第3態様は、気密容器と、前記気密容器の内部を減圧する減圧機構と、前記気密容器の内部に配置され、基板を保持可能な基板保持部と、前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板の側面に対向する位置に配置された壁部材と、前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板の基板主面に対向する位置に配置されたカバー部材と、接続部材と、前記接続部材を介して、前記壁部材と前記カバー部材で囲まれた空間のガスを検出するガス分析部と、を備え、前記接続部材の表面の少なくとも一部は、撥液性を有する、ことを特徴とする基板処理装置である。
【0010】
本開示の第4態様は、気密容器と、前記気密容器の内部を減圧する減圧機構と、前記気密容器の内部に配置され、基板を保持可能な基板保持部と、前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板の側面に対向する位置に配置された壁部材と、前記気密容器の内部において前記基板保持部に保持される前記基板の基板主面に対向する位置に配置されたカバー部材と、を備え、前記気密容器の内面の少なくとも一部は、撥液性を有する、ことを特徴とする基板処理装置である。
【発明の効果】
(【0011】以降は省略されています)
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