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公開番号2025043499
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-01
出願番号2023150808
出願日2023-09-19
発明の名称半導体記憶装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H01L 23/04 20060101AFI20250325BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】一実施形態は、半導体記憶装置の製造性の向上を図る。
【解決手段】一実施形態の半導体記憶装置は、基板と、半導体メモリと、コントローラと、電子部品とを備える。前記基板は、第1方向に延びた第1面と、前記第1面とは反対側に位置した第2面と、前記基板の厚さ方向である第2方向に延びた第3面と、前記第3面に設けられて前記第2方向に延びた第1窪みと、前記第1窪みの内面に設けられた第1導電部とを有する。前記電子部品は、部品本体と、前記部品本体から突出した第1リードとを有する。前記第1リードは、前記部品本体から前記第1窪みに向けて突出した第1部分と、前記第1部分から折り曲げられて前記第1窪みの内面に沿って延びた第2部分とを有し、前記第1方向から見た場合に前記第1部分の少なくとも一部が前記第1窪みと重なる状態で、前記第2部分が前記第1導電部に固定されている。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられた半導体メモリと、
前記基板に設けられ、前記半導体メモリを制御するコントローラと、
前記基板と電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記基板は、前記基板の厚さ方向とは交差した第１方向に延びた第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、前記基板の厚さ方向である第２方向に延びて前記第１面と前記第２面とに亘る第３面と、前記第３面に設けられて前記第２方向に延びた第１窪みと、前記第１窪みの内面に設けられた第１導電部とを有し、
前記電子部品は、前記第１方向から見た場合に前記第３面と重なる部品本体と、前記部品本体から突出した第１リードとを有し、
前記第１リードは、前記部品本体から前記第１窪みに向けて突出した第１部分と、前記第１部分から折り曲げられて前記第１窪みの内面に沿って延びた第２部分とを有し、前記第１方向から見た場合に前記第１部分の少なくとも一部が前記第１窪みと重なる状態で、前記第２部分が前記第１導電部に固定されている、
半導体記憶装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１窪みの内面は、前記第２方向から見た場合に、前記部品本体から離れる方向に円弧状に窪んだ円弧部を含み、
前記第２部分は、前記第２方向に延びた円柱状であり、
前記第２部分の周面は、前記円弧部に面する、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記第１窪みの内部に設けられた導電性の接合部をさらに備え、
前記第２部分は、前記接合部によって前記第１導電部に固定されている、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第２部分は、前記第２方向に延びた円柱状であり、
前記第１窪みの前記第１方向の深さは、前記第２部分の直径よりも大きく、
前記接合部の一部は、前記第１導電部とは反対側から前記第２部分に接する、
請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記部品本体の前記第２方向の中心は、前記第１方向から見た場合に前記第３面と重なる、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記基板は、前記第３面において前記第１窪みとは異なる位置に設けられて前記第２方向に延びた第２窪みと、前記第２窪みの内面に設けられた第２導電部とをさらに有し、
前記電子部品は、前記部品本体から突出した第２リードをさらに有し、
前記第２リードは、前記部品本体から前記第２窪みに向けて突出した第３部分と、前記第３部分から折り曲げられて前記第２窪みの内面に沿って延びた第４部分とを有し、前記第１方向から見た場合に前記第３部分の少なくとも一部が前記第２窪みと重なる状態で、前記第４部分が前記第２導電部に固定されている、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記基板は、開口または切欠きである空間部を有し、
前記部品本体は、前記空間部に配置されている、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記基板に取り付けられ、前記電子部品を支持する支持部品をさらに備え、
前記支持部品は、前記第１面に接する第１基部と、前記部品本体を支持した支持部とを有する、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記第１基部は、前記第１面に固定されている、
請求項８に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記支持部品は、前記第３面に接する第２基部をさらに有した、
請求項８に記載の半導体記憶装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
