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公開番号
2025067363
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-04-24
出願番号
2023177302
出願日
2023-10-13
発明の名称
配線回路基板、及び配線回路基板集合体
出願人
日東電工株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
H05K
3/44 20060101AFI20250417BHJP(他に分類されない電気技術)
要約
【課題】 反りを抑えかつ平坦性を損なわない配線回路基板などの提供。
【解決手段】 貫通孔を有する金属コア層と、
前記金属コア層の一方の面上に配された第一絶縁層と、
前記金属コア層の他方の面上に配された第二絶縁層と、
前記第一絶縁層の上に配された第一配線層と、
前記第二絶縁層の上に配された第二配線層と、
を有し、
前記貫通孔内に、前記金属コア層、前記第一配線層、及び前記第二配線層と電気的に絶縁している独立導体部を有する、
配線回路基板。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
貫通孔を有する金属コア層と、
前記金属コア層の一方の面上に配された第一絶縁層と、
前記金属コア層の他方の面上に配された第二絶縁層と、
前記第一絶縁層の上に配された第一配線層と、
前記第二絶縁層の上に配された第二配線層と、
を有し、
前記貫通孔内に、前記金属コア層、前記第一配線層、及び前記第二配線層と電気的に絶縁している独立導体部を有する、
配線回路基板。
続きを表示(約 930 文字)
【請求項2】
前記独立導体部の厚みが、前記金属コア層の厚みの80%~120%である、請求項1に記載の配線回路基板。
【請求項3】
前記貫通孔内に、前記金属コア層と前記独立導体部とを電気的に絶縁させる絶縁部を有し、
前記金属コア層の厚み方向に平行な断面でありかつ前記貫通孔の中心を通る断面における前記独立導体部の面積が、前記断面における前記絶縁部の面積よりも大きい、
請求項1に記載の配線回路基板。
【請求項4】
前記貫通孔内において、前記独立導体部が1つである、請求項1に記載の配線回路基板。
【請求項5】
前記金属コア層の厚み方向に直交する断面における前記独立導体部の形状が、円形である、請求項1に記載の配線回路基板。
【請求項6】
前記金属コア層が、前記貫通孔の他に第二貫通孔を有し、
前記金属コア層の前記第二貫通孔を貫通し、前記第一配線層と前記第二配線層とを電気的に接続し、かつ前記金属コア層とは電気的に接続しない層間接続部を有する、
請求項1に記載の配線回路基板。
【請求項7】
前記独立導体部の材料と前記層間接続部の少なくとも一部の材料とが、同じである、請求項6に記載の配線回路基板。
【請求項8】
前記第一配線層及び前記第二配線層を含む配線領域と、前記第一配線層及び前記第二配線層を含まない非配線領域とを有し、
前記独立導体部が、前記非配線領域に配されている、
請求項1に記載の配線回路基板。
【請求項9】
複数の配線回路基板を含むユニット部と、
前記ユニット部の外周に形成されたフレーム部と、
を有する配線回路基板集合体であって、
前記配線回路基板が、請求項1から8のいずれかに記載の配線回路基板である、
配線回路基板集合体。
【請求項10】
前記フレーム部が、金属枠を有し、
前記金属枠と、複数の前記配線回路基板の前記金属コア層とが、一体である、請求項9に記載の配線回路基板集合体。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線回路基板、及び配線回路基板集合体、並びに配線回路基板を含む半導体パッケージ、及び電子機器に関する。
続きを表示(約 3,700 文字)
【背景技術】
【0002】
配線回路基板は、配線などの導体部及び各種の絶縁層が基材上において積層形成されて、製造される。導体部及び絶縁層は、例えばフォトリソグラフィ法によって、パターン形成される。
【0003】
配線回路基板を複数備える配線回路基板集合体として、基板部が分割部を介して一体に複数個連なるとともに、前記分割部にて個々の前記基板部に分割されることにより、個片化された前記基板部としてのプリント基板を製造するための板材であって、当該板材は、樹脂よりなるコア層の両面にそれぞれ、樹脂よりなる表層が積層された積層板として構成されたものであり、個々の前記基板部では、前記両表層の表面にソルダーレジストが設けられているとともに、前記両表層の一方と他方とでは、その表面に設けられている前記ソルダーレジストの面積が異なるものである多連プリント基板において、前記両表層のうち前記ソルダーレジストの面積が小さい方の表層のみに、前記プリント基板の回路とは電気的に絶縁されているとともに、前記コア層および前記表層を構成する樹脂よりも熱膨張係数の大きいダミー配線が設けられている多連プリント基板が提案されている(特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2011-18716号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献1の技術では、両表層間のソルダーレジストの面積の差による基板の反りを防止するために、両表層のうちソルダーレジストの面積が小さい方の表層のみに、ダミー配線が設けられている。
しかし、ダミー配線は反りの防止に寄与する一方で、ダミー配線を設けることで配線回路基板の平坦性が低下する場合がある。
【0006】
本発明は、反りを抑えかつ平坦性を損なわない配線回路基板及び配線回路基板集合体、並びに当該配線回路基板を含む半導体パッケージ及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者らは、上記の課題を解決する為、鋭意検討を行った結果、上記の課題を解決出来ることを見出し、以下の要旨を有する本発明を完成させた。
すなわち、本発明は以下を包含する。
【0008】
[1] 貫通孔を有する金属コア層と、
前記金属コア層の一方の面上に配された第一絶縁層と、
