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公開番号2025171312
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-20
出願番号2024076516
出願日2024-05-09
発明の名称処理方法
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20251113BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウェーハ等の被処理物と樹脂層とが一体化された積層体において被処理物に生じた反りを緩和することにより、この積層体に対してその後に施される工程において加工不良、搬送不良等が生じる可能性を低減する。
【解決手段】外的刺激により膨張する膨張材を含む樹脂層と、被処理物とが、一体化された積層体を形成する積層体形成工程と、第1の外的刺激を膨張材に与えて膨張材を膨張させることにより被処理物の反りを緩和する反り緩和工程と、反り緩和工程の後、反りが緩和された状態の積層体における被処理物に処理を施す処理工程と、を備える処理方法を提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
外的刺激により膨張する膨張材を含む樹脂層と、被処理物とが、一体化された積層体を形成する積層体形成工程と、
第１の外的刺激を該膨張材に与えて該膨張材を膨張させることにより該被処理物の反りを緩和する反り緩和工程と、
該反り緩和工程の後、反りが緩和された状態の該積層体における該被処理物に処理を施す処理工程と、を備えることを特徴とする処理方法。
続きを表示（約 390 文字）【請求項２】
該反り緩和工程の前に、該被処理物を加工する加工工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
該積層体形成工程では、液状であり且つ第２の外的刺激により硬化可能である樹脂に該第２の外的刺激を付与して該樹脂を硬化させることで硬化された該樹脂層を形成することを特徴する請求項１又は２に記載の処理方法。
【請求項４】
該反り緩和工程では、該積層体形成工程で該樹脂を硬化させる際の該第２の外的刺激を該第１の外的刺激に間接的又は直接的に利用することにより該膨張材を膨張させることを特徴とする請求項３に記載の処理方法。
【請求項５】
該被処理物は、該被処理物の一面から突出する突起部を有し、
硬化している該樹脂層の厚さは、該突起部の突出量よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂層と被処理物とが一体化された積層体において被処理物の反りを緩和した上で、被処理物に処理を施す処理方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスチップは、例えば、単結晶シリコンで形成された円盤状の半導体基板の表面に複数の分割予定ラインを格子状に設定し、複数の分割予定ラインで区画された複数の矩形領域の各々にデバイスを形成した後、半導体基板をデバイス単位に分割することにより製造される。
【０００３】
デバイスを薄型化及び軽量化するためには、デバイス単位に分割する前の半導体基板を薄化することが求められる。しかし、各デバイスは単結晶シリコンとは異なる材料で形成されている積層体を含み、このデバイスが半導体基板の表面に設けられていることに起因して、半導体基板には応力（即ち、残留応力）が生じていることがある。
【０００４】
半導体基板に応力が生じている場合、半導体基板に若干の反りが生じることがある。また、半導体基板に反りが生じていなかったとしても、半導体基板の裏面に対して研削等を施し半導体基板を薄化することにより応力の釣り合いが崩れて、半導体基板に反りが生じる場合がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
ところで、半導体基板の裏面を研削する際には、半導体基板の表面の凹凸が裏面に転写されることを防ぐために、紫外線硬化樹脂を介してキャリアを半導体基板の表面に固定して積層体を形成することにより、積層体の被支持面を平坦にすることがある。
【０００６】
この様に、紫外線硬化樹脂を介して半導体基板とキャリアとを積層することで、半導体基板の表面に設けられたデバイス、バンプ等の凹凸を紫外線硬化樹脂で吸収し、且つ、半導体基板の表面への衝撃等を低減できる（例えば、特許文献２参照）。しかし、紫外線硬化樹脂が硬化する際に収縮することにより、半導体基板に反りが生じる場合がある。
【０００７】
この様に、半導体基板を薄化する際には、半導体基板に生じている応力、紫外線硬化樹脂の体積収縮等、様々な要因により半導体基板に反りが生じる。半導体基板に反りが生じると、その後の工程において、加工不良、搬送不良等の問題が生じる恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
特開２０１５－７１１９８号公報
特開２０１７－５０５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、半導体基板等の被処理物と樹脂層とが一体化された積層体において被処理物に生じた反りを緩和することにより、この積層体に対してその後に施される工程において加工不良、搬送不良等が生じる可能性を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、外的刺激により膨張する膨張材を含む樹脂層と、被処理物とが、一体化された積層体を形成する積層体形成工程と、第１の外的刺激を該膨張材に与えて該膨張材を膨張させることにより該被処理物の反りを緩和する反り緩和工程と、該反り緩和工程の後、反りが緩和された状態の該積層体における該被処理物に処理を施す処理工程と、を備える処理方法が提供される。
（【００１１】以降は省略されています）

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