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公開番号2025179841
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-10
出願番号2025089324
出願日2025-05-28
発明の名称セラミック焼結体
出願人京セラ株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類C04B 35/16 20060101AFI20251203BHJP(セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物)
要約【課題】周波数帯における誘電正接の変化を低減することが可能なセラミック焼結体を提供する。
【解決手段】セラミック焼結体は、ガーナイト結晶相、エンスタタイト結晶相、クオーツ結晶相、スアナイト結晶相、ウィレマイト結晶相、および、Zn₂Al₄Si₅O₁₈結晶相を含むとともに、X線回折パターンにおいて、ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対するクオーツ結晶相に対応するピークの強度の比は、0.100以下であり、ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対するウィレマイト結晶相に対応するピークの強度の比は、0.120以下である。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
ガーナイト結晶相、エンスタタイト結晶相、クオーツ結晶相、スアナイト結晶相、ウィレマイト結晶相、および、Ｚｎ
２
Ａｌ
４
Ｓｉ
５
Ｏ
１８
結晶相を含むとともに、
Ｘ線回折パターンにおいて、
前記ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対する前記クオーツ結晶相に対応するピークの強度の比は、０．１００以下であり、
前記ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対する前記ウィレマイト結晶相に対応するピークの強度の比は、０．１２０以下である、
セラミック焼結体。
続きを表示（約 910 文字）【請求項２】
前記Ｘ線回折パターンにおいて、
前記ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対する前記エンスタタイト結晶相に対応するピークの強度の比は、０．１４０以下であり、
前記ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対する前記Ｚｎ
２
Ａｌ
４
Ｓｉ
５
Ｏ
１８
結晶相に対応するピークの強度の比は、０．１００以下である、
請求項１に記載のセラミック焼結体。
【請求項３】
前記Ｘ線回折パターンにおいて、前記ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対する前記スアナイト結晶相に対応するピークの強度の比は、０．０８０以下である、
請求項２に記載のセラミック焼結体。
【請求項４】
前記Ｘ線回折パターンにおいて、前記ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対する前記Ｚｎ
２
Ａｌ
４
Ｓｉ
５
Ｏ
１８
結晶相に対応するピークの強度の比は、０．０８０以下である、
請求項２に記載のセラミック焼結体。
【請求項５】
前記Ｘ線回折パターンにおいて、前記ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対する前記エンスタタイト結晶相に対応するピークの強度の比は、０．０３０以上０．１１０以下である、
請求項３または４に記載のセラミック焼結体。
【請求項６】
前記Ｘ線回折パターンにおいて、前記ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対する前記ウィレマイト結晶相に対応するピークの強度の比は、０．０６０以上０．０９０以下である、
請求項１に記載のセラミック焼結体。
【請求項７】
エスコライト結晶相をさらに含む、
請求項１に記載のセラミック焼結体。
【請求項８】
ガラス相をさらに含む、
請求項１に記載のセラミック焼結体。
【請求項９】
酸化亜鉛結晶相を含まない、
請求項１に記載のセラミック焼結体。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、セラミック焼結体に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の高速化、すなわち、高周波数化が進んでいる。それに応じて、半導体素子を搭載する配線基板には半導体素子の高周波特性に応じた絶縁材料が求められている。具体的には、半導体素子に高周波数の信号を伝搬させるために、配線基板の材料として、比誘電率および誘電正接がより低い絶縁材料が要求されている。このような材料としては、例えば、ＳｉＯ
２
、Ａｌ
２
Ｏ
３
、およびＭｇＯを主成分とするガラス組成物から成るガラス焼結体が提案されている。
【０００３】
例えば、高周波用の回路基板として高周波領域における誘電率及び誘電正接が低い材料として、ＳｉＯ
２
、Ａｌ
２
Ｏ
３
、ＭｇＯ、ＺｎＯ及びＢ
２
Ｏ
３
から成るガラスを５０～９９．９重量％、亜鉛酸化物を０．０１～４９．９重量％、非晶質のシリカを０．０１～４９．９重量％の割合で含む混合粉末を成形後、非酸化性雰囲気中、８００～１０００℃で焼成し、ガーナイト結晶相、エンスタタイト結晶相、ＳｉＯ
２
結晶相、Ｍｇ
２
Ｂ
２
Ｏ
５
結晶相とガラス相、又は前記結晶相にウイレマイト結晶相、ＺｎＯ結晶相とガラス相を含む低温焼成磁器組成物が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平９－２０８２９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の技術においては、半導体素子を伝搬する信号の周波数帯における配線基板の材料の比誘電率または誘電正接が顕著に変化する懸念がある。
【０００６】
このように、従来の技術には、半導体素子を伝搬する信号の周波数帯における配線基板の材料の比誘電率または誘電正接の変化を低減するという点で更なる改善の余地がある。
【０００７】
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、周波数帯における比誘電率の変化を低減することが可能なセラミック焼結体を提供することを目的とする。
【０００８】
実施形態の別の態様は、上記に鑑みてなされたものであって、周波数帯における誘電正接の変化を低減することが可能なセラミック焼結体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態の一態様に係るセラミック焼結体は、ガーナイト結晶相、エンスタタイト結晶相、クオーツ結晶相、スアナイト結晶相、およびウィレマイト結晶相を含む。
【００１０】
実施形態の別の態様に係るセラミック焼結体は、ガーナイト結晶相、エンスタタイト結晶相、クオーツ結晶相、スアナイト結晶相、ウィレマイト結晶相、および、Ｚｎ
２
Ａｌ
４
Ｓｉ
５
Ｏ
１８
結晶相を含むとともに、Ｘ線回折パターンにおいて、前記ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対する前記クオーツ結晶相に対応するピークの強度の比は、０．１００以下であり、前記ガーナイト結晶相に対応するピークの強度に対する前記ウィレマイト結晶相に対応するピークの強度の比は、０．１２０以下である。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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