特許ウォッチ

公開番号2025154630
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024057740
出願日2024-03-29
発明の名称積層セラミック電子部品
出願人TDK株式会社
代理人前田・鈴木国際特許弁理士法人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】温度特性を良好に維持しつつサーマルクラックの発生を抑制した積層セラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】誘電体層と内部電極層とが積層されてなる積層セラミック電子部品である。内部電極層のうち積層方向に沿って最も外側にある内部電極層を第1内部電極層とする。第1内部電極層におけるMn濃度が他の内部電極層におけるMn濃度よりも高い。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
誘電体層と内部電極層とが積層されてなる積層セラミック電子部品であって、
前記内部電極層のうち積層方向に沿って最も外側にある内部電極層を第１内部電極層として、前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度が他の内部電極層におけるＭｎ濃度よりも高い積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
前記内部電極層のうち、前記第１内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有する内部電極層を第２内部電極層とし、
前記第２内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有さない内部電極層を第３内部電極層とし、
前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ１、前記第２内部電極層の前記ギャップ部におけるＭｎ濃度をＣ２Ａ、前記第３内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ３として、
Ｃ３＜Ｃ２Ａ＜Ｃ１を満たす請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
Ｃ１／Ｃ３が２．５以上４．０である請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記第２内部電極層の前記ギャップ対応部以外の部分におけるＭｎ濃度をＣ２Ｂとして、Ｃ２Ａ／Ｃ２Ｂが１．５以上３．０以下である請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
Ｃ１／Ｃ２Ａが１．２以上２．０以下である請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記誘電体層のうち前記積層方向に沿って前記第１内部電極層より内側にある誘電体層を内部誘電体層として、前記内部誘電体層の厚みが３．０ｕｍ以上１５ｕｍ以下である請求項１～５のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記内部電極層の積層数が５０以上３００以下である請求項１～５のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記誘電体層がＣａ、Ｓｒ、Ｚｒ、ＴｉおよびＯを含む請求項１～５のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、積層セラミックコンデンサに関する発明が記載されている。具体的には、最外層内部電極と、その外側に位置する最外誘電体セラミック層と、の境界にＭｇとＭｎとを含有する境界層が形成されることでセラミック積層体への水分の侵入を抑制、防止できることが記載されている。
が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－２３２８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、温度特性を良好に維持しつつサーマルクラックの発生を抑制した積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明に係る積層セラミック電子部品は、
誘電体層と内部電極層とが積層されてなる積層セラミック電子部品であって、
前記内部電極層のうち積層方向に沿って最も外側にある内部電極層を第１内部電極層として、前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度が他の内部電極層におけるＭｎ濃度よりも高い積層セラミック電子部品である。
【０００６】
前記内部電極層のうち、前記第１内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有する内部電極層を第２内部電極層とし、
前記第２内部電極層よりも内側にありギャップ対応部を有さない内部電極層を第３内部電極層とし、
前記第１内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ１、前記第２内部電極層の前記ギャップ部におけるＭｎ濃度をＣ２Ａ、前記第３内部電極層におけるＭｎ濃度をＣ３として、
Ｃ３＜Ｃ２Ａ＜Ｃ１を満たしてもよい。
【０００７】
Ｃ１／Ｃ３が２．５以上４．０であってもよい。
【０００８】
前記第２内部電極層の前記ギャップ対応部以外の部分におけるＭｎ濃度をＣ２Ｂとして、Ｃ２Ａ／Ｃ２Ｂが１．５以上３．０以下であってもよい。
【０００９】
Ｃ１／Ｃ２Ａが１．２以上２．０以下であってもよい。
【００１０】
前記誘電体層のうち前記積層方向に沿って前記第１内部電極層より内側にある誘電体層を内部誘電体層として、前記内部誘電体層の厚みが３．０ｕｍ以上１５ｕｍ以下であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許