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公開番号2025051228
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023160241
出願日2023-09-25
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/02234 20210101AFI20250328BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】レーザ光の放射パターン特性を改善すること。
【解決手段】半導体発光装置10は、レーザ光が出射される素子表面21を含む面発光レーザ素子20と、面発光レーザ素子20を封止するものであって、第1樹脂表面71を有する透光性の第1樹脂部70と、Z方向において素子表面21と対向する第1樹脂表面71に少なくとも一部が形成され、第1樹脂部70とは異なる第2樹脂部80と、を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
レーザ光が出射される素子表面を含む面発光レーザ素子と、
前記面発光レーザ素子を封止するものであって、第１樹脂表面を有する透光性の第１樹脂部と、
前記素子表面に垂直な方向において前記素子表面と対向する前記第１樹脂表面に少なくとも一部が形成され、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部と、
を含む、半導体発光装置。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記第２樹脂部は、前記第１樹脂部よりも光の反射率が高い
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１樹脂表面は、前記面発光レーザ素子に向けて凹となるように湾曲している
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１樹脂部は、拡散材を含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第１樹脂部は、第１拡散材を含み、
前記第２樹脂部は、第２拡散材を含み、
前記第２樹脂部における前記第２拡散材の濃度は、前記第１樹脂部における前記第１拡散材の濃度よりも高い
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記第１樹脂部は、第１拡散材を含み、
前記第２樹脂部は、第２拡散材を含み、
前記第２拡散材の粒径は、前記第１拡散材の粒径よりも小さい
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第２樹脂部における前記第２拡散材の濃度は、前記第１樹脂部における前記第１拡散材の濃度よりも高い
請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第２樹脂部は、前記第１樹脂表面の全体にわたり覆っている
請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記第２樹脂部は、反射材によって構成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記第２樹脂部は、前記反射材として白色の樹脂材料によって構成されている
請求項９に記載の半導体発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、様々な電子機器に搭載される光源装置として、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を備える半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－４１８６６号公報
【０００４】
［概要］
ところで、従来の半導体発光装置では、ＬＥＤ素子が用いられるため、光源の高出力化に対応することが困難である。そこで、ＬＥＤ素子に代えて、例えば垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などの面発光レーザ素子によって高出力化に対応することが考えられる。この場合、半導体発光装置から出射される面発光レーザ素子のレーザ光の放射パターン特性について、改善の余地がある。
【０００５】
本開示の一態様の半導体発光装置は、レーザ光が出射される素子表面を含む面発光レーザ素子と、前記面発光レーザ素子を封止するものであって、第１樹脂表面を有する透光性の第１樹脂部と、前記素子表面に垂直な方向において前記素子表面と対向する前記第１樹脂表面に少なくとも一部が形成され、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態の半導体発光装置の概略斜視図である。
図２は、図１の半導体発光装置の内部の概略平面図である。
図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図４は、図２に第１樹脂部および第２樹脂部を追加した半導体発光装置の内部の概略平面図である。
図５は、比較例の半導体発光装置におけるファーフィールドパターンを示すグラフである。
図６は、第１実施形態の半導体発光装置におけるファーフィールドパターンを示すグラフである。
図７は、第１実施形態の変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図８は、第２実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図９は、第１実施形態および第２実施形態の半導体発光装置におけるファーフィールドパターンを示すグラフである。
図１０は、第２実施形態の変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１１は、第３実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１２は、第３実施形態の変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１３は、第４実施形態の半導体発光装置の内部の概略平面図である。
図１４は、図１３のＦ１４－Ｆ１４線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図１５は、図１３に第１樹脂部および第２樹脂部を追加した半導体発光装置の内部の概略平面図である。
図１６は、第４実施形態の第１変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１７は、第４実施形態の第２変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１８は、第４実施形態の第３変更例の半導体発光装置の概略平面図である。
図１９は、図１８のＦ１９－Ｆ１９線で第３変更例の半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図２０は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図２１は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、所望の選択肢の「１つ以上」を意味する。一例として、本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が２つであれば「１つの選択肢のみ」または「２つの選択肢の双方」を意味する。他の例として、本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が３つ以上であれば「１つの選択肢のみ」または「２つ以上の任意の選択肢の組み合わせ」を意味する。
【００１０】
本明細書において使用される「Ａの長さ（粒径、寸法）がＢの長さ（粒径、寸法）と等しい」または「Ａの長さ（粒径、寸法）とＢの長さ（粒径、寸法）とが互いに等しい」とは、Ａの長さ（粒径、寸法）とＢの長さ（粒径、寸法）との差が例えばＡの長さ（粒径、寸法）の１０％以内の関係も含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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