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公開番号2025065992
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-22
出願番号2023175548
出願日2023-10-10
発明の名称成形方法、成形装置、および物品製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250415BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】型を用いて基板上の組成物を成形する処理において当該組成物に生じる欠陥を低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】型と基板上の組成物とを接触させた状態で当該組成物を硬化させ、硬化した当該組成物から前記型を分離させることによって前記基板上の組成物を成形する処理を、前記基板における複数の領域の各々に対して行う成形方法において、前記複数の領域は、前記基板の外縁部分を含まない第1領域と、前記外縁部分を含む第2領域と、を含み、前記基板上の組成物は、酸素によって硬化を阻害される性質を有し、前記処理では、前記型と前記基板上の組成物とを接触させる前に、空気よりも酸素濃度が低い気体を前記型と前記基板との間に供給する気体供給動作が制御され、前記第2領域の前記処理における前記気体供給動作では、前記第1領域の前記処理における前記気体供給動作よりも前記気体の供給量が少ない。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
型と基板上の組成物とを接触させた状態で当該組成物を硬化させ、硬化した当該組成物から前記型を分離させることによって前記基板上の組成物を成形する処理を、前記基板における複数の領域の各々に対して行う成形方法であって、
前記複数の領域は、前記基板の外縁部分を含まない第１領域と、前記外縁部分を含む第２領域と、を含み、
前記基板上の組成物は、酸素によって硬化を阻害される性質を有し、
前記処理では、前記型と前記基板上の組成物とを接触させる前に、空気よりも酸素濃度が低い気体を前記型と前記基板との間に供給する気体供給動作が制御され、
前記第２領域の前記処理における前記気体供給動作では、前記第１領域の前記処理における前記気体供給動作よりも前記気体の供給量が少ない、ことを特徴とする成形方法。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記第２領域の前記処理における前記気体供給動作では、前記第１領域上の組成物を硬化させるときの前記第１領域の周囲の酸素濃度よりも、前記第２領域上の組成物を硬化させるときの前記第２領域の周囲の酸素濃度の方が高くなるように、前記気体の供給量が制御される、ことを特徴とする請求項１に記載の成形方法。
【請求項３】
前記第２領域の前記処理における前記気体供給動作では、前記第２領域の前記処理を経て前記型に付着している組成物が前記第２領域の周囲の酸素によって硬化を阻害されて未硬化状態のままになるように、前記気体の供給量が制御される、ことを特徴とする請求項１に記載の成形方法。
【請求項４】
前記第２領域の前記処理における前記気体供給動作では、前記型と前記基板との間への前記気体の供給を行わない、ことを特徴とする請求項１に記載の成形方法。
【請求項５】
前記第２領域の前記処理では、前記型と前記基板上の組成物とを接触させてから前記組成物の硬化を開始するまでの時間が前記第１領域の前記処理よりも長い、ことを特徴とする請求項１に記載の成形方法。
【請求項６】
前記複数の領域は、前記外縁部分を含まない第３領域を更に含み、
前記第３領域の前記処理は、前記第２領域の前記処理の次に行われ、
前記第３領域の前記処理における前記気体供給動作では、前記第１領域の前記処理における前記気体供給動作よりも前記気体の供給量が少ない、ことを特徴とする請求項１に記載の成形方法。
【請求項７】
前記第２領域の前記処理における前記気体供給動作では、前記第２領域の前記処理を経て前記型に付着している組成物が前記第２領域の周囲の酸素によって硬化を阻害されて未硬化状態のままになるように、前記気体の供給量が制御され、
前記第３領域の前記処理における前記気体供給動作では、前記第２領域の前記処理を経て前記型に付着している組成物が前記第３領域の周囲の酸素によって硬化を阻害されて未硬化状態のまま前記第３領域上の組成物と一体化するように、前記気体の供給量が制御される、ことを特徴とする請求項６に記載の成形方法。
【請求項８】
前記第３領域は、前記複数の領域のうち前記処理が最後に行われる領域である、ことを特徴とする請求項６に記載の成形方法。
【請求項９】
前記第３領域の前記処理よりも後に前記第１領域の前記処理が行われる、ことを特徴とする請求項６に記載の成形方法。
【請求項１０】
型と基板上の組成物とを接触させた状態で当該組成物を硬化させ、硬化した当該組成物から前記型を分離させることによって前記基板上の組成物を成形する処理を、前記基板における複数の領域の各々に対して行う成形方法であって、
前記複数の領域は、前記基板の外縁部分を含まない第１領域と、前記外縁部分を含む第２領域と、を含み、
