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公開番号2025043546
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-01
出願番号2023150890
出願日2023-09-19
発明の名称基板処理装置、および、基板処理方法
出願人株式会社SCREENホールディングス
代理人個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250325BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本願明細書に開示される技術は、基板処理において、電解セルへのダメージを抑制する技術である。
【解決手段】本願明細書に開示される技術に関する基板処理装置は、基板処理部と、供給タンクと、生成部と、回収部と、生成部で生成された処理液を供給タンクへ供給する第1の供給経路と、生成部で生成された処理液を回収部へ供給する第2の供給経路とを備え、回収部が、第2の供給経路を介して供給された処理液を混合させた後の処理後液を、生成部へ供給する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
処理液を用いて基板を処理するための基板処理部と、
前記基板処理部へ供給する前記処理液を貯留するための供給タンクと、
電気分解によって前記処理液を生成するための生成部と、
前記基板処理部に供給された前記処理液である処理後液を回収して、前記生成部へ供給するための回収部と、
前記生成部で生成された前記処理液を前記供給タンクへ供給するための第１の供給経路と、
前記生成部で生成された前記処理液を前記回収部へ供給するための、前記第１の供給経路とは異なる経路である第２の供給経路とを備え、
前記回収部が、前記第２の供給経路を介して供給された前記処理液を混合させた後の前記処理後液を、前記生成部へ供給する、
基板処理装置。
続きを表示（約 980 文字）【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であり、
前記回収部における前記処理後液の液量を測定し、測定結果を出力する第１の測定部をさらに備え、
前記生成部が、前記測定結果に基づいて、前記回収部へ供給する前記処理液の流量を制御する、
基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であり、
前記生成部が、前記処理後液および生成された前記処理液を、電気分解によって前記処理液を生成するための温度である電解温度に調整するための第１の温度調整部を備える、
基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の基板処理装置であり、
前記回収部が、前記処理後液を、電気分解によって前記処理液を生成するための温度である電解温度に調整するための第２の温度調整部を備える、
基板処理装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の基板処理装置であり、
前記回収部における前記処理後液のＴＯＣ濃度を測定し、測定結果を出力する第２の測定部をさらに備え、
前記生成部が、前記測定結果に基づいて、前記回収部へ供給する前記処理液の流量を制御する、
基板処理装置。
【請求項６】
処理液を用いて基板を処理するための基板処理方法であり、
供給タンクに、基板処理部へ供給する前記処理液を貯留する工程と、
前記基板処理部において、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程と、
前記基板処理部に供給された前記処理液である処理後液を回収部に回収して、さらに、生成部へ供給する工程と、
前記生成部において電気分解によって前記処理後液を含む液から前記処理液を生成する工程とを備え、
前記生成部で生成された前記処理液を前記供給タンクへ供給するための第１の供給経路と、
前記生成部で生成された前記処理液を前記回収部へ供給するための、前記第１の供給経路とは異なる経路である第２の供給経路とを備え、
前記処理後液を前記生成部へ供給する工程が、前記第２の供給経路を介して供給された前記処理液を混合させた後の前記処理後液を、前記生成部へ供給する工程である、
基板処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本願明細書に開示される技術は、基板処理技術に関するものである。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔｐａｎｅｌｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ（ｆｉｅｌｄｅｍｉｓｓｉｏｎｄｉｓｐｌａｙ、すなわち、ＦＥＤ）用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来から、基板処理には硫酸と過酸化水素水との混合溶液（ＳＰＭ）などが処理液として用いられている（たとえば、特許文献１を参照）。ＳＰＭは、硫酸に過酸化水素水を混合させることによって酸化力を生じさせる処理液であり、主に、基板の上面に形成されたレジストの除去などの基板処理に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－１６３９７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方で、多量の排液が生じるＳＰＭを処理液として用いる代わりに、電解硫酸を基板処理の処理液として用いることができる。電解硫酸は、基板処理に用いられた後でも再び電気分解することで再度処理液として用いることができるため、排液量を減少させることができる。
