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公開番号2025047159
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023155486
出願日2023-09-21
発明の名称半導体装置、及び、回路基板、並びに、半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H01L 23/12 20060101AFI20250326BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】回路基板に形成された配線間の予期せぬショートを防止することができる、半導体装置、及び、回路基板、並びに、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】対向する第1表面2sと第2表面2bとを有する回路基板2と、第1表面2s上に設けられたメモリチップ3と、第1表面2s上に設けられたパッド80と半田41を介して接続されたコンデンサ4と、第1表面2sとメモリチップ3とコンデンサ4の表面とを覆う封止樹脂と、第2表面2b上に設けられた半田ボール5と、を備える半導体装置1であって、パッド80の周縁の少なくとも一部に沿って、第1表面2sにトレンチTTが形成されており、トレンチTTの内壁にメッキ層100が形成されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１面と前記第１面に対して反対側にある第２面とを有する回路基板と、前記回路基板の前記第１面上に設けられた半導体チップと、前記回路基板の前記第１面上に設けられた電極と半田を介して接続された受動部品と、前記回路基板の前記第１面と前記半導体チップ及び前記受動部品の表面とを覆う封止樹脂と、前記回路基板の前記第２面上に設けられた外部機器接続用端子と、
を備える半導体装置であって、
前記電極の周縁の少なくとも一部に沿って、前記第１面にトレンチが形成されており、
前記トレンチの内壁にメッキ層が形成されている、半導体装置。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
前記第１面上には２つの前記電極が設けられており、
前記２つの電極の間に前記トレンチが形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記受動部品は、２つの外部電極を備えるコンデンサであり、
前記２つの電極は、前記２つの外部電極のそれぞれと接続されている、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記メッキ層は、前記半田に対するぬれ性が低い金属材料で形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属材料はニッケルである、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記トレンチは、深さが深くなるにつれて幅が狭くなるように形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記トレンチの内壁に前記半田が付着している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
第１面と前記第１面に対して反対側にある第２面とを有し、受動部品と電気的に接続可能な電極が前記第１面に形成された回路基板であって、
前記電極の周縁の少なくとも一部に沿って、前記第１面にトレンチが形成されており、
前記トレンチの内壁にメッキ層が形成されている、回路基板。
【請求項９】
前記第１面上には２つの前記電極が設けられており、
前記２つの電極の間に前記トレンチが形成されている、
請求項８に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記第１面と前記第２面との間に内部回路が形成されており、
前記トレンチの深さは前記第１面から前記内部回路までの深さよりも浅い、
請求項８に記載の回路基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置、及び、回路基板、並びに、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体チップとともにコンデンサなどの受動部品が回路基板に設けられた半導体装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２００７／０１７６３０３号明細書
米国特許出願公開第２００９／００７１７００号明細書
米国特許出願公開第２００５／０２２４９３４号明細書
米国特許出願公開第２００５／００２９６６６号明細書
