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公開番号2025161258
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-24
出願番号2024064296
出願日2024-04-11
発明の名称配線基板
出願人京セラ株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20251017BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】加工性の低いコア材を用いた場合であっても歩留まりの低下を低減することができる。
【解決手段】配線基板は、無機基材と、有機基材と、導体と、介在層とを備える。無機基材は、ガラス成分を含むセラミック複合材料を用いた無機基材であって、当該無機基材を貫通する貫通孔を有する。有機基材は、第1有機成分を主成分とし、無機基材に接合される。導体は、有機基材の内部から貫通孔の側面に沿って延びる。介在層は、貫通孔の側面と導体との間に位置し、第2有機成分を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ガラス成分を含むセラミック複合材料を用いた無機基材であって、当該無機基材を貫通する貫通孔を有する無機基材と、
第１有機成分を主成分とし、前記無機基材に接合される有機基材と、
前記有機基材の内部から前記貫通孔の側面に沿って延びる導体と、
前記貫通孔の側面と前記導体との間に位置し、第２有機成分を含む介在層と
を備える
配線基板。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記介在層は、前記貫通孔の一端から他端まで連続して位置している
請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記介在層において、前記導体との界面は、前記無機基材との界面よりも平坦である
請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記貫通孔の側面に改質層が位置する
請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記改質層に含まれるＳｉＯ
２
は、結晶状態である
請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記介在層は、エポキシ樹脂を含む
請求項１に記載の配線基板。
【請求項７】
結晶状態の無機物が位置する前記貫通孔の側面において、当該貫通孔の側面の表面粗さは、０．１μｍ以上６μｍ以下である
請求項３に記載の配線基板。
【請求項８】
前記無機基材と前記有機基材との間に位置して前記無機基材と前記有機基材とにそれぞれ接合し、第３有機成分を含む接合層を備える
請求項１に記載の配線基板。
【請求項９】
前記無機基材は、前記有機基材よりも熱膨張率が小さく
前記接合層は、当該接合層を貫通する貫通孔を有し、
前記接合層の貫通孔は、前記無機基材の貫通孔と連通し、
前記接合層の貫通孔の径は、前記無機基材の貫通孔の径よりも大きい、
請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記無機基材の開口部は、前記無機基材の表面から内部に向かって幅狭となるテーパー形状を有する
請求項８または９に記載の配線基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
配線が形成された有機層を、コア材としてのガラスクロス基板上に積層した配線基板が知られている。
【０００３】
ガラスクロス基板にはスルーホール部が形成される。スルーホール部は、ガラスクロス基板を貫通する貫通孔と、貫通孔の内部に位置する導体とを有する（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２３－１１１６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
配線基板の強度向上のためコア材をガラスクロスから無機基材に変更する場合において、ガラスクロスを用いたコア材と比べて、コア材の加工性を容易にする事が求められている。
【０００６】
本開示は、加工性の低いコア材を用いた場合であっても歩留まりの低下を低減することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の配線基板は、無機基材と、有機基材と、導体と、介在層とを備える。無機基材は、ガラス成分を含むセラミック複合材料を用いた無機基材であって、当該無機基材を貫通する貫通孔を有する。有機基材は、第１有機成分を主成分とし、無機基材に接合される。導体は、有機基材の内部から貫通孔の側面に沿って延びる。介在層は、貫通孔の側面と導体との間に位置し、第２有機成分を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、加工性の低いコア材を用いた場合であっても歩留まりの低下を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、実施形態に係る半導体デバイスの構成を示す模式断面図である。
図２は、実施形態に係るベース基板の構成を示す模式断面図である。
図３は、図２に示す領域IIIの模式拡大図である。
図４は、図２に示す領域IIIの模式拡大図である。
図５は、第１導体がテーパー形状を有する構成の模式拡大図である。
図６は、実施形態に係る中継基板とその周辺の構成を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本開示による複合配線基板および半導体デバイスを実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
（【００１１】以降は省略されています）

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