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公開番号2025078902
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-21
出願番号2022061606
出願日2022-04-01
発明の名称積層体の製造方法
出願人日東電工株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 14/08 20060101AFI20250514BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】無機絶縁層の損傷を抑制できながら、良質な膜質の積層体を製造する方法を提供する。
【解決手段】積層体1の製造方法は、金属基板2を準備する工程と、無機絶縁層3を、厚み方向における金属基板2の一方面21に、スパッタリングを用いて形成する工程と、を備える。スパッタリングにおける成膜温度は、400℃以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
金属基板を準備する工程と、
無機絶縁層を、厚み方向における前記金属基板の一方面に、スパッタリングを用いて形成する工程と、を備え、
前記スパッタリングにおける成膜温度は、４００℃以下である、積層体の製造方法。
続きを表示（約 740 文字）【請求項２】
前記成膜温度は、３５０℃以下である、請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項３】
前記無機絶縁層の厚みは、１０μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の積層体の製造方法。
【請求項４】
前記金属基板の材料は、銅または銅合金を含む、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項５】
前記金属基板は、第１層と、第２層とを、厚み方向の一方側に向かって順に備え、
前記第１層の材料は、銅または銅合金であり、
前記第２層の材料は、クロム、ニッケル、鉄、タングステン、モリブデン、亜鉛、タンタル、チタン、白金、金、および、銀からなる群から選択されるいずれか少なくとも１つの金属である、請求項４に記載の積層体の製造方法。
【請求項６】
前記無機絶縁層の材料は、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択される少なくともいずれか１つである、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項７】
前記無機絶縁層の材料は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ケイ素、イットリウム、および、チタンからなる群から選択される少なくともいずれか１つを含有する、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項８】
前記金属基板は、厚み方向における前記一方面および他方面と、前記一方面の周端縁および前記他方面の周端縁を連結する側面とを含み、
前記無機絶縁層を形成する工程では、前記無機絶縁層を、前記金属基板の前記側面に形成する、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
金属基板の表面に、プラズマＣＶＤおよびイオンプレーティングのそれぞれを用いて、無機絶縁層を形成する、積層体の製造方法が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載のプラズマＣＶＤでは、ＳｉＨ
４
とＣＨ
４
とを含む混合ガス（原料ガス）を用いながら、金属基板を５００℃に加熱する。プラズマＣＶＤでは、原料ガスにおける有機成分（ＣＨ
４
）が熱分解しつつ、ＳｉＯ
２
からなる無機絶縁層が形成される。
【０００４】
また、特許文献１に記載のイオンプレーティングでは、ＳｉＯ
２
からなる蒸着材を昇華させ、これにプラスの電荷を帯びさせる一方、金属基板にマイナスの電荷を帯びさせる。これによって、ＳｉＯ
２
ガスを金属基板に引き寄せる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開昭５８－１０３１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載のプラズマＣＶＤでは、高温で金属基板を加熱する（高温ＣＶＤ）。一般的に、金属基板の熱膨張性係数は、無機絶縁層の熱膨張性係数より高い。すると、金属基板および無機絶縁層が冷却されるときに、金属基板は、無機絶縁層に対して、大きく収縮する。そのため、積層体が変形するという不具合がある。
【０００７】
変形は、積層体の反りを含む。積層体が上記したように反ると、無機絶縁層に応力がかかり、言い換えれば、無機絶縁層が大きな内部応力を含み、無機絶縁層が損傷する。損傷は、無機絶縁層のクラックを含む。
【０００８】
一方、上記した損傷を抑制するために、金属基板の加熱温度を低くするＣＶＤ（低温ＣＶＤ）も試案される。しかし、この場合には、有機成分は、十分に熱分解せず、無機絶縁層中に多く残存し、良質な成膜を達成できない。
【０００９】
また、イオンプレーティングも、蒸着方式であり、生成した無機絶縁層の内部応力は、蒸着材料に依存して高くなる。そのため、無機絶縁層の損傷を抑制するには、限界がある。
【００１０】
本発明は、無機絶縁層の損傷を抑制できながら、良質な膜質の積層体を製造する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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