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公開番号2025038685
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-19
出願番号2023145435
出願日2023-09-07
発明の名称デバイスチップの製造方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250312BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する際に、ウエーハの表面に形成されたパターンへの損傷を抑制することができるデバイスチップの製造方法を提供すること。
【解決手段】デバイスチップの製造方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置付けてウエーハの裏面側から照射し、細孔と細孔を囲繞する非晶質領域とを含むシールドトンネルを分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成ステップ1と、ウエーハに外力を付与して、シールドトンネルが形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを分割するウエーハ分割ステップ2と、を含み、シールドトンネル形成ステップ1では、ウエーハの表面側に到達するレーザービームの抜け光の表面側におけるビームスポットが、分割予定ラインの幅以下となるように設定される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが形成され、該分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスが形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するデバイスチップの製造方法であって、
該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウエーハの内部に位置付けて該ウエーハの裏面側から照射し、細孔と該細孔を囲繞する非晶質領域とを含むシールドトンネルを該分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成ステップと、
該ウエーハに外力を付与して、該シールドトンネルが形成された該分割予定ラインに沿って該ウエーハを分割するウエーハ分割ステップと、を含み、
該シールドトンネル形成ステップでは、
該ウエーハの表面側に到達するレーザービームの抜け光の該表面側におけるビームスポットが、該分割予定ラインの幅以下となるように設定される
ことを特徴とする、デバイスチップの製造方法。
続きを表示（約 310 文字）【請求項２】
該シールドトンネル形成ステップでは、
該ウエーハの表面側に到達するレーザービームの抜け光の該表面側におけるビームスポットが、該分割予定ラインの伸長方向と平行な方向に長手方向を有する矩形状となるように設定される
ことを特徴とする、請求項１に記載のデバイスチップの製造方法。
【請求項３】
該シールドトンネル形成ステップでは、
該ウエーハの表面側に到達するレーザービームの抜け光の該表面側におけるビームスポットが、該分割予定ラインの伸長方向と平行な方向に沿う長軸を有する楕円形状となるように設定される
ことを特徴とする、請求項１に記載のデバイスチップの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスチップの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウエーハや光デバイスウエーハにおける小チップ化の要求が拡大している。これに伴い、デバイスチップの断面における真直度が重要視されるようになってきている。
【０００３】
断面における真直度が高い加工として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームの集光点を分割すべき領域の内部に位置づけて照射し、細孔と細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成する方法が注目されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第６０６２２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、加工時にシールドトンネルを形成するために照射されたレーザービームのうち、ウエーハの表面側に透過したレーザービームの抜け光によって、パターンがダメージを受けてしまい、歩留まりが低下する可能性があった。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する際に、ウエーハの表面に形成されたパターンへの損傷を抑制することができるデバイスチップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のデバイスチップの製造方法は、表面に複数の分割予定ラインが形成され、該分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスが形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するデバイスチップの製造方法であって、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウエーハの内部に位置付けて該ウエーハの裏面側から照射し、細孔と該細孔を囲繞する非晶質領域とを含むシールドトンネルを該分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成ステップと、該ウエーハに外力を付与して、該シールドトンネルが形成された該分割予定ラインに沿って該ウエーハを分割するウエーハ分割ステップと、を含み、該シールドトンネル形成ステップでは、該ウエーハの表面側に到達するレーザービームの抜け光の該表面側におけるビームスポットが、該分割予定ラインの幅以下となるように設定されることを特徴とする。
【０００８】
また、デバイスチップの製造方法において、該シールドトンネル形成ステップでは、該ウエーハの表面側に到達するレーザービームの抜け光の該表面側におけるビームスポットが、該分割予定ラインの伸長方向と平行な方向に長手方向を有する矩形状となるように設定されてもよい。
【０００９】
また、デバイスチップの製造方法において、該シールドトンネル形成ステップでは、該ウエーハの表面側に到達するレーザービームの抜け光の該表面側におけるビームスポットが、該分割予定ラインの伸長方向と平行な方向に沿う長軸を有する楕円形状となるように設定されてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する際に、ウエーハの表面に形成されたパターンへの損傷を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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