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公開番号2025151830
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-09
出願番号2024053426
出願日2024-03-28
発明の名称磁気センサ
出願人TDK株式会社
代理人個人,個人
主分類G01R 33/02 20060101AFI20251002BHJP(測定;試験)
要約【課題】磁気センサモジュールが筐体に収容された構造を有する磁気センサにおいて、アセンブリ時における感磁素子の破壊を防止する。
【解決手段】磁気センサSは、筐体2,3と、筐体2,3に収容された磁気センサモジュール1と、絶縁性のダミー基板4と、を備える。磁気センサモジュール1は、絶縁性の基板10と、基板10の上面11に搭載されたセンサチップ100と、基板10の上面11に設けられた端子電極72と、基板10の下面12に設けられた配線パターン82と、基板10を貫通して設けられ、配線パターン82の一端と端子電極72を接続するスルーホール導体V12と、基板10を貫通して設けられ、配線パターン82の他端とセンサチップ100を接続するスルーホール導体V32とを有する。ダミー基板4は、筐体2,3の内壁と基板10の下面12の間に配置される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
筐体と、
前記筐体に収容された磁気センサモジュールと、
絶縁性のダミー基板と、
を備え、
前記磁気センサモジュールは、上面及び下面を有する絶縁性の基板と、前記基板の前記上面に搭載されたセンサチップと、前記基板の前記上面に設けられた端子電極と、前記基板の前記下面に設けられた配線パターンと、前記基板を貫通して設けられ、前記配線パターンの一端と前記端子電極を接続する第１のスルーホール導体と、前記基板を貫通して設けられ、前記配線パターンの他端と前記センサチップを接続する第２のスルーホール導体とを有し、
前記ダミー基板は、前記筐体の内壁と前記基板の前記下面の間に配置される、
磁気センサ。
続きを表示（約 300 文字）【請求項２】
前記基板と前記ダミー基板が互いに同じ絶縁材料からなる、
請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記基板と前記ダミー基板が互いに同じ平面形状を有する、
請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記ダミー基板の厚さが０．４５ｍｍ以上である、
請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記ダミー基板の厚さが前記基板の厚さよりも薄い、
請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記筐体が導電性を有する、
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の磁気センサ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は磁気センサに関し、特に、磁気センサモジュールが筐体に収容された構造を有する磁気センサに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、磁気センサモジュールが筐体に収容された構造を有する磁気センサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０２３／１４５０６４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の磁気センサにおいては、磁気センサモジュールを筐体に収容するアセンブリ時に、外部の静電気が磁気センサモジュールに搭載されたセンサチップに伝わり、センサチップ上の感磁素子が破壊されるおそれがあった。
【０００５】
本開示においては、磁気センサモジュールが筐体に収容された構造を有する磁気センサにおいて、アセンブリ時における感磁素子の破壊を防止する技術が説明される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一側面による磁気センサは、筐体と、筐体に収容された磁気センサモジュールと、絶縁性のダミー基板と、を備え、磁気センサモジュールは、上面及び下面を有する絶縁性の基板と、基板の上面に搭載されたセンサチップと、基板の上面に設けられた端子電極と、基板の下面に設けられた配線パターンと、基板を貫通して設けられ、配線パターンの一端と端子電極を接続する第１のスルーホール導体と、基板を貫通して設けられ、配線パターンの他端とセンサチップを接続する第２のスルーホール導体とを有し、ダミー基板は、筐体の内壁と基板の下面の間に配置される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示においては、磁気センサモジュールが筐体に収容された構造を有する磁気センサにおいて、アセンブリ時における感磁素子の破壊を防止する技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、本開示の一実施形態による磁気センサＳの外観を示す略斜視図である。
図２は、磁気センサＳの略分解斜視図である。
図３は、磁気センサモジュール１及びダミー基板４の外観を示す略斜視図である。
図４は、磁気センサモジュール１及びダミー基板４の略分解斜視図である。
図５は、基板１０の構造をより詳細に説明するための平面図である。
図６は、センサチップ１００の略斜視図である。
図７は、センサチップ１００の略平面図である。
図８は、図７のＡ－Ａ線に沿った略断面図である。
図９は、磁気センサモジュール１の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら、本開示に係る技術の実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
図１は、本開示の一実施形態による磁気センサＳの外観を示す略斜視図である。また、図２は、磁気センサＳの略分解斜視図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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