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公開番号2025031341
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-07
出願番号2023137503
出願日2023-08-25
発明の名称極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法
出願人ギガフォトン株式会社
代理人個人
主分類G03F 7/20 20060101AFI20250228BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】ノズル孔の少なくとも一部が酸化スズにより塞がれる。
【解決手段】極端紫外光生成用チャンバ装置は、レーザが照射されるターゲット物質がプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンクとチャンバとに連通する内部空間を有するノズルと、チャンバから排気する排気装置と、チャンバにパージガスを供給する供給装置と、チャンバ内の圧力を測定する圧力センサと、プロセッサと、を備え、プロセッサは、ターゲット物質が融解する前に、排気装置にチャンバからガスを排気し、ガスが排気された後に、供給装置にチャンバ内へパージガスを供給させる供給動作と、排気装置にチャンバからパージガスを排気させる排気動作と、を行う。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
レーザが照射されるターゲット物質がプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、
前記ターゲット物質を貯蔵するタンクと、
前記タンクと前記チャンバとに連通する内部空間を有するノズルと、
前記チャンバから排気する排気装置と、
前記チャンバにパージガスを供給する供給装置と、
前記チャンバ内の圧力を測定する圧力センサと、
プロセッサと、
を備え、
前記プロセッサは、
前記ターゲット物質が融解する前に、前記排気装置に前記チャンバからガスを排気し、
前記ガスが排気された後に、前記供給装置に前記チャンバ内へ前記パージガスを供給させる供給動作と、前記排気装置に前記チャンバから前記パージガスを排気させる排気動作と、を行う
極端紫外光生成用チャンバ装置。
続きを表示（約 850 文字）【請求項２】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記プロセッサは、前記内部空間に位置する前記ターゲット物質と前記内部空間を形成する前記ノズルの内壁との間に生じる空隙内の酸素分圧が第１閾値未満になるまで前記供給動作と前記排気動作とを繰り返す。
【請求項３】
請求項２に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記ターゲット物質は、スズである。
【請求項４】
請求項３に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記第１閾値は、１Ｅ－５Ｐａである。
【請求項５】
請求項２に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記プロセッサは、前記排気動作において前記排気装置に所定の排気時間、前記チャンバから前記パージガスを排気させる。
【請求項６】
請求項５に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記所定の排気時間は、前記チャンバ内の圧力が第２閾値以下になるまでの時間と、前記チャンバ内の圧力が前記第２閾値以下になってから前記空隙内の圧力が第３閾値以下になるまでの時間と、の合計である。
【請求項７】
請求項６に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記第２閾値は、１Ｅ－４Ｐａである。
【請求項８】
請求項７に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記第３閾値は、１０Ｐａである。
【請求項９】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記プロセッサは、前記供給動作において前記供給装置に前記チャンバ内の圧力が第４閾値以上になるまで前記チャンバへ前記パージガスを供給させる。
【請求項１０】
請求項９に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記第４閾値は、１気圧である。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
続きを表示（約 3,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒＰｒｏｄｕｃｅｄＰｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
米国特許第１０１３６５０９号明細書
米国特許出願公開第２０２２／０１５９８１８号明細書
米国特許第１０５８６７２１号明細書
【発明の概要】
【０００５】
本開示の一態様による極端紫外光生成用チャンバ装置は、レーザが照射されるターゲット物質がプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンクとチャンバとに連通する内部空間を有するノズルと、チャンバから排気する排気装置と、チャンバにパージガスを供給する供給装置と、チャンバ内の圧力を測定する圧力センサと、プロセッサと、を備え、プロセッサは、ターゲット物質が融解する前に、排気装置にチャンバからガスを排気し、ガスが排気された後に、供給装置にチャンバ内へパージガスを供給させる供給動作と、排気装置にチャンバからパージガスを排気させる排気動作と、を行ってもよい。
【０００６】
また、本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、レーザが照射されるターゲット物質がプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンクとチャンバとに連通する内部空間を有するノズルと、チャンバから排気する排気装置と、チャンバにパージガスを供給する供給装置と、チャンバ内の圧力を測定する圧力センサと、プロセッサと、を備え、プロセッサは、ターゲット物質が融解する前に、排気装置にチャンバからガスを排気し、ガスが排気された後に、供給装置にチャンバ内へパージガスを供給させる供給動作と、排気装置にチャンバからパージガスを排気させる排気動作と、を行う極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含んでもよい。
【０００７】
また、本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、レーザが照射されるターゲット物質がプラズマ化することで極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲット物質を貯蔵するタンクと、タンクとチャンバとに連通する内部空間を有するノズルと、チャンバから排気する排気装置と、チャンバにパージガスを供給する供給装置と、チャンバ内の圧力を測定する圧力センサと、プロセッサと、を備え、プロセッサは、ターゲット物質が融解する前に、排気装置にチャンバからガスを排気し、ガスが排気された後に、供給装置にチャンバ内へパージガスを供給させる供給動作と、排気装置にチャンバからパージガスを排気させる排気動作と、を行う極端紫外光生成用チャンバ装置を含む極端紫外光生成装置によって生成される極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。
図２は、図１に示す電子デバイスの製造装置とは別の電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。
図３は、比較例の極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。
図４は、比較例におけるドロップレットターゲットの軌道に沿った断面におけるタンクを示す模式図である。
図５は、比較例におけるドロップレットターゲットの軌道に沿った断面におけるタンクを示す模式図である。
図６は、実施形態１における極端紫外光生成装置を示す模式図である。
図７は、実施形態１におけるパラメータテーブルを示す図である。
図８は、実施形態１における空隙内の圧力と経過時間との関係を示すグラフである。
図９は、実施形態１における極端紫外光生成装置の動作を示すフローチャートである。
図１０は、実施形態１の変形例における計算シートを示す図である。
図１１は、実施形態２におけるパラメータテーブルを示す図である。
図１２は、実施形態２における極端紫外光生成装置の動作を示すフローチャートである。
図１３は、実施形態３における極端紫外光生成装置の動作を示すフローチャートである。
図１４は、実施形態４における極端紫外光生成装置の動作を示すフローチャートである。
図１５は、実施形態４における第２閾値の例を示す図である。
【実施形態】
【０００９】
１．電子デバイスの製造装置の説明
２．比較例の極端紫外光生成装置の説明
２．１構成
２．２動作
２．３課題
３．実施形態１の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
３．１構成
３．２動作
３．３作用・効果
３．４変形例の説明
４．実施形態２の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
４．１構成
４．２動作
４．３作用・効果
５．実施形態３の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
５．１動作
５．２作用・効果
６．実施形態４の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
６．１動作
６．２作用・効果
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１０】
１．電子デバイスの製造装置の説明
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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