貫通穴を有した基板と、上記貫通穴に挿入されるリードを有した電子部品とを備えた半導体記憶装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０２２／００８７０７２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一実施形態は、半導体記憶装置の製造性の向上を図る。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態の半導体記憶装置は、基板と、半導体メモリと、コントローラと、電子部品とを備える。前記半導体メモリは、前記基板に設けられている。前記コントローラは、前記基板に設けられ、前記半導体メモリを制御する。前記電子部品は、前記基板と電気的に接続されている。前記基板は、前記基板の厚さ方向とは交差した第１方向に延びた第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、前記基板の厚さ方向である第２方向に延びて前記第１面と前記第２面とに亘る第３面と、前記第３面に設けられて前記第２方向に延びた第１窪みと、前記第１窪みの内面に設けられた第１導電部とを有する。前記電子部品は、前記第１方向から見た場合に前記第３面と重なる部品本体と、前記部品本体から突出した第１リードとを有する。前記第１リードは、前記部品本体から前記第１窪みに向けて突出した第１部分と、前記第１部分から折り曲げられて前記第１窪みの内面に沿って延びた第２部分とを有し、前記第１方向から見た場合に前記第１部分の少なくとも一部が前記第１窪みと重なる状態で、前記第２部分が前記第１導電部に固定されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態の半導体記憶装置を示す斜視図。
第１実施形態の半導体記憶装置を一部分解して示す斜視図。
第１実施形態のコンデンサを示す図。
第１実施形態の基板の一部を示す斜視図。
図４に示された基板の一部のＦ５－Ｆ５線に沿う断面図。
第１実施形態の基板とコンデンサの位置関係を説明するための図。
図１に示された半導体記憶装置のＦ７－Ｆ７線に沿う断面図。
第１実施形態の第１変形例の半導体記憶装置を一部分解して示す斜視図。
第１実施形態の第２変形例の半導体記憶装置を示す断面図。
第１実施形態の第３変形例の半導体記憶装置を一部分解して示す斜視図。
図１０に示された半導体記憶装置のＦ１１－Ｆ１１線に沿う断面図。
第２実施形態の基板ユニットの一部を示す斜視図。
第２実施形態の基板ユニットの一部を別の角度から示す斜視図。
第２実施形態の基板ユニットを一部分解して示す斜視図。
第２実施形態の支持部品を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態の半導体記憶装置を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。本出願で「平行」、「直交」、または「同じ」とは、それぞれ、「略平行」、「略直交」、または「略同じ」である場合を含み得る。本出願で「重なる」とは、２つの対象物の仮想的な投影像同士が重なることを意味する。すなわち「重なる」とは、２つの対象物が接する場合に限定されず、２つの対象物が接しない場合（例えば２つの対象物の間に空間または別部材が存在する場合）も含み得る。本出願で「固定される」とは、２つの対象物が直接に固定される場合に限定されず、別の部材を間に介在させて２つの対象物が固定される場合も含み得る。本出願で「接続」とは、機械的な接続に限定されず、電気的な接続も含み得る。すなわち「接続」とは、対象物と直接に接続される場合に限定されず、別の部材を間に介在させて対象物と接続される場合も含み得る。
【０００８】
本出願では、＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向、および－Ｚ方向は、以下のように定義される。＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、および－Ｙ方向は、後述する基板２１の第１面２１ａ（図２参照）と平行な方向である。＋Ｘ方向は、後述する筐体１０の第２端部１０ｂから第１端部１０ａに向かう方向である（図１参照）。－Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対の方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および－Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｙ方向は、後述する筐体１０の第４端部１０ｄから第３端部１０ｃに向かう方向である（図１参照）。－Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対の方向である。＋Ｙ方向と－Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向および－Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向であり、基板２１の厚さ方向である。＋Ｚ方向は、基板２１から筐体１０の第１主壁１１に向かう方向である（図２参照）。－Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対の方向である。＋Ｚ方向と－Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。Ｘ方向は、「第１方向」の一例である。Ｚ方向は、「第２方向」の一例である。＋Ｚ方向側は、「第１側」の一例である。－Ｚ方向側は、「第２側」の一例である。
【０００９】
（第１実施形態）
＜１．半導体記憶装置の全体構成＞
図１から図７を参照し、第１実施形態の半導体記憶装置１について説明する。半導体記憶装置１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のようなストレージデバイスである。半導体記憶装置１は、ホスト機器に取り付けられ、ホスト機器の記憶装置として使用される。ホスト機器は、パーソナルコンピュータ、モバイル機器、ビデオレコーダ、または車載機器などであるが、これらの例には限定されない。
【００１０】
図１は、半導体記憶装置１を示す斜視図である。半導体記憶装置１は、例えば、筐体１０と、基板ユニット２０とを有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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