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公開番号2025155835
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-14
出願番号2025009382
出願日2025-01-22
発明の名称電子部品
出願人TDK株式会社
代理人前田・鈴木国際特許弁理士法人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高温多湿環境においてクラックの発生を抑制することができる電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック層と内部電極層とが積層された素子本体を有する電子部品であって、セラミック層の主成分がCaおよび/またはSrと、Zrと、を含み、素子本体は、セラミック層と内部電極層との積層界面に沿ってMnが層状に局在している局在層を有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
セラミック層と内部電極層とが積層された素子本体を有する電子部品であって、
前記セラミック層の主成分がＣａおよび／またはＳｒと、Ｚｒと、を含み、
前記素子本体は、前記セラミック層と前記内部電極層との積層界面に沿ってＭｎが層状に局在している局在層を有する電子部品。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
ＬＭｎ、ＣＭｎおよびＩＭｎは、ＣＭｎ＜ＬＭｎおよびＩＭｎ＜ＬＭｎを満たし、
前記ＬＭｎは、前記局在層におけるＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＳｒおよびＺｒの酸化物換算での合計を１００モル部としたときのＭｎの酸化物換算での含有比であり、
前記ＣＭｎは、前記セラミック層におけるＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＳｒおよびＺｒの酸化物換算での合計を１００モル部としたときのＭｎの酸化物換算での含有比であり、
前記ＩＭｎは、前記内部電極層におけるＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＳｒおよびＺｒの酸化物換算での合計を１００モル部としたときのＭｎの酸化物換算での含有比である請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記局在層におけるＡｌ、Ｍｇ、ＳｉおよびＭｎの酸化物換算での含有比を比較したとき、Ｍｎが最も含有比が高い請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
ＬＭｎが０．５モル部以上１２．０モル部以下であり、
前記ＬＭｎは、前記局在層におけるＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＳｒおよびＺｒの酸化物換算での合計を１００モル部としたときのＭｎの酸化物換算での含有比である請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
ＬＭｎ／ＣＭｎが１．２５以上１５．０以下であり、
前記ＬＭｎは、前記局在層におけるＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＳｒおよびＺｒの酸化物換算での合計を１００モル部としたときのＭｎの酸化物換算での含有比であり、
前記ＣＭｎは、前記セラミック層におけるＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＳｒおよびＺｒの酸化物換算での合計を１００モル部としたときのＭｎの酸化物換算での含有比である請求項１に記載の電子部品。
【請求項６】
前記局在層の厚みは０．１ｎｍ～１４ｎｍである請求項１に記載の電子部品。
【請求項７】
局在層被覆率は８０％以上であり、
前記局在層被覆率は、前記素子本体の積層方向に平行な断面の所定視野において、互いに接する一組の前記内部電極層と前記局在層とを観察したときに、前記積層界面に沿う前記内部電極層の合計長さに対して、前記局在層が前記積層界面に沿って前記内部電極層に接している合計長さの比率である請求項１に記載の電子部品。
【請求項８】
内部電極層被覆率は９０％以上であり、
前記内部電極層被覆率は、前記素子本体の積層方向に平行な断面の所定視野において、互いに接する一組の前記セラミック層と前記内部電極層とを観察したときに、前記積層界面に沿う前記セラミック層の合計長さに対して、前記積層界面に沿う前記内部電極層の合計長さの比率である請求項１に記載の電子部品。
【請求項９】
前記内部電極層に含まれる導電材の主成分はＮｉおよび／またはＮｉ系合金である請求項１に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記セラミック層は、主成分が一般式ＡＢＯ
3
で表されるペロブスカイト型化合物を含み、
前記ペロブスカイト型化合物は、組成式（Ｃａ
1-x
Ｓｒ
x
）
m
（Ｚｒ
1-y-z
Ｔｉ
y
Ｈｆ
z
）Ｏ
3
で表すことができる化合物であり、
前記ｍは０．９～１．１の範囲であり、
前記ｘは０≦ｘ≦１を満たし、
前記ｙおよび前記ｚは０．８０≦１－ｙ－ｚ≦１．０を満たす請求項１～９のいずれかに記載の電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック層と内部電極層とを有する電子部品に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
誘電体組成物からなるセラミック層と内部電極層とを交互に積層した積層セラミック電子部品が知られている。この積層セラミック電子部品では、セラミック層と内部電極層との間で収縮率や線膨張係数などの特性に差がある。このため、セラミック層と内部電極層との界面では、この特性の違いに起因して、クラックなどの構造欠陥が生じ易く、高温多湿環境下では、特にその傾向が顕著となる。
【０００３】
これに対して、たとえば特許文献１では、内部電極と誘電体層との界面に二次相物質を形成することで、焼成後のクラック発生個数を軽減させる方法が開示されているものの、高温多湿環境下における研究はなされていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１４－１２３６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みてなされ、高温多湿環境においてクラックの発生を抑制することができる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明に係る電子部品は、
セラミック層と内部電極層とが積層された素子本体を有する電子部品であって、
前記セラミック層の主成分がＣａおよび／またはＳｒと、Ｚｒと、を含み、
前記素子本体は、前記セラミック層と前記内部電極層との積層界面に沿ってＭｎが層状に局在している局在層を有する。
【０００７】
本発明の電子部品は素子本体が所定の局在層を有していることから、高温多湿環境下において、クラックの発生を抑制することができる。
【０００８】
好ましくは、ＬＭｎ、ＣＭｎおよびＩＭｎは、ＣＭｎ＜ＬＭｎおよびＩＭｎ＜ＬＭｎを満たし、
前記ＬＭｎは、前記局在層におけるＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＳｒおよびＺｒの酸化物換算での合計を１００モル部としたときのＭｎの酸化物換算での含有比であり、
前記ＣＭｎは、前記セラミック層におけるＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＳｒおよびＺｒの酸化物換算での合計を１００モル部としたときのＭｎの酸化物換算での含有比であり、
前記ＩＭｎは、前記内部電極層におけるＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＳｒおよびＺｒの酸化物換算での合計を１００モル部としたときのＭｎの酸化物換算での含有比である。
【０００９】
これにより、高温多湿環境下において、クラックの発生をより抑制することができる。
【００１０】
好ましくは、前記局在層におけるＡｌ、Ｍｇ、ＳｉおよびＭｎの酸化物換算での含有比を比較したとき、Ｍｎが最も含有比が高い。
（【００１１】以降は省略されています）

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