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公開番号2025068533
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-28
出願番号2023178504
出願日2023-10-16
発明の名称ダイボンドフィルム及びダイシングダイボンドフィルム
出願人日東電工株式会社
代理人弁理士法人藤本パートナーズ
主分類H01L 21/52 20060101AFI20250421BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本発明は、マウント工程において半導体チップとダイボンドフィルムとの間にボイドが生じることを抑制することと、ピックアップ工程においてダイシングダイボンドフィルムの基材層に裂けが生じることを抑制することとを共に解決することができるダイボンドフィルムなどを提供する。
【解決手段】本発明に係るダイボンドフィルムは、有機成分として熱可塑性樹脂を含むダイボンドフィルムであって、前記熱可塑性樹脂は、質量平均分子量が8万以下のアクリル系ポリマーを含んでおり、80℃における溶融粘度が30kPa・s以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
有機成分として熱可塑性樹脂を含むダイボンドフィルムであって、
前記熱可塑性樹脂は、質量平均分子量が８万以下のアクリル系ポリマーを含んでおり、
８０℃における溶融粘度が３０ｋＰａ・ｓ以下である、
ダイボンドフィルム。
続きを表示（約 540 文字）【請求項２】
無機成分として無機フィラーを含んでおり、
前記有機成分及び前記無機成分の総質量に占める前記無機フィラーの質量割合が２５質量％以下である、
請求項１に記載のダイボンドフィルム。
【請求項３】
前記有機成分として熱硬化性樹脂をさらに含んでおり、
前記熱硬化性樹脂は、ノボラック型エポキシ樹脂を含んでいる、
請求項１または２に記載のダイボンドフィルム。
【請求項４】
前記ノボラック型エポキシ樹脂の軟化点は、８５℃以下である、
請求項３に記載のダイボンドフィルム。
【請求項５】
無機成分として無機フィラーを含んでおり、
前記有機成分及び前記無機成分の総質量に占める前記ノボラック型エポキシ樹脂の質量割合が３０質量％以上である、
請求項３に記載のダイボンドフィルム。
【請求項６】
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
該ダイシングテープの前記粘着剤層に積層されたダイボンドフィルムと、を備え、
前記ダイボンドフィルムが、請求項１または２に記載のダイボンドフィルムである、
ダイシングダイボンドフィルム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンドフィルム及びダイシングダイボンドフィルムに関する。
続きを表示（約 3,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、一の半導体ウェハを複数の半導体チップ（ダイ）へと個片化（割断）するために、ダイシングダイボンドフィルムを用いることが知られている（例えば、下記特許文献１）。
前記ダイシングダイボンドフィルムは、基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、該ダイシングテープの前記粘着剤層上に剥離可能に積層されたダイボンドフィルムとを備えている。
【０００３】
そして、前記ダイシングダイボンドフィルムを用いて、一の半導体ウェハから複数の半導体チップ（ダイ）を得る方法としては、例えば、以下の手順に従うものが挙げられる。
（１）前記一の半導体ウェハの一方面をウェハ加工用テープ上に被着させた後、前記一の半導体ウェハを他方面から一方面に向けて厚さ方向の途中位置までマトリックス状にカットすることにより、すなわち、前記一の半導体ウェハにハーフカット加工を施すことにより、前記一の半導体ウェハに複数の溝を形成する（ハーフカット工程）。
なお、前記一の半導体ウェハの他方面は回路形成面となっていて、該他方面には他の部材と電気的に接続される電極部が複数個設けられている。
また、ハーフカット加工は、マトリックス状にカットされた後の各領域に前記電極部が少なくとも１個配されるように実施する。
（２）ハーフカット加工が施された前記一の半導体ウェハにおける他方面（複数の溝が形成されている側の面）にバックグラインドテープを被着させ、前記一の半導体ウェハの一方面から前記ウェハ加工用テープをはく離させた後、前記一方面から前記厚さ方向の途中位置まで前記一の半導体ウェハを研削する。すなわち、前記一の半導体ウェハにバックグラインド加工を施す（バックグラインド工程）。
なお、バックグラインド加工が施された前記一の半導体ウェハは、前記複数の溝に沿って、複数の半導体チップへと個片化（割断）されている。
（３）バックグラインド加工が施された前記一の半導体ウェハの前記一方面を前記ダイシングダイボンドフィルムにおける前記ダイボンドフィルム上に被着させた後、前記一の半導体ウェハの前記他方面から前記バックグラインドテープをはく離させる（マウント工程）。