米国特許出願公開第２００５／００１７７４０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態は、回路基板に形成された配線間の予期せぬショートを防止することができる、半導体装置、及び、回路基板、並びに、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態の半導体装置は、第１面と前記第１面に対して反対側にある第２面とを有する回路基板と、前記回路基板の前記第１面上に設けられた半導体チップと、前記回路基板の前記第１面上に設けられた電極と半田を介して接続された受動部品と、前記回路基板の第１面と前記半導体チップ及び前記受動部品の表面とを覆う封止樹脂と、前記配線基板の前記第２面上に設けられた外部機器接続用端子と、を備える。前記電極の周縁の少なくとも一部に沿って、前記第１面にトレンチが形成されており、前記トレンチの内壁にメッキ層が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態の半導体装置の一例を説明する断面図である。
回路基板に搭載されるメモリチップ及びコンデンサの配置の一例を説明する図である。
実施形態の回路基板の一例を説明する断面図である。
図３に示す回路基板の製造工程を説明する図である。
図３に示す回路基板の製造工程を説明する図である。
図３に示す回路基板の製造工程を説明する図である。
図３に示す回路基板の製造工程を説明する図である。
図３に示す回路基板の製造工程を説明する図である。
図３に示す回路基板の製造工程を説明する図である。
図３に示す回路基板の製造工程を説明する図である。
図３に示す回路基板の製造工程を説明する図である。
図３に示す回路基板の製造工程を説明する図である。
実施形態の回路基板の別の一例を説明する断面図である。
実施形態の半導体装置の製造工程の一例を説明するフローチャートである。
図２の点線で囲まれた矩形領域Ｂを拡大した平面図である。
図７Ａに示す回路基板のＣ－Ｃ'線に沿った断面図である。
図７Ａに示す回路基板のＤ－Ｄ'に沿った断面図である。
図７Ａに示す回路基板のＣ－Ｃ'線に沿った断面図であり、リフロー処理後の断面を示している。
図７Ａに示す回路基板のＣ－Ｃ'線に沿った別の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
【０００８】
以下の説明では、直交座標系の一例であるＸＹＺ座標系を用いる。すなわち、半導体装置１を構成する回路基板２の表面と平行な平面をＸＹ平面とし、ＸＹ平面と直交する方向をＺ軸とする。また、Ｘ軸とＹ軸は、ＸＹ平面内における直交する２方向とする。なお、以下においては、説明の便宜上、配線基板の上下方向は、Ｚ軸正方向側（半導体チップが設けられる面）を上側とする相対的な上下関係を用いて説明するが、鉛直方向に従った上下関係を表すものではない。
【０００９】
図１は、実施形態の半導体装置の一例を説明する断面図である。なお、図１は実施形態の半導体装置の断面構造を模式的に示すものであり、構成要素間の比率は実際の比率とは異なる。実施形態の半導体装置１は、例えば、配線基板上に搭載された半導体チップや受動部品などをモールド樹脂で封止してなる半導体パッケージである。半導体装置１は、回路基板２と、半導体チップとしてのＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ（以下、メモリチップと示す）３と、受動部品としてのコンデンサ４と、半田ボール５と、モールド樹脂６とを備えている。モールド樹脂６は、封止樹脂の一例である。なお、半導体装置１は、抵抗素子やコイルなど、コンデンサ４以外の受動部品を備えてもよい。また、半導体装置１は、コントローラチップなど、メモリチップ３以外の半導体チップを備えてもよい。
【００１０】
回路基板２は、例えば表面や内部に配線層が設けられた絶縁樹脂回路基板やセラミックス回路基板などである。回路基板２は、第１表面２ｓと第２表面２ｂとを備える。第１表面２ｓには、メモリチップ３、コンデンサ４が設けられている。メモリチップ３は、フィルム状接着剤３１を介して第１表面２ｓに物理的に接着されている。フィルム状接着剤３１は、熱硬化性樹脂（例えばエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、または、これらを混合した樹脂）を含有する樹脂接着成分を含む、非導電性のテープ状接着剤である。フィルム状接着剤３１は、熱及び荷重を加えることにより、その上下に貼付された物体を密着させる。メモリチップ３は、導電性ワイヤ３３などを用いて、回路基板２に設けられたパッド３２を介して配線層と電気的に接続されている。コンデンサ４は、半田４１を介して、回路基板２の第１表面２ｓに設けられたパッド８０と物理的かつ電気的に接続されている。半田４１は、無鉛半田が用いられる。例えば、Ｓｎ（錫）を主成分とし、Ａｇ（銀）やＣｕ（銅）を添加した成分構成（Ｓｕ－Ａｇ－Ｃｕ）を有する。また、半田４１は、Ｓｎを主成分とする構成の場合、Ｂｉ（ビスマス）添加した成分構成（Ｓｎ－Ｂｉ）や、Ｚｎ（亜鉛）を添加した成分構成（Ｓｎ－Ｚｎ）、Ａｇを添加した成分構成（Ｓｎ－Ａｇ）を有するものでもよい。第２表面２ｂには、ＢＧＡパッケージ用の外部端子としての半田ボール５が形成されている。半田ボール５は、外部機器接続用端子の一例である。半田ボール５は、回路基板２の第２表面２ｂに設けられたランド９０と物理的かつ電気的に接続されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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