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公開番号2025039183
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-21
出願番号2023146085
出願日2023-09-08
発明の名称加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250313BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】保護層の一部が被加工物の表面に残存することを抑制することができる加工方法を提供すること。
【解決手段】加工方法は、被加工物の加工方法であって、被加工物の第1面である表面にシリコンからなる保護層を形成し表面を被覆する被覆ステップ101と、被覆ステップ101を実施した後、被加工物に加工を施す加工ステップ103と、加工ステップ103を実施した後、保護層にプラズマ状のエッチングガスを供給して保護層を除去する除去ステップ104とを備える。被覆ステップ101では被加工物の表面にデバイスを覆う保護層を形成し、加工ステップ103では、保護層を介して被加工物の表面にレーザビームを照射する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
被加工物の加工方法であって、
被加工物の第１面にシリコンからなる保護層を形成し該第１面を被覆する被覆ステップと、
該被覆ステップを実施した後、被加工物に加工を施す加工ステップと、を備えた加工方法。
続きを表示（約 400 文字）【請求項２】
被加工物は、基板の表面に複数のデバイスが形成されたデバイスウェーハであり、
該被覆ステップでは該デバイスウェーハの該表面に該デバイスを覆う該保護層を形成し、
該加工ステップでは該保護層を介して該デバイスウェーハの該表面にレーザビームを照射する、請求項１に記載の加工方法。
【請求項３】
該加工ステップでは、該デバイスウェーハの該保護層上に液体層を形成するとともに該液体層と該保護層を介して該デバイスウェーハの該表面にレーザビームを照射する、請求項２に記載の加工方法。
【請求項４】
該被覆ステップでは、スパッタで該保護層を形成する、請求項１に記載の加工方法。
【請求項５】
該加工ステップを実施した後、該保護層にプラズマ状のガスを供給して該保護層を除去する除去ステップを更に備えた、請求項１に記載の加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の加工方法に関する。
続きを表示（約 950 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、ウェーハを個々のデバイスに分割する方法として、ウェーハの表面を汚染や水から保護するために粘着剤層を介してシートを貼付して保護層を形成し、ダイシングする方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－１７５１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述した保護層には、加工中に被加工物の表面を保護すること、及び、除去した後に被加工物の表面が汚染されない、残渣を残さないことが求められる。
【０００５】
従来の粘着剤層を有したシートによる保護ではシートを除去した後に粘着剤が被加工物表面に残存するおそれがあり、改善が切望されていた。
【０００６】
本発明の目的は、保護層の一部が被加工物の表面に残存することを抑制することができる加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、被加工物の加工方法であって、被加工物の第１面にシリコンからなる保護層を形成し該第１面を被覆する被覆ステップと、該被覆ステップを実施した後、被加工物に加工を施す加工ステップと、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
前記加工方法において、被加工物は、基板の表面に複数のデバイスが形成されたデバイスウェーハであり、該被覆ステップでは該デバイスウェーハの該表面に該デバイスを覆う該保護層を形成し、該加工ステップでは該保護層を介して該デバイスウェーハの該表面にレーザビームを照射しても良い。
【０００９】
前記加工方法において、該加工ステップでは、該デバイスウェーハの該保護層上に液体層を形成するとともに該液体層と該保護層を介して該デバイスウェーハの該表面にレーザビームを照射しても良い。
【００１０】
前記加工方法において、該被覆ステップでは、スパッタで該保護層を形成しても良い。
（【００１１】以降は省略されています）

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