前記基板上の組成物は、酸素によって硬化を阻害される性質を有し、
前記第２領域上の組成物を硬化させるときの前記第２領域の周囲の酸素濃度は、前記第１領域上の組成物を硬化させるときの前記第１領域の周囲の酸素濃度よりも高い、ことを特徴とする成形方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形方法、成形装置、および物品製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加えて、インプリント技術が注目されている。インプリント技術は、型を用いて基板上のインプリント材（組成物）を成形するインプリント処理を行うことにより、インプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術である。例えば、インプリント処理におけるインプリント材の硬化法の１つとして光硬化法がある。光硬化法を用いたインプリント処理では、型と基板上のインプリント材とを接触させた状態で当該インプリント材を光の照射によって硬化させ、硬化したインプリント材から型を分離させることで、インプリント材のパターンを基板上に形成することができる。このようなインプリント技術を用いることにより、基板上に数ナノメートルオーダーの微細の構造体を形成することができる。
【０００３】
インプリント技術では、型と基板上のインプリント材とを接触させる際に、型とインプリント材との間の空気が気泡として残留し、基板上に形成されたインプリント材のパターンに欠陥が生じることがある。このような欠陥は、パターン欠陥や未充填欠陥と呼ばれることがある。特許文献１では、インプリント材に対して溶解性が高いか、拡散性が高いか、或いは、その両方であるガスを型と基板との間に供給することで、パターン欠陥を低減する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特表２００７－５０９７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インプリント処理は、基板における複数のショット領域の各々に対して行われる。近年では、基板から得られる製品チップの収率を向上させるため、基板の外縁部分を含むショット領域（所謂、部分ショット領域）に対してもインプリント処理を行うことが求められている。基板の外縁部分には反りや段差が生じていることがあるが、このような外縁部分にも、型と基板とが直接接触することを防止するためにインプリント材が液滴として供給されうる。しかしながら、反りや段差が生じている基板の外縁部分に供給されたインプリント材の液滴は、型の接触（押印）が不十分であるため、基板上で拡がらずに、インプリント処理を経た後に当該液滴の一部が型に付着したままになることがある。型に付着しているインプリント材は、硬化状態であると、後続のショット領域に対するインプリント処理においてパターン欠陥を発生させる要因になりうる。
【０００６】
そこで、本発明は、型を用いて基板上の組成物を成形する処理において当該組成物に生じる欠陥を低減するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての成形方法は、型と基板上の組成物とを接触させた状態で当該組成物を硬化させ、硬化した当該組成物から前記型を分離させることによって前記基板上の組成物を成形する処理を、前記基板における複数の領域の各々に対して行う成形方法であって、前記複数の領域は、前記基板の外縁部分を含まない第１領域と、前記外縁部分を含む第２領域と、を含み、前記基板上の組成物は、酸素によって硬化を阻害される性質を有し、前記処理では、前記型と前記基板上の組成物とを接触させる前に、空気よりも酸素濃度が低い気体を前記型と前記基板との間に供給する気体供給動作が制御され、前記第２領域の前記処理における前記気体供給動作では、前記第１領域の前記処理における前記気体供給動作よりも前記気体の供給量が少ない、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、型を用いて基板上の組成物を成形する処理において当該組成物に生じる欠陥を低減するために有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
インプリント装置の構成例を示す概略図
基板における複数のショット領域の配置例を示す図
第１実施形態のインプリント処理を示すフローチャート
従来のインプリント処理を説明するための図
従来のインプリント処理を説明するための図
第１実施形態のインプリント処理を説明するための図
第１実施形態のインプリント処理を説明するための図
未硬化状態である残存インプリント材が周囲の酸素濃度の低下によって硬化する例を説明するための図
基板における複数のショット領域の配置例を示す図
第２実施形態のインプリント処理を説明するための図
物品製造方法を説明するための図
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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