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公開番号2025061350
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-10
出願番号2025005766,2020024310
出願日2025-01-15,2020-02-17
発明の名称インダクタ
出願人日東電工株式会社
代理人弁理士法人いくみ特許事務所
主分類H01F 17/04 20060101AFI20250403BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】直流重畳特性に優れ、かつ、インダクタンスの低下を抑制でき、クロストークを抑制するインダクタを提供する。
【解決手段】インダクタ1は、互いに間隔を隔てて隣り合う第1配線2及び第2配線3、面方向に連続する第1面11、第1面に対して厚み方向に間隔が隔てられ、面方向に連続する第2面12並びに第1面と第2面の間において、第1、第2配線の外周面17に接触する内周面10を有する第1磁性層4と、第1面に配置される第2磁性層5と、第2面に配置される第3磁性層6と、備える。第2磁性層及び第3磁性層のそれぞれの比透磁率が、第1磁性層の比透磁率より高い。インダクタは、厚み方向に投影したときに、第1配線及び第2配線の間に位置し、第1配線及び第2配線の磁気的結合を抑制する抑制部7をさらに備える。抑制部は、第1面と第3面13の間に位置するスリット21及び第2面と第4面14の間に位置するスリット22を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
互いに間隔を隔てて隣り合う第１配線および第２配線と、
面方向に連続する第１面と、前記第１面に対して厚み方向に間隔が隔てられ、前記面方向に連続する第２面と、前記第１面および前記第２面の間に位置し、前記第１配線の外周面および前記第２配線の外周面に接触する内周面とを有する第１磁性層と、
前記第１面に配置される第２磁性層と、
前記第２面に配置される第３磁性層とを備え、
前記第２磁性層は、前記第１面と前記厚み方向に間隔を隔てて対向配置される第３面を有し、
前記第２磁性層および前記第３磁性層のそれぞれの比透磁率が、前記第１磁性層の比透磁率より高く、
前記厚み方向に投影したときに、前記第１配線および前記第２配線の間に位置しており、前記第１配線および前記第２配線の磁気的結合を抑制するように構成される抑制部をさらに備え、
前記抑制部が、前記第１面および前記第３面の間に位置する第１抑制部を含むことを特徴とする、インダクタ。
続きを表示（約 780 文字）【請求項２】
前記第１抑制部が、前記第１面に臨むことを特徴とする、請求項１に記載のインダクタ。
【請求項３】
前記第１抑制部が、前記第３面から露出することを特徴とする、請求項１または２に記載のインダクタ。
【請求項４】
前記厚み方向における前記第１抑制部の長さが、前記第１配線および前記第２配線が隣り合う隣方向における前記第１抑制部の長さより長いことを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項５】
前記第１抑制部は、前記第２磁性層に形成されるスリットであることを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項６】
前記第１抑制部は、前記第２磁性層に形成される空隙に充填される第１充填部であり、
前記第１充填部の比透磁率が、前記第１磁性層の比透磁率より低いことを特徴とする、
請求項１～４のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項７】
前記第２磁性層の前記第３面に配置される加工安定層をさらに備えることを特徴とする、請求項１～６のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項８】
前記第３磁性層は、前記第２面と前記厚み方向に間隔を隔てて対向配置される第４面を有し、
前記抑制部が、前記第２面および前記第４面の間に位置する第２抑制部をさらに含むことを特徴とする、請求項１～７のいずれか一項に記載のインダクタ。
【請求項９】
前記第２抑制部が、前記第２面に臨むことを特徴とする、請求項８に記載のインダクタ。
【請求項１０】
前記第２抑制部が、前記第４面から露出することを特徴とする、請求項８または９に記載のインダクタ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
インダクタは、電子機器などに搭載されて、電圧変換部材などの受動素子として用いられることが知られている。
【０００３】
例えば、磁性体材料からなる本体部と、その本体部の内部に埋設された銅からなる内部導体とを備えるインダクタが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平１０－１４４５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子機器の小型化／高性能化に伴い、インダクタにおいても同様の特性が要望され、小型化しつつインダクタンスを高めるために、密な内部導体を備えるインダクタが要望されている。しかしながら、インダクタが密な内部導体を備えると、磁性体材料によって、隣り合う内部導体同士において磁気的な結合（クロストーク）が生じるという不具合を生じる。
【０００６】
一方、隣り合う内部導体の間隔を広げれば、上記したクロストークを抑制できるが、インダクタンスが低下するという不具合がある。
【０００７】
他方、インダクタには、優れた直流重畳特性も求められる。
【０００８】
本発明は、直流重畳特性に優れ、かつ、インダクタンスの低下を抑制できながら、隣り合う配線の間のクロストークを抑制できるインダクタを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明（１）は、互いに間隔を隔てて隣り合う第１配線および第２配線と、面方向に連続する第１面と、前記第１面に対して厚み方向に間隔が隔てられ、前記面方向に連続する第２面と、前記第１面および前記第２面の間に位置し、前記第１配線の外周面および前記第２配線の外周面に接触する内周面とを有する第１磁性層と、前記第１面に配置される第２磁性層と、前記第２面に配置される第３磁性層とを備え、前記第２磁性層は、前記第１面と前記厚み方向に間隔を隔てて対向配置される第３面を有し、前記第２磁性層および前記第３磁性層のそれぞれの比透磁率が、前記第１磁性層の比透磁率より高く、前記厚み方向に投影したときに、前記第１配線および前記第２配線の間に位置しており、前記第１配線および前記第２配線の磁気的結合を抑制するように構成される抑制部をさらに備え、前記抑制部が、前記第１面および前記第３面の間に位置する第１抑制部を含む、インダクタを含む。
【００１０】
このインダクタでは、第２磁性層および第３磁性層のそれぞれの比透磁率が、第１磁性層の比透磁率より高く、抑制部が、第１面および第３面の間に位置する第１抑制部を含む。そのため、直流重畳特性に優れ、かつ、インダクタンスの低下を抑制できながら、第１配線および第２配線の間のクロストークを抑制できる。
（【００１１】以降は省略されています）

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