【０００５】
しかしながら、基板処理に用いられた後の電解硫酸を再び電気分解する際に、基板処理によって生じたレジストなどが液中に残留していると、電解セルにダメージを与えて損耗させるという問題がある。
【０００６】
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、基板処理において、電解セルへのダメージを抑制するための技術である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願明細書に開示される技術の第１の態様である基板処理装置は、処理液を用いて基板を処理するための基板処理部と、前記基板処理部へ供給する前記処理液を貯留するための供給タンクと、電気分解によって前記処理液を生成するための生成部と、前記基板処理部に供給された前記処理液である処理後液を回収して、前記生成部へ供給するための回収部と、前記生成部で生成された前記処理液を前記供給タンクへ供給するための第１の供給経路と、前記生成部で生成された前記処理液を前記回収部へ供給するための、前記第１の供給経路とは異なる経路である第２の供給経路とを備え、前記回収部が、前記第２の供給経路を介して供給された前記処理液を混合させた後の前記処理後液を、前記生成部へ供給する。
本願明細書に開示される技術の第２の態様である基板処理装置は、第１の態様である基板処理装置に関連し、前記回収部における前記処理後液の液量を測定し、測定結果を出力する第１の測定部をさらに備え、前記生成部が、前記測定結果に基づいて、前記回収部へ供給する前記処理液の流量を制御する。
本願明細書に開示される技術の第３の態様である基板処理装置は、第１または２の態様である基板処理装置に関連し、前記生成部が、前記処理後液および生成された前記処理液を、電気分解によって前記処理液を生成するための温度である電解温度に調整するための第１の温度調整部を備える。
本願明細書に開示される技術の第４の態様である基板処理装置は、第１から３のうちのいずれか１つの態様である基板処理装置に関連し、前記回収部が、前記処理後液を、電気分解によって前記処理液を生成するための温度である電解温度に調整するための第２の温度調整部を備える。
本願明細書に開示される技術の第５の態様である基板処理装置は、第１から４のうちのいずれか１つの態様である基板処理装置に関連し、前記回収部における前記処理後液のＴＯＣ濃度を測定し、測定結果を出力する第２の測定部をさらに備え、前記生成部が、前記測定結果に基づいて、前記回収部へ供給する前記処理液の流量を制御する。
本願明細書に開示される技術の第６の態様である基板処理方法は、処理液を用いて基板を処理するための基板処理方法であり、供給タンクに、基板処理部へ供給する前記処理液を貯留する工程と、前記基板処理部において、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程と、前記基板処理部に供給された前記処理液である処理後液を回収部に回収して、さらに、生成部へ供給する工程と、前記生成部において電気分解によって前記処理後液を含む液から前記処理液を生成する工程とを備え、前記生成部で生成された前記処理液を前記供給タンクへ供給するための第１の供給経路と、前記生成部で生成された前記処理液を前記回収部へ供給するための、前記第１の供給経路とは異なる経路である第２の供給経路とを備え、前記処理後液を前記生成部へ供給する工程が、前記第２の供給経路を介して供給された前記処理液を混合させた後の前記処理後液を、前記生成部へ供給する工程である。
【発明の効果】
【０００８】
本願明細書に開示される技術の少なくとも第１、６の態様によれば、生成タンクから処理液を供給することによって液中に残留するレジストなどの分解を促進させることができる。よって、当該処理後液を電解セルへ供給して、電気分解の際の電解セルへのダメージを減少させることができる。
【０００９】
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
実施の形態に関する基板処理装置の構成の例を示す図である。
図１に例が示された制御部の構成の例を概念的に示す図である。
実施の形態に関する基板処理装置における、処理ユニットおよび関連する構成の例を概略的に示す図である。
吐出ノズルの内部構造の例を示す断面図である。
吐出ノズルの循環状態における基板処理装置の構成の例を示す図である。
吐出ノズルの吐出状態における基板処理装置の構成の例を示す図である。
吐出ノズルの吐出状態において、回収タンクに処理後液を循環させる場合の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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