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公開番号2025161257
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-24
出願番号2024064295
出願日2024-04-11
発明の名称配線基板
出願人京セラ株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20251017BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】無機層と有機層との接合界面において導体または無機基材にかかる応力を低減することができる。
【解決手段】配線基板は、無機基材と、有機基材と、接合層と、導体とを備える。無機基材は、無機成分を主成分とする。有機基材は、第1有機成分を主成分とし、無機基材よりも熱膨張率が高い。接合層は、無機基材と有機基材との間に位置して無機基材と有機基材とにそれぞれ接合し、第2有機成分を含む。導体は、無機基材と接合層との内部に位置する。無機基材は、当該無機基材を貫通する第1貫通孔を有する。接合層は、当該接合層を貫通して第1貫通孔と連通する第2貫通孔を有する。導体は、第1貫通孔の側面と第2貫通孔の側面とに沿って延びる。第2貫通孔の径は、第1貫通孔の径よりも大きい。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
無機成分を主成分とする無機基材と、
第１有機成分を主成分とし、前記無機基材よりも熱膨張率が高い有機基材と、
前記無機基材と前記有機基材との間に位置して前記無機基材と前記有機基材とにそれぞれ接合し、第２有機成分を含む接合層と、
前記無機基材と前記接合層との内部に位置する導体と
を備え、
前記無機基材は、当該無機基材を貫通する第１貫通孔を有し、
前記接合層は、当該接合層を貫通して前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔を有し、
前記導体は、前記第１貫通孔の側面と前記第２貫通孔の側面とに沿って延び、
前記第２貫通孔の径は、前記第１貫通孔の径よりも大きい、
配線基板。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記無機基材は、ガラス成分を含む低温同時焼成セラミックである
請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記接合層は、ガラス成分と化学的に結合するカップリング剤を含む
請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１貫通孔の開口部は、前記無機基材の表面から内部に向かって幅狭となるテーパー形状を有する
請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記無機基材は、前記接合層に接合される第１面を有し、
前記第１貫通孔は、前記第１面に位置する第１開口部を有し、
前記第１開口部は、前記第１面から前記無機基材の内部に向かって幅狭となるテーパー形状を有する
請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
前記無機基材は、前記接合層に接合される第１面と、当該第１面の反対に位置する第２面とを有し、
前記第１貫通孔は、前記第１面に位置する第１開口部と、前記第２面に位置する第２開口部とを有し、
前記第２開口部は、前記第２面から前記無機基材の内部に向かって幅狭となるテーパー形状を有する
請求項１に記載の配線基板。
【請求項７】
前記無機基材は、前記接合層に接合される第１面と、当該第１面の反対に位置する第２面とを有し、
前記第１貫通孔は、前記第１面に位置する第１開口部と、前記第２面に位置する第２開口部とを有し、
前記第２面における前記第２開口部の径は、前記第１面における前記第１開口部の径よりも大きい
請求項１に記載の配線基板。
【請求項８】
前記有機基材は、シリカの粒子を含有したエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂を含む
請求項１に記載の配線基板。
【請求項９】
前記接合層は、シリカの粒子を含有したエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂を含み、
前記有機基材に含まれる前記シリカの粒子径は、前記接合層に含まれる前記シリカの粒子径よりも大きい、
請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記無機基材は、前記接合層に接合される第１面を有し、
前記第１貫通孔の側面の表面粗さは、前記第１面の表面粗さよりも大きい
請求項１に記載の配線基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
配線が形成された有機層を、コア材としてのガラスクロス基板上に積層した配線基板が知られている。
【０００３】
ガラスクロス基板にはスルーホール部が形成される。スルーホール部は、ガラスクロス基板を貫通する貫通孔と、貫通孔の内部に位置する導体とを有する（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２３－１１１６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願発明者らは、配線基板の強度向上のためコア材をガラスクロス基板から無機基材に変更する場合において、コア材と有機層との熱膨張率の差による課題が新規に生じうることを見出した。たとえば、コア材と有機層との熱膨張率の差が大きい場合、コア材と有機層との接合界面に位置する導体または無機基材に応力がかかることで、導体や無機基材にクラックが生じる可能性がある。
【０００６】
本開示は、無機層と有機層との接合界面において導体または無機基材にかかる応力を低減することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の配線基板は、無機基材と、有機基材と、接合層と、導体とを備える。無機基材は、無機成分を主成分とする。有機基材は、第１有機成分を主成分とし、無機基材よりも熱膨張率が高い。接合層は、無機基材と有機基材との間に位置して無機基材と有機基材とにそれぞれ接合し、第２有機成分を含む。導体は、無機基材と接合層との内部に位置する。無機基材は、当該無機基材を貫通する第１貫通孔を有する。接合層は、当該接合層を貫通して第１貫通孔と連通する第２貫通孔を有する。導体は、第１貫通孔の側面と第２貫通孔の側面とに沿って延びる。第２貫通孔の径は、第１貫通孔の径よりも大きい。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、無機層と有機層との接合界面において導体または無機基材にかかる応力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、実施形態に係る半導体デバイスの構成を示す模式断面図である。
図２は、実施形態に係るベース基板の構成を示す模式断面図である。
図３は、図２に示す領域IIIの模式拡大図である。
図４は、第１導体の内側に有機樹脂が充填された構成の模式拡大図である。
図５は、第１導体がテーパー形状を有する構成の模式拡大図である。
図６は、第１導体がテーパー形状を有する構成の模式拡大図である。
図７は、介在層を備える構成の模式拡大図である。
図８は、実施形態に係る中継基板とその周辺の構成を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本開示による複合配線基板および半導体デバイスを実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
（【００１１】以降は省略されています）

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