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公開番号2025176756
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-05
出願番号2024083034
出願日2024-05-22
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人愛宕綜合特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20251128BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】接合ウエーハの一方のウエーハから面取り部を除去した際に、一方のウエーハの側壁と接合面とのコーナーに面取り部の残渣が存在することのないウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの加工方法は、一方のウエーハ4の外周に形成された面取り部18に隣接した内側に一方のウエーハ4を透過してレーザー光線LBの集光点を位置づけてレーザー光線LBを照射しリング状の改質層28を形成する第一の改質層形成工程と、一方のウエーハ4と他方のウエーハ6との接合面に一方のウエーハ4を透過してレーザー光線LBの集光点を位置づけてレーザー光線LBを照射し接合力を低下させる接合力低下改質層30を形成する第二の改質層形成工程とを含む。第二の改質層形成工程において、第一の改質層形成工程において既に形成されたリング状の改質層28、または、第二の改質層形成工程の後に形成されるリング状の改質層28の底部とつながるように接合力低下改質層30を形成する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
一方のウエーハと他方のウエーハとが接合した接合ウエーハに加工を施すウエーハの加工方法であって、
一方のウエーハの外周に形成された面取り部に隣接した内側に一方のウエーハを透過してレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線を照射しリング状の改質層を形成する第一の改質層形成工程と、
一方のウエーハと他方のウエーハとの接合面に一方のウエーハを透過してレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線を照射し接合力を低下させる接合力低下改質層を形成する第二の改質層形成工程と、を含み、
該第二の改質層形成工程において、該第一の改質層形成工程において既に形成されたリング状の改質層、または、該第二の改質層形成工程の後に形成されるリング状の改質層の底部とつながるように該接合力低下改質層を形成するウエーハの加工方法。
続きを表示（約 640 文字）【請求項２】
一方のウエーハと他方のウエーハとが接合した接合面に接合力を弱める流体を接合ウエーハの外周から供給して該接合力低下改質層に至る領域まで浸入させる流体供給工程を含む請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該第一の改質層形成工程および該第二の改質層形成工程において使用するレーザー光線は同じである請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該流体供給工程は、該第二の改質層形成工程の前、該第二の改質層形成工程の後、または該第二の改質層形成工程と同時に実施する請求項２記載のウエーハの加工方法。
【請求項５】
該第一の改質層形成工程および該第二の改質層形成工程の後、一方のウエーハから面取り部を除去する面取り部除去工程を含む請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項６】
該第一の改質層形成工程および該第二の改質層形成工程の後、一方のウエーハの上面を研削して薄化する際、一方のウエーハから面取り部を除去する研削工程を含む請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項７】
一方のウエーハと他方のウエーハは、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉのシロキサン結合によって接合され、
該接合力を弱める流体は、水、水蒸気、ミストのいずれかを含み、
Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合がＳｉ－ＯＨ－ＯＨ－Ｓｉ結合に変化して該流体供給工程において接合力が弱められる請求項２記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、一方のウエーハと他方のウエーハとが接合した接合ウエーハに加工を施すウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩなどの複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、裏面が研削されて所定の厚みに形成された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコンなどの電気機器に利用される。
【０００３】
ウエーハの外周には面取り部が形成されているので、ウエーハの裏面を研削して薄化すると、面取り部が鋭利なナイフエッジとなる。そのため、オペレータはウエーハの取り扱いに一層の注意を払わねばならない。また、面取り部が鋭利なナイフエッジになると、ウエーハの外周から内側にクラックが入りやすくなり、デバイス損傷のおそれが高まるという問題がある。そこで、ウエーハの面取り部にレーザー光線を照射してリング状の改質層を形成し、面取り部を除去する技術が本出願人によって提案されている（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２０－８８１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
デバイスの機能を向上させるために一方のウエーハと他方のウエーハとを接合し、その後一方のウエーハの裏面を研削して所望の厚みに形成する技術が存在する。この技術において、一方のウエーハから面取り部を除去すると、一方のウエーハの側壁と接合面とのコーナーに面取り部の残渣が存在し汚染源になるという問題がある。
【０００６】
本発明の課題は、接合ウエーハの一方のウエーハから面取り部を除去した際に、一方のウエーハの側壁と接合面とのコーナーに面取り部の残渣が存在することのないウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、上記課題を解決する以下のウエーハの加工方法が提供される。すなわち、
「一方のウエーハと他方のウエーハとが接合した接合ウエーハに加工を施すウエーハの加工方法であって、
一方のウエーハの外周に形成された面取り部に隣接した内側に一方のウエーハを透過してレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線を照射しリング状の改質層を形成する第一の改質層形成工程と、
一方のウエーハと他方のウエーハとの接合面に一方のウエーハを透過してレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線を照射し接合力を低下させる接合力低下改質層を形成する第二の改質層形成工程と、を含み、
該第二の改質層形成工程において、該第一の改質層形成工程において既に形成されたリング状の改質層、または、該第二の改質層形成工程の後に形成されるリング状の改質層の底部とつながるように該接合力低下改質層を形成するウエーハの加工方法」が提供される。
【０００８】
好ましくは、一方のウエーハと他方のウエーハとが接合した接合面に接合力を弱める流体を接合ウエーハの外周から供給して該接合力低下改質層に至る領域まで浸入させる流体供給工程を含む。該第一の改質層形成工程および該第二の改質層形成工程において使用するレーザー光線は同じでよい。該流体供給工程は、該第二の改質層形成工程の前、該第二の改質層形成工程の後、または該第二の改質層形成工程と同時に実施するのが望ましい。
【０００９】
該第一の改質層形成工程および該第二の改質層形成工程の後、一方のウエーハから面取り部を除去する面取り部除去工程を含むのが好適である。該第一の改質層形成工程および該第二の改質層形成工程の後、一方のウエーハの上面を研削して薄化する際、一方のウエーハから面取り部を除去する研削工程を含んでいてもよい。
【００１０】
一方のウエーハと他方のウエーハは、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉのシロキサン結合によって接合され、該接合力を弱める流体は、水、水蒸気、ミストのいずれかを含み、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合がＳｉ－ＯＨ－ＯＨ－Ｓｉ結合に変化して該流体供給工程において接合力が弱められるのが好都合である。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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