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公開番号2025154626
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024057736
出願日2024-03-29
発明の名称積層セラミック電子部品
出願人TDK株式会社
代理人前田・鈴木国際特許弁理士法人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】温度特性を良好に維持しつつサーマルクラックの発生を抑制した積層セラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】
積層されている誘電体層と内部電極層とを有する積層セラミック電子部品である。内部電極層のうち積層方向に沿って最も外側にある内部電極層を第1内部電極層とし、誘電体層のうち積層方向に沿って第1内部電極層より外側にある誘電体層を外装誘電体層とし、外装誘電体層には第1内部電極層の近傍から積層方向に沿って外側に向かってMn濃度が上昇する濃度勾配が存在する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
積層されている誘電体層と内部電極層とを有する積層セラミック電子部品であって、
前記内部電極層のうち積層方向に沿って最も外側にある内部電極層を第１内部電極層とし、
前記誘電体層のうち前記積層方向に沿って前記第１内部電極層より外側にある誘電体層を外装誘電体層とし、
前記外装誘電体層には前記第１内部電極層の近傍から前記積層方向に沿って外側に向かってＭｎ濃度が上昇する濃度勾配が存在する積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記外装誘電体層の厚みが１５０ｕｍ以上５００ｕｍ以下である請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記外装誘電体層のうち前記第１内部電極層からの距離が１００ｕｍ以下である部分に前記濃度勾配が存在する請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記外装誘電体層において、前記第１内部電極層からの距離が１００ｕｍ以上である部分におけるＭｎ濃度と比較して、前記第１内部電極層からの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度が８０％以上９０％以下であり、かつ、前記第１内部電極層からの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度が９０％以上１００％以下である請求項３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度が他の内部電極層におけるＭｎ濃度よりも高い請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記内部電極層のうち、前記第１内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有する内部電極層を第２内部電極層とし、
前記第２内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有さない内部電極層を第３内部電極層とし、
前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ１、前記第２内部電極層の前記ギャップ対応部におけるＭｎ濃度をＣ２Ａ、前記第３内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ３として、
Ｃ３＜Ｃ２Ａ＜Ｃ１を満たす請求項５に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
Ｃ１／Ｃ３が２．５以上４．０以下である請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記第２内部電極層の前記ギャップ対応部以外の部分におけるＭｎ濃度をＣ２Ｂとして、Ｃ２Ａ／Ｃ２Ｂが１．５以上３．０以下である請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
Ｃ１／Ｃ２Ａが１．２以上２．０以下である請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記誘電体層のうち前記積層方向に沿って前記第１内部電極層より内側にある誘電体層を内部誘電体層として、前記内部誘電体層の厚みが３．０ｕｍ以上１５ｕｍ以下である請求項１～９のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、積層セラミックコンデンサに関する発明が記載されている。具体的には、最外層内部電極と、その外側に位置する最外誘電体セラミック層と、の境界にＭｇとＭｎとを含有する境界層が形成されることでセラミック積層体への水分の侵入を抑制、防止できることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－２３２８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、温度特性を良好に維持しつつサーマルクラックの発生を抑制した積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明に係る積層セラミック電子部品は、
積層されている誘電体層と内部電極層とを有する積層セラミック電子部品であって、
前記内部電極層のうち積層方向に沿って最も外側にある内部電極層を第１内部電極層とし、
前記誘電体層のうち前記積層方向に沿って前記第１内部電極層より外側にある誘電体層を外装誘電体層とし、
前記外装誘電体層には前記第１内部電極層の近傍から前記積層方向に沿って外側に向かってＭｎ濃度が上昇する濃度勾配が存在する積層セラミック電子部品である。
【０００６】
前記外装誘電体層の厚みが１５０ｕｍ以上５００ｕｍ以下であってもよい。
【０００７】
前記外装誘電体層のうち前記第１内部電極層からの距離が１００ｕｍ以下である部分に前記濃度勾配が存在してもよい。
【０００８】
前記外装誘電体層において、前記第１内部電極層からの距離が１００ｕｍ以上である部分におけるＭｎ濃度と比較して、前記第１内部電極層からの距離が１ｕｍ以上５０ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度が８０％以上９０％以下であってもよく、かつ、前記第１内部電極層からの距離が５０ｕｍ以上１００ｕｍ以下である部分におけるＭｎ濃度が９０％以上１００％以下であってもよい。
【０００９】
前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度が他の内部電極層におけるＭｎ濃度よりも高くてもよい。
【００１０】
前記内部電極層のうち、前記第１内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有する内部電極層を第２内部電極層とし、
前記第２内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有さない内部電極層を第３内部電極層とし、
前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ１、前記第２内部電極層の前記ギャップ対応部におけるＭｎ濃度をＣ２Ａ、前記第３内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ３として、
Ｃ３＜Ｃ２Ａ＜Ｃ１を満たしてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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