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公開番号2025161188
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-24
出願番号2024064170
出願日2024-04-11
発明の名称光集積回路及び光トランシーバ
出願人京セラ株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H04B 10/079 20130101AFI20251017BHJP(電気通信技術)
要約【課題】分離後の信号レベルの差を低減できる光集積回路及び光トランシーバを提供する。
【解決手段】光集積回路1又は2は、入力光信号を複数の光信号に分割して出力する複数の出力端子141及び142を有する分波器10と、複数の出力端子141及び142のそれぞれに接続される複数の第1光減衰器151及び152と、複数の第1光減衰器151及び152の少なくとも1つに直列に接続される第2光減衰器161とを備える。複数の第1光減衰器151及び152は、複数の出力端子141及び142から入力される光信号の強度に応じて動的に減衰率を制御できるように構成される。第2光減衰器161は、所定の減衰率で光信号を減衰させるように構成される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
入力光信号を複数の光信号に分割して出力する複数の出力端子を有する分波器と、
前記複数の出力端子のそれぞれに接続される複数の第１光減衰器と、
前記複数の第１光減衰器の少なくとも１つに直列に接続される第２光減衰器と
を備え、
前記複数の第１光減衰器は、前記複数の出力端子から入力される光信号の強度に応じて動的に減衰率を制御できるように構成され、
前記第２光減衰器は、所定の減衰率で光信号を減衰させるように構成される、
光集積回路。
続きを表示（約 440 文字）【請求項２】
前記分波器は、偏光分離回転素子である、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項３】
前記複数の出力端子のうち２つの出力端子のそれぞれに接続する２つの入力端子を有する２入力検出素子を更に備え、
前記第２光減衰器は、前記２つの入力端子の少なくとも１つに直列に接続される、
請求項１に記載の光集積回路。
【請求項４】
前記複数の第１光減衰器は、共通の電圧を印加されるように前記共通の電源に電気的に並列に接続される、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項５】
前記複数の第１光減衰器は、共通の電流を印加されるように前記共通の電源に電気的に直列に接続される、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項６】
シリコンフォトニクスの技術によって形成されている、請求項１に記載の光集積回路。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の光集積回路を備える、光トランシーバ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、光集積回路及び光トランシーバに関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されるように、波長多重信号を分波器で波長分離し、可変光減衰器で光強度を調整し、偏光分離回転素子で偏波を分離するトランシーバモジュールが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０１８／０３５１６８４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
分離後の信号レベルの差を低減することが求められる。
【０００５】
本開示は、分離後の信号レベルの差を低減できる光集積回路及び光トランシーバを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態に係る光集積回路は、入力光信号を複数の光信号に分割して出力する複数の出力端子を有する分波器と、前記複数の出力端子のそれぞれに接続される複数の第１光減衰器と、前記複数の第１光減衰器の少なくとも１つに直列に接続される第２光減衰器とを備える。前記複数の第１光減衰器は、前記複数の出力端子から入力される光信号の強度に応じて動的に減衰率を制御できるように構成される。前記第２光減衰器は、所定の減衰率で光信号を減衰させるように構成される。
【０００７】
本開示の一実施形態に係る光トランシーバは、前記光集積回路を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一実施形態に係る光集積回路及び光トランシーバによれば、分離後の信号レベルの差が低減される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
２入力検出素子を備える光集積回路の構成例を示すブロック図である。
１入力検出素子を備える光集積回路の構成例を示すブロック図である。
複数の可変光減衰器に並列に電圧を印加する構成例を示す回路図である。
複数の可変光減衰器に直列に電流を流す構成例を示す回路図である。
ＰＩＮ接合を用いた可変光減衰器の構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
小型の光トランシーバを実現するためにシリコンフォトニクスが注目されている。シリコンフォトニクスは、光導波路等の光信号に関する素子をシリコン基板上に集積する技術である。光トランシーバにおいて、受信機における光強度が強すぎる場合又は弱すぎる場合のいずれの場合でも信号品質が低下することが知られている。信号強度を適切な範囲に調整するために可変光減衰器（ＶＯＡ：Variable Optical Attenuator）が使われることがある。
（【００１１】以降は省略されています）

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