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公開番号2025060690
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-10
出願番号2024218333,2023148085
出願日2024-12-13,2019-04-12
発明の名称EUVリソグラフィのためのペリクル
出願人エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 1/62 20120101AFI20250403BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】ペリクルを製造する既知の方法及び既知の技法に従って製造されたペリクルに伴う問題の一つを解決する。
【解決手段】マスクは、少なくとも1つの層が実質的に存在しない反対の面の少なくとも一部に重なる少なくとも1つのスクライブラインを含む。また、ペリクルを調製する方法であって、1つの面上のマスク及び反対の面上の少なくとも1つの層を含むウェーハを提供するステップと、マスクにスクライブラインを画定するステップと、スクライブラインに少なくとも部分的に重なる少なくとも1つの層の一部を選択的に除去するステップと、を含む方法が提供される。更に、ペリクルを調製する方法であって、ペリクルコアを提供するステップと、非酸化環境においてペリクルコアの少なくとも1つの面から少なくとも一部の材料を除去するステップと、を含む方法が提供される。いずれの態様においても、ペリクルは金属窒化物層を含むことができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ウェーハと、前記ウェーハの１つの面上に設けられたマスクと、前記ウェーハの反対の面上に設けられた少なくとも１つの層と、を含むアセンブリであって、前記マスクは、前記少なくとも１つの層が実質的に存在しない前記反対の面の少なくとも一部に重なる少なくとも１つのスクライブラインを含む、アセンブリ。
続きを表示（約 860 文字）【請求項２】
前記ウェーハはシリコンを含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記マスクはポジ型又はネガ型のレジストを含む、請求項１又は２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの層は、膜、犠牲層、及びペリクル層のうち１つ以上を含む、請求項１から３のいずれかに記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記ペリクル層は、金属層、酸化物層、窒化物層、シリサイド層、半金属層、非金属層、及び金属窒化物層のうち少なくとも１つを含み、任意選択的に、前記金属層及び／又は前記金属窒化物層は、ルテニウム、モリブデン、ホウ素、ジルコニウム、チタン、タンタル、又はそれらの組み合わせを含む、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記アセンブリは更に保護層を含む、請求項１から５のいずれかに記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの層は前記保護層と前記ウェーハのとの間に配置されている、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記保護層は、前記少なくとも１つの層が実質的に存在しない前記反対の面の前記一部で前記少なくとも１つの層に形成されたギャップ内まで延出する突出部を有する、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記保護層は、ポリマ、レジスト、及びラッカーのうち少なくとも１つを含み、好ましくは前記ポリマはポリ（ｐ－キシリレン）である、請求項６から８のいずれかに記載のアセンブリ。
【請求項１０】
ペリクルを調製する方法であって、ウェーハと、１つの面上に設けられたマスクと、反対の面上に設けられた少なくとも１つの層と、を含むアセンブリを提供するステップと、前記マスクにスクライブラインを画定するステップと、前記スクライブラインに少なくとも部分的に重なる前記少なくとも１つの層の一部を選択的に除去するステップと、を含む方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１８年５月４日に出願されたＥＰ出願第１８１７０８５５．３号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。
続きを表示（約 1,700 文字）【０００２】
[0002] 本発明は、ウェーハ、ウェーハを調製する方法、前記のウェーハを含むリソグラフィ装置のためのペリクル、ペリクルを調製する方法、及びペリクルを含むリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）からのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。
【０００４】
[0004] 基板にパターンを投影するためリソグラフィ装置が用いる放射の波長は、その基板上に形成することができるフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍ内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置を使用すると、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長の電磁放射を使用できる）よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。
【０００５】
[0005] リソグラフィ装置は、パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）を含む。放射は、パターニングデバイスを透過するか又は反射して、基板上に像を形成する。浮遊粒子（airborne particles）又はその他の形態の汚染からパターニングデバイスを保護するため、ペリクルを提供することができる。パターニングデバイスの表面上の汚染は、基板上に製造欠陥を引き起こす可能性がある。
【０００６】
[0006] ペリクルは、パターニングデバイス以外の光学コンポーネントを保護するためにも提供することができる。また、ペリクルを用いて、相互に密閉されたリソグラフィ装置の領域間にリソグラフィ放射のための通路を提供できる。ペリクルは、スペクトル純度フィルタのようなフィルタとしても使用することができる。
【０００７】
[0007] 既知のペリクルは例えば、シリコン膜、窒化シリコン、グラフェンもしくはグラフェン誘導体、カーボンナノチューブ、又は他の膜材料のような、自立膜（freestanding membrane）を含み得る。マスクアセンブリは、パターニングデバイス（例えばマスク）を粒子汚染から保護するペリクルを含むことができる。ペリクルをペリクルフレームによって支持することで、ペリクルアセンブリを形成できる。ペリクルは、例えばペリクル境界領域をフレームにのり付けすることでフレームに取り付ければよい。フレームは、永続的に又は着脱可能にパターニングデバイスに取り付けることができる。
【０００８】
[0008] 使用中、リソグラフィ装置におけるペリクルの温度は、約５００℃から１０００℃の間のいずれか又はそれ以上に上昇する。こういった高温はペリクルに損傷を与える可能性がある。従って、ペリクルの動作温度を低下させてペリクル寿命を改善するため、熱を放散する手法を改良することが望まれている。
【０００９】
[0009] これを達成しようとする１つの手法は、例えばルテニウムフィルムのような薄い金属フィルム（コーティング層）をペリクルに適用することである。金属フィルムは、ペリクルの放射率を上昇させることでペリクルからの熱の放出率を上げ、これにより、ペリクルの熱放出率と熱吸収率が同一となる平衡温度を低下させる。金属層は、例えばシリコンウェーハであるペリクルのコアの面上に設けられる。
【００１０】
[00010] ペリクルはＥＵＶ放射ビームの光路内に存在するので、ペリクルにはできる限り粒子がないことが必要である。その理由は、粒子の存在がウェーハに結像欠陥を発生させ、またペリクル上にホットスポットも発生させて、最終的にペリクルの早期故障を引き起こし得るからである。コア及びコーティング層を含むペリクルを調製する既存の方法では、比較的多数の粒子が発生し、これがペリクルの表面を汚染させる恐れがある。
（【００１１】以降は省略されています）

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