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公開番号2025051143
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023160093
出願日2023-09-25
発明の名称基板処理方法と基板処理装置
出願人株式会社SCREENホールディングス
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/306 20060101AFI20250328BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板を適切に処理できる基板処理方法と基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、基板処理方法と基板処理装置に関する。基板処理方法は、基板Wを処理するためのものである。基板Wは、第1層Eと第2層Fと第3層Gを含む。第3層Gは、第1層Eと第2層Fの間に位置する。第1層Eは、面E1を有する。面E1は、第3層Gと面接触する。第2層Fは、面F1を有する。面F1は、第3層Gと面接触する。第1層Eは、第3層Gの組成とは異なる組成を有する。第2層Fは、第3層Gの組成とは異なる組成を有する。基板処理方法は、サイクル工程を備える。サイクル工程は、膜形成工程とエッチング工程を含む。膜形成工程では、第1層Eと第2層Fに自己組織化単分子膜Pが形成される。エッチング工程では、基板Wにエッチング液Rが供給されて、第3層Gはエッチングされる。サイクル工程は、2回以上、繰り返される。
【選択図】図19
特許請求の範囲【請求項１】
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板は、
第１層と、
第２層と、
前記第１層と前記第２層の間に位置する第３層と、
を含み、
前記第１層は、前記第３層と面接触する第１面を有し、
前記第２層は、前記第３層と面接触する第２面を有し、
前記第１層は、前記第３層の組成とは異なる組成を有し、
前記第２層は、前記第３層の組成とは異なる組成を有し、
前記基板処理方法は、
サイクル工程と、
を備え、
前記サイクル工程は、
前記第１層と前記第２層に自己組織化単分子膜を形成する膜形成工程と、
前記基板にエッチング液を供給し、前記第３層をエッチングするエッチング工程と、
を含み、
前記サイクル工程は、２回以上、繰り返される
基板処理方法。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、
１回の前記サイクル工程における１回の前記エッチング工程の時間は、前記第１層のエッチングレートおよび前記第２層のエッチングレートの少なくともいずれかに依存する
基板処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記自己組織化単分子膜は、前記第１面と前記第２面の間の離隔距離の半分よりも小さい厚さを有する
基板処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記自己組織化単分子膜は、
前記第１層に形成される第１自己組織化単分子膜と、
前記第２層に形成される第２自己組織化単分子膜と、
を含む
基板処理方法。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記膜形成工程では、前記基板に保護液が供給され、
前記保護液は、前記自己組織化単分子膜の材料を含む
基板処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理方法において、
前記保護液は、さらに、トルエンを含む
基板処理方法。
【請求項７】
請求項５に記載の基板処理方法において、
前記サイクル工程は、
前記基板に第１置換液を供給する第１置換工程と、
を含み、
前記第１置換工程は、前記膜形成工程の前に実行される
基板処理方法。
【請求項８】
請求項５に記載の基板処理方法において、
前記サイクル工程は、
前記基板に第２置換液を供給する第２置換工程と、
を含み、
前記第２置換工程は、前記膜形成工程の後で、かつ、前記エッチング工程の前に実行される
基板処理方法。
【請求項９】
請求項５に記載の基板処理方法において、
前記サイクル工程は、
前記基板を乾燥する第１乾燥工程と、
を含み、
前記第１乾燥工程は、前記膜形成工程の後で、かつ、前記エッチング工程の前に実行される
基板処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理方法において、
前記サイクル工程は、
前記基板に第１リンス液を供給する第１リンス工程と、
を含み、
前記第１リンス工程は、前記膜形成工程の後で、かつ、前記第１乾燥工程の前に実行される
基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法と基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、および、太陽電池用基板のいずれかである。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、基板を処理する基板処理方法を開示する。具体的には、基板処理方法は、基板をエッチングするためのものである。基板は、被保護層と被エッチング層を含む。
【０００３】
エッチング方法は、膜形成工程とエッチング工程を備える。膜形成工程では、被保護層に自己組織化単分子膜が形成される。エッチング工程では、基板にエッチング液が供給され、被エッチング層がエッチングされる。エッチング工程では、被保護層は、自己組織化単分子膜で保護される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１３－０６２２７８公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の基板処理方法であっても、基板を適切に処理することが困難な場合がある。例えば、被エッチング層が２つの被保護層の間のスペースに配置されることがある。この場合、被エッチング層のエッチングレートは、低い。特に、被エッチング層が配置されるスペースが狭いとき、被エッチング層のエッチングレートは著しく低い。
【０００６】
被エッチング層のエッチングレートが低いとき、エッチング工程は、より長い時間を要する。エッチング工程の時間が長いとき、被保護層をエッチング液から保護することは難しい。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を適切に処理できる基板処理方法と基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板を処理する基板処理方法であって、前記基板は、第１層と、第２層と、前記第１層と前記第２層の間に位置する第３層と、を含み、前記第１層は、前記第３層と面接触する第１面を有し、前記第２層は、前記第３層と面接触する第２面を有し、前記第１層は、前記第３層の組成とは異なる組成を有し、前記第２層は、前記第３層の組成とは異なる組成を有し、前記基板処理方法は、サイクル工程と、を備え、前記サイクル工程は、前記第１層と前記第２層に自己組織化単分子膜を形成する膜形成工程と、前記基板にエッチング液を供給し、前記第３層をエッチングするエッチング工程と、を含み、前記サイクル工程は、２回以上、繰り返される基板処理方法である。
【０００９】
基板処理方法は、基板を処理するためのものである。基板は、第１層と第２層と第３層を含む。第３層は、第１層と第２層の間に位置する。第１層は、第１面を有する。第１面は、第３層と面接触する。第２層は、第２面を有する。第２面は、第３層と面接触する。第１層は、第３層の組成とは異なる組成を有する。第２層は、第３層の組成とは異なる組成を有する。
【００１０】
基板処理方法は、サイクル工程を備える。サイクル工程は、膜形成工程とエッチング工程を含む。膜形成工程では、第１層と第２層に自己組織化単分子膜が形成される。エッチング工程では、基板にエッチング液が供給されて、第３層はエッチングされる。
（【００１１】以降は省略されています）

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