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公開番号2024085244
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-26
出願番号2022199666
出願日2022-12-14
発明の名称高周波モジュール
出願人株式会社村田製作所
代理人個人,個人
主分類H04B 1/38 20150101AFI20240619BHJP(電気通信技術)
要約【課題】モジュール基板の上面に配置された電力増幅器の放熱性を改善する高周波モジュールを提供する。
【解決手段】高周波モジュール1は、モジュール基板90と、モジュール基板90の主面90b上に配置された複数の外部接続端子150と、モジュール基板90の主面90a上に配置され、集積回路71と、集積回路71の主面71bの上方に配置されたシールド層93と、集積回路71の主面71bとシールド層93との間に配置された金属部材81と、を備える。集積回路71は、主面71a上に配置され、電力増幅器を構成するトランジスタと、トランジスタを金属部材81に接続するビア導体と、を含む。金属部材81は、モジュール基板90の平面視において、ビア導体に少なくとも部分的に重なっており、かつ、シールド層93に少なくとも部分的に重なっている。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
互いに対向する第１主面及び第２主面を有するモジュール基板と、
前記モジュール基板の前記第２主面上に配置された複数の外部接続端子と、
前記モジュール基板の前記第１主面上に配置され、前記第１主面に対面する第３主面及び前記第３主面の反対側の第４主面を有する第１集積回路と、
前記第１集積回路の前記第４主面の上方に配置されたシールド層と、
前記第１集積回路の前記第４主面と前記シールド層との間に配置された第１金属部材と、を備え、
前記第１集積回路は、
前記第３主面上に配置され、第１電力増幅器を構成する第１トランジスタと、
前記第１トランジスタを前記第１金属部材に接続する少なくとも１つのビア導体と、を含み、
前記第１金属部材は、前記モジュール基板の平面視において、前記少なくとも１つのビア導体に少なくとも部分的に重なっており、かつ、前記シールド層に少なくとも部分的に重なっている、
高周波モジュール。
続きを表示（約 870 文字）【請求項２】
前記高周波モジュールは、さらに、前記第１金属部材を前記第１集積回路の前記第４主面に接合する接合層を備える、
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記第１金属部材は、前記シールド層に接合されている、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記第１金属部材は、
前記第１集積回路の前記第４主面の少なくとも一部を覆う第１部分と、
前記第１集積回路の側面の少なくとも一部を覆い、前記第１部分を前記モジュール基板の前記第１主面に接続する第２部分と、を含む、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記高周波モジュールは、さらに、前記モジュール基板の前記第１主面上に配置された回路部品を備え、
前記第１金属部材の前記第２部分は、前記第１集積回路及び前記回路部品の間に配置されている、
請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記回路部品は、フィルタを含む、
請求項５に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記回路部品は、第２電力増幅器を構成する第２トランジスタを含む第２集積回路を含む、
請求項５に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記第１金属部材の前記第２部分は、前記第１集積回路の前記側面の一部のみを覆っている、
請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項９】
前記第１金属部材は、銅からなる、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
前記高周波モジュールは、さらに、前記モジュール基板の前記第１主面上に前記第１集積回路と隣接して配置され、前記モジュール基板の前記第１主面から前記シールド層まで延びる第２金属部材を備える、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）では、移動通信システムにおいて、従来よりも高い最大出力電力を許容するパワークラス（例えば、パワークラス１、１．５、２等）の標準化が進められている。このようなパワークラスに対応する高周波モジュールでは、出力電力が増加するため、電力増幅器の発熱も増加する。
【０００３】
特許文献１には、モジュール基板の上面（つまり、複数の外部接続端子が配置された第２主面と反対側の第１主面）に配置された電力増幅器のための放熱構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００８－３４７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術では、電力増幅器の放熱が不足する場合がある。
【０００６】
そこで、本発明は、モジュール基板の上面に配置された電力増幅器の放熱性を改善することができる高周波モジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面及び第２主面を有するモジュール基板と、モジュール基板の第２主面上に配置された複数の外部接続端子と、モジュール基板の第１主面上に配置され、第１主面に対面する第３主面及び第３主面の反対側の第４主面を有する第１集積回路と、第１集積回路の第４主面の上方に配置されたシールド層と、第１集積回路の第４主面とシールド層との間に配置された第１金属部材と、を備え、第１集積回路は、第３主面上に配置され、第１電力増幅器を構成する第１トランジスタと、第１トランジスタを第１金属部材に接続する少なくとも１つのビア導体と、を含み、第１金属部材は、モジュール基板の平面視において、少なくとも１つのビア導体に少なくとも部分的に重なっており、かつ、シールド層に少なくとも部分的に重なっている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る高周波モジュールによれば、モジュール基板の上面に配置された電力増幅器の放熱性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、実施の形態１に係る通信装置の回路構成図である。
図２Ａは、実施の形態１に係る電力増幅器の回路構成図である。
図２Ｂは、実施の形態１に係る電力増幅器の回路構成図である。
図３は、実施の形態１に係る高周波モジュールの平面図である。
図４は、実施の形態１に係る高周波モジュールの断面図である。
図５は、実施の形態１に係る集積回路の平面透視図である。
図６は、実施の形態１に係る集積回路及び金属部材の断面図である。
図７Ａは、実施の形態１に係る高周波モジュールの製造方法の第１ステップを示す図である。
図７Ｂは、実施の形態１に係る高周波モジュールの製造方法の第２ステップを示す図である。
図７Ｃは、実施の形態１に係る高周波モジュールの製造方法の第３ステップを示す図である。
図７Ｄは、実施の形態１に係る高周波モジュールの製造方法の第４ステップを示す図である。
図７Ｅは、実施の形態１に係る高周波モジュールの製造方法の第５ステップを示す図である。
図８は、実施の形態２に係る高周波モジュールの平面図である。
図９は、実施の形態２に係る高周波モジュールの断面図である。
図１０は、実施の形態３に係る高周波モジュールの平面図である。
図１１は、実施の形態３に係る高周波モジュールの断面図である。
図１２は、実施の形態４に係る高周波モジュールの平面図である。
図１３は、実施の形態４に係る高周波モジュールの断面図である。
図１４Ａは、実施の形態４に係る高周波モジュールの製造方法の第１ステップを示す図である。
図１４Ｂは、実施の形態４に係る高周波モジュールの製造方法の第２ステップを示す図である。
図１４Ｃは、実施の形態４に係る高周波モジュールの製造方法の第３ステップを示す図である。
図１４Ｄは、実施の形態４に係る高周波モジュールの製造方法の第４ステップを示す図である。
図１４Ｅは、実施の形態４に係る高周波モジュールの製造方法の第５ステップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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