（４）前記ダイボンドフィルム上にマウントされた前記一の半導体ウェハに対して、該一の半導体ウェハの他方面側からレーザ照射を実施して、前記複数の溝に対応する前記ダイボンドフィルムの領域をカットする（レーザカット工程）。すなわち、レーザ照射によって、前記ダイボンドフィルムを前記複数の溝に沿って個片化（割断）する。
（５）個片化（割断）された前記ダイボンドフィルムと前記粘着剤層との間をはく離して、個片化（割断）された前記ダイボンドフィルムが被着された状態で前記複数の半導体チップのそれぞれをピックアップする（ピックアップ工程）。
なお、前記複数の半導体チップの各他方面には、前記電極部が少なくとも１個配されている。
【０００４】
なお、個片化（割断）された前記ダイボンドフィルムが被着された前記半導体チップ（以下、個片化ダイボンドフィルム付半導体チップともいう）は、ピックアップされた後、例えば、以下の手順にしたがって、半導体装置を構成するために用いられる。
（１’）個片化ダイボンドフィルム付半導体チップを前記配線基板に被着させる（ダイボンド工程）。
（２’）前記個片化ダイボンドフィルム付半導体チップと前記配線基板とをボンディングワイヤなどによって電気的に接続させた後、具体的には、前記個片化ダイボンドフィルム付半導体チップの片面に配された電極部と前記配線基板に配された電極部とをボンディングワイヤなどによって電気的に接続させた後、封止樹脂を用いて前記半導体チップを樹脂封止する。
（３’）前記封止樹脂を所定温度（例えば、１７５℃）で硬化させる。これにより、前記個片化ダイボンドフィルム付半導体チップを備える半導体パッケージが得られる。
（４’）所定温度（例えば、２６０℃）でのソルダリングによって、前記半導体パッケージをマザーボードと電気的に接続させる。これにより、前記個片化ダイボンドフィルム付半導体チップを備える半導体装置が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１１－２３６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記（３）のマウント工程において、前記一の半導体ウェハの前記一方面、より詳しくは、個片化（割断）された状態の複数の半導体チップの各一方面と、個片化（割断）前の前記ダイボンドフィルムとの間にボイドが生じてしまうことがある。
そして、当然のことながら、このようなボイドは、上記（４）のレーザカット工程において個片化（割断）されたダイボンドフィルムのそれぞれと前記複数の半導体チップのそれぞれの一方面との間にも残存するようになる。
すなわち、複数の個片化ダイボンドフィルム付半導体チップのそれぞれがボイドを有するようになる。
【０００７】
ここで、前記ボイド内には空気に加えて空気中の水分も存在しているので、個片化ダイボンドフィルム付半導体チップが上記のようにボイドを有しているものであると、該個片化ダイボンドフィルム付半導体チップを備える半導体パッケージ内に存在する水分量が多くなる。
このような場合、前記半導体パッケージと前記マザーボードとを電気的に接続するための所定温度（例えば、２６０℃）でのソルダリング中に、前記半導体パッケージ内の前記水分の気化による体積膨張の程度が大きくなるので、この大きな体積膨張により前記半導体パッケージ内の圧力が大きく上昇するようになる。
その結果、この大きな圧力上昇によって前記半導体パッケージが破壊される現象（いわゆる、ポップコーン現象）が生じる虞があるので望ましくない。
【０００８】
また、上記（５）のピックアップ工程は、例えば、ピン部材のような突上部材によって、前記ダイシングダイボンドフィルムの基材層側から個片化ダイボンドフィルム付半導体チップを突き上げた後、突き上げられた個片化ダイボンドフィルム付半導体チップを吸着治具で保持することにより実施される。そして、このピックアップ工程においては、前記個片化ダイボンドフィルム付半導体チップのそれぞれを効率良く回収するために、前記ダイシングダイボンドフィルムを引き伸ばして隣り合う前記個片化ダイボンドフィルム付半導体チップどうしの間隔を空けた上で、前記突上部材による突き上げが実施される。しかしながら、前記ダイシングダイボンドフィルムを引き伸ばしたときに、前記ダイシングダイボンドフィルムの前記基材層が裂けてしまうことがある。
【０００９】
しかしながら、マウント工程において半導体チップとダイボンドフィルムとの間にボイドが生じることを抑制することと、ピックアップ工程においてダイシングダイボンドフィルムの基材層に裂けが生じることを抑制することとを共に解決することについて、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。
【００１０】
そこで、本発明は、マウント工程において半導体チップとダイボンドフィルムとの間にボイドが生じることを抑制することと、ピックアップ工程においてダイシングダイボンドフィルムの基材層に裂けが生じることを抑制することとを共に解決することができるダイボンドフィルム、及び、該ダイボンドフィルムを備えるダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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