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公開番号2025154277
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024057190
出願日2024-03-29
発明の名称真空排気システム
出願人エドワーズ株式会社
代理人個人
主分類C23C 16/44 20060101AFI20251002BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】排気ガス及び希釈ガスの温度を出来る限り低下させずに、一定の温度を維持した状態で所定の箇所まで送ることができる真空排気システムを提供する。
【解決手段】真空ポンプ12の後段に接続され、真空ポンプ12から排出された使用済みガスG2を通す内管19と内管19に外装された外管20との間が真空層21となった真空断熱配管構造を呈するガス排気配管14と、使用済みガスG2がガス排気配管14内で気体状態を維持するように使用済みガスG1を加温する希釈用ガスG2を、内管19内に導入する希釈ガス導入管24と、を備える構造にした。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
プロセスチャンバから排出される排気ガスを吸引し排出する真空ポンプと、
前記真空ポンプの後段に接続され、前記真空ポンプから排出された前記排気ガスを通す内管と前記内管に外装された外管との間が真空となった真空断熱配管構造を呈するガス配管と、
前記排気ガスが前記内管内で気体状態を維持するように前記排気ガスを加温する希釈用ガスを、前記内管内に導入する希釈ガス導入部と、
を備えている、ことを特徴とする真空排気システム。
続きを表示（約 380 文字）【請求項２】
前記ガス配管は、前記内管と前記外管の間が真空化された密閉構造で構成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の真空排気システム。
【請求項３】
前記希釈用ガスは、前記真空ポンプで加熱される、ことを特徴とする請求項１に記載の真空排気システム。
【請求項４】
前記ガス配管は、前記真空ポンプの排気ポートと、前記真空ポンプから排出された前記排気ガスを除害処理する設備と、の間に接続して設けられている、ことを特徴とする請求項１に記載の真空排気システム。
【請求項５】
前記真空ポンプは、前記ガス配管に接続され、前記真空ポンプから排出された前記排気ガスを通す内管と前記内管に外装された外管との間が真空となった真空断熱配管構造を呈する排気ポートを備えている、ことを特徴とする請求項１に記載の真空排気システム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空ポンプを使用する真空排気システムに関するものである。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体製造処理プロセスでは、半導体や絶縁体、金属膜等を、半導体ウエハ上に堆積させ、化学気相反応を利用して成膜するＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やドライエッチング処理が行われ、プロセスチャンバにおいて、例えばシラン(ＳｉＨ４)ガス等、各種のガスが使用されている。そして、プロセスチャンバから排出された使用済みのガスは、ドライポンプ等で吸引して、更にガス排気配管を介して除害装置に導入され、その除害装置で除害処理が行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
そのような、半導体製造処理プロセスでは、上記使用済みのガスが冷却されたりすると、上記使用済みのガスがプロセスチャンバ以外の排気配管や、ドライポンプ及び除害装置の内部に、膜や粉として固形化されて付着し、それが堆積して配管閉塞が発生する。そのため、頻繁にメンテナンスを必要としていた。また、液体系のプロセスガスを使用する場合は、上記使用済みのガスがプロセスチャンバ以外の排気配管や、ドライポンプ及び除害装置の内部に再液化してしまうため、メンテナンスを容易に行うことができず、別途対処を要していた。
【０００４】
そのメンテナンスとして、従来の半導体製造処理プロセスでは、半導体ウエハを成膜する各箇所に、プロセス処理終了の都度、その付着する生成物の種類に応じて、ＣＩＦ３（三フッ化塩素）、ＮＦ３（三フッ化窒素）、ＨＣＩ（塩化水素）等のクリーニングガスを定期的にプロセスチャンバ内部に導入して、付着物の分解、排出を行うことで半導体処理装置の反応室や排気配管、ドライポンプ、除害装置をクリーニングしていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
そして、一般に、それら使用済みのガス及びクリーニングガスは、１００℃以上の高温とする程、付着物の分解、排出を効率良く機能させることができる。
【０００６】
したがって、プロセスチャンバからドライポンプを経て、当該ドライポンプから数メートル先にある除害装置に向かう使用済みのガス及びクリーニングガス（以下、これらを総称して「使用済み排気ガス」という）は、１００℃以上の高温に保って除害装置に導入することが好ましい。
【０００７】
そこで、ドライポンプと除害装置の間で、ドライポンプより排出された使用済み排気ガスに３００℃ほどに加熱された希釈用ガスを追加し、使用済みのガスと混合させることにより、その使用済みのガスを１５０～２００℃に加熱して除害装置に導入する方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
なお、特許文献２での、希釈ガスを所定の温度まで加熱する熱源は、電熱線を使用している。
【０００９】
また、除害装置に導入する希釈用ガスを所定の温度まで加熱する熱源として、ドライポンプで発生する熱を使用する方法も提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
特許第３４５６９３３号公報
特開平４－３３０３８８号公報
特許第６４１８８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
（【００１１】以降は省略されています）

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