前記金属コア層の他方の面上に配された第二絶縁層と、
前記第一絶縁層の上に配された第一配線層と、
前記第二絶縁層の上に配された第二配線層と、
を有し、
前記貫通孔内に、前記金属コア層、前記第一配線層、及び前記第二配線層と電気的に絶縁している独立導体部を有する、
配線回路基板。
[2] 前記独立導体部の厚みが、前記金属コア層の厚みの80%~120%である、[1]に記載の配線回路基板。
[3] 前記貫通孔内に、前記金属コア層と前記独立導体部とを電気的に絶縁させる絶縁部を有し、
前記金属コア層の厚み方向に平行な断面でありかつ前記貫通孔の中心を通る断面における前記独立導体部の面積が、前記断面における前記絶縁部の面積よりも大きい、
[1]又は[2]に記載の配線回路基板。
[4] 前記貫通孔内において、前記独立導体部が1つである、[1]から[3]のいずれかに記載の配線回路基板。
[5] 前記金属コア層の厚み方向に直交する断面における前記独立導体部の形状が、円形である、[1]から[4]のいずれかに記載の配線回路基板。
[6] 前記金属コア層が、前記貫通孔の他に第二貫通孔を有し、
前記金属コア層の前記第二貫通孔を貫通し、前記第一配線層と前記第二配線層とを電気的に接続し、かつ前記金属コア層とは電気的に接続しない層間接続部を有する、
[1]から[5]のいずれかに記載の配線回路基板。
[7] 前記独立導体部の材料と前記層間接続部の少なくとも一部の材料とが、同じである、[6]に記載の配線回路基板。
[8] 前記第一配線層及び前記第二配線層を含む配線領域と、前記第一配線層及び前記第二配線層を含まない非配線領域とを有し、
前記独立導体部が、前記非配線領域に配されている、
[1]から[7]のいずれかに記載の配線回路基板。
[9] 複数の配線回路基板を含むユニット部と、
前記ユニット部の外周に形成されたフレーム部と、
を有する配線回路基板集合体であって、
前記配線回路基板が、[1]から[8]のいずれかに記載の配線回路基板である、
配線回路基板集合体。
[10] 前記フレーム部が、金属枠を有し、
前記金属枠と、複数の前記配線回路基板の前記金属コア層とが、一体である、[9]に記載の配線回路基板集合体。
[11] 複数の配線回路基板を含むユニット部と、
前記ユニット部の外周に形成されたフレーム部と、
を有する配線回路基板集合体であって、
前記配線回路基板が、金属コア層と、前記金属コア層の一方の面上に配された第一絶縁層と、前記金属コア層の他方の面上に配された第二絶縁層と、前記第一絶縁層の上に配された第一配線層と、前記第二絶縁層の上に配された第二配線層とを有し、
前記フレーム部が、貫通孔を有する金属枠を有し、
前記貫通孔内に、前記金属枠と電気的に絶縁している独立導体部を有する、
配線回路基板集合体。
[12] 前記金属枠と、複数の前記配線回路基板の前記金属コア層とが、一体である、[11]に記載の配線回路基板集合体。
[13] 前記金属コア層が、前記貫通孔の他に第二貫通孔を有し、
前記金属コア層の前記第二貫通孔を貫通し、前記第一配線層と前記第二配線層とを電気的に接続し、かつ前記金属コア層とは電気的に接続しない層間接続部を有し、
前記独立導体部の材料と前記層間接続部の少なくとも一部の材料とが、同じである、[11]又は[12]に記載の配線回路基板集合体。
[14] [1]から[8]のいずれかに記載の配線回路基板を含む半導体パッケージ。
[15] [14]に記載の半導体パッケージを含む電子機器。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、反りを抑えかつ平坦性を損なわない配線回路基板及び配線回路基板集合体、並びに当該配線回路基板を含む半導体パッケージ及び電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
図1Aは、配線回路基板の一実施形態の概略図(断面図)である。
図2Aは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その1)。
図2Bは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その2)。
図2Cは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その3)。
図2Dは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その4)。
図2Eは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その5)。
図2Fは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その6)。
図2Gは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その7)。
図2Hは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その8)。
図2Iは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その9)。
図2Jは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その10)。
図2Kは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その11)。
図2Lは、配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図(断面図)である(その12)。
図3は、配線回路基板の他の一実施形態の概略図(上面図)である。
図4Aは、配線回路基板集合体の第二態様の一実施形態の概略図(断面図)である。
図4Bは、配線回路基板集合体の第二態様の一実施形態の概略図(上面図)である。
図5は、配線回路基板集合体の第二態様の他の一実施形態の概略図(上面図)である。
【発明を実施するための形態】
(【0011】以降は省略されています)
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