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公開番号2025051593
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2024098580
出願日2024-06-19
発明の名称基板処理装置および基板処理装置の製造方法
出願人セメス株式会社,SEMES CO., LTD.
代理人IBC一番町弁理士法人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250327BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】支持ユニットの温度均一度を向上させる基板処理装置および基板処理装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理空間に設けられ、前記基板を支持する支持ユニットを含み、前記支持ユニットは、第1熱伝導度を有して凹溝が形成されたパック230aおよび前記凹溝に設けられ、前記第1熱伝導度と異なる第2熱伝導度を有するブロック230bを含む支持チャック230を有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基板を処理する処理空間に設けられ、前記基板を支持する支持ユニットを含み、
前記支持ユニットは、
第１熱伝導度を有して凹溝が形成されたパック；および
前記凹溝に設けられ、前記第１熱伝導度と異なる第２熱伝導度を有するブロックを含む、基板処理装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第２熱伝導度は前記第１熱伝導度より高い熱伝導度を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１熱伝導度は前記第２熱伝導度より低い熱伝導度を有するアルミナ成分比で形成される、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ブロックは、
第１厚さを有する第１ブロック体と、前記第１厚さより大きい第２厚さを有する第２ブロック体を含む、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板は、第１温度を有する第１基板領域と、前記第１温度より高い第２温度を有する第２基板領域と、前記第２温度より高い第３温度を有する第３基板領域を含み、
前記パックの露出面は前記第１基板領域と対向し、
前記第１ブロック体は前記第２基板領域に対向し、
前記第２ブロック体は前記第３基板領域に対向する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記支持ユニットは、前記基板に熱伝達媒体が供給されるように前記支持ユニットを貫通する第１循環流路が形成され、
前記第１循環流路は、
前記熱伝達媒体の圧力が第１流体圧で経由するか吐出される第１熱伝達媒体流路；および
前記熱伝達媒体の圧力が前記第１流体圧と異なる第２流体圧で経由するか吐出される第２熱伝達媒体流路を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記支持ユニットは、
前記第１熱伝達媒体流路の出口が形成された第１ゾーンと、前記第２熱伝達媒体流路の出口が形成された第２ゾーンが形成される、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１熱伝達媒体流路と連通され、前記第１流体圧で前記熱伝達媒体を供給する第１熱伝達媒体供給ユニット；および
前記第２熱伝達媒体流路と連通され、前記第２流体圧で前記熱伝達媒体を供給する第２熱伝達媒体供給ユニットをさらに含む、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理空間が形成されるチャンバ；および
前記パックの下部に設けられ、アルミニウム材質で提供され、温度調節流体が移動する第２循環流路が形成されたボディをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理空間にプロセスガスを供給するガス供給ユニット；および
前記処理空間の上部に設けられ、前記ガス供給ユニットから供給された前記プロセスガスを前記処理空間に噴射するシャワーヘッドをさらに含む、請求項９に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置および基板処理装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体を製造する工程は半導体ウェハ（以下、基板という）上に膜を形成するための蒸着工程と、膜を平坦化するための化学的／機械的研磨工程と、膜上にフォトレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程と、フォトレジストパターンを用いて膜を電気的な特性を有するパターンに形成するためのエッチング工程と、基板の所定領域に特定のイオンを注入するためのイオン注入工程と、基板上の不純物を除去するための洗浄工程と、膜またはパターンが形成された基板の表面を検査するための検査工程などを含む。
【０００３】
エッチング工程は基板上にフォトリソグラフィ工程により形成されたフォトレジストパターンの露出領域を除去するための工程である。エッチング工程の種類は、乾式エッチング（ｄｒｙｅｔｃｈｉｎｇ）と湿式エッチング（ｗｅｔｅｔｃｈｉｎｇ）に分けることができる。
【０００４】
乾式エッチング工程はエッチング工程が行われる密閉された内部空間に所定間隔離隔して設置された上部電極および下部電極に高周波電力を印加して電場を形成し、密閉空間の内部に供給された反応ガスに電場を加えて反応ガスを活性化させてプラズマ状態にした後、プラズマ内のイオンが下部電極上に位置した基板をエッチングを行うようにする。
【０００５】
この時、基板の上面全体においてプラズマを均一に形成する必要がある。基板の上面全体においてプラズマを均一に形成するためにリングアセンブリが備えられる。リングアセンブリは基板を支持する支持ユニットの縁を囲むように設置される。
【０００６】
そして、基板は領域によって温度が不均一であり得、温度が不均一な場合は基板収率不良の問題が発生し得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、支持ユニットの温度均一度が向上できる基板処理装置および基板処理装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を達成するための本発明の基板処理装置の一態様（ａｓｐｅｃｔ）は、基板を処理する処理空間に設けられ、前記基板を支持する支持ユニットを含み、前記支持ユニットは、第１熱伝導度を有して凹溝が形成されたパック、および前記凹溝に設けられ、前記第１熱伝導度と異なる第２熱伝導度を有するブロックを含む、基板処理装置。
【００１０】
前記他の課題を達成するための本発明の基板処理装置の製造方法の一態様は、プラズマエッチング工程をなす基板処理装置の製造方法において、基板を処理する処理空間に設けられ、前記基板を支持する支持チャックを提供する段階を含み、前記支持チャックを提供する段階は、第１熱伝導度を有するパックを準備する段階、前記パックに凹溝を加工する段階、および前記凹溝に前記第１熱伝導度より高い第２熱伝導度を有するアルミナ成分比のパウダーを提供する段階を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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