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公開番号2025018588
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-06
出願番号2023122430
出願日2023-07-27
発明の名称配線基板、及びその製造方法、並びに半導体装置
出願人日亜化学工業株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 23/13 20060101AFI20250130BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】導体表面の凹凸が低減された配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板1において、配線基板1は、セラミック基板10と、セラミック基板10と接するように配置される、銀と銅とを含む金属層20と、を有し、金属層20の断面視において、銀リッチ相と銅リッチ相とのラメラ構造を有する。
【選択図】図1A
特許請求の範囲【請求項１】
セラミック基板と、
前記セラミック基板と接するように配置される、銀と銅とを含む金属層と、を有し、
前記金属層の断面視において、銀リッチ相と銅リッチ相とのラメラ構造を有する、配線基板。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記金属層の表面粗さ（Ｒａ）は、６０μｍ以下である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記銀リッチ相における、銀と銅の合計に対する銀の含有量は、９１．２重量％以上９４．０重量％以下である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記銀リッチ相における、銀と銅の合計に対する銅の含有量は、６．０重量％以上８．８重量％以下である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記銅リッチ相における、銀と銅の合計に対する銀の含有量は、７．４重量％以上８．０重量％以下である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
前記銅リッチ相における、銀と銅の合計に対する銅の含有量は、９２．０重量％以上９２．６重量％以下である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項７】
前記金属層の断面視において、前記銀リッチ相及び前記銅リッチ相の幅は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項８】
前記金属層の断面視において、前記銅リッチ相のアスペクト比は、１：１～１：５０の範囲にある、請求項１に記載の配線基板。
【請求項９】
前記金属層は、窒化チタン及び窒化アルミニウムから選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記金属層の断面視において、前記銀リッチ相及び前記銅リッチ相の面積は、前記断面の面積の５０％以上である、請求項９に記載の配線基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板、及びその製造方法、並びに半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
ある種の配線基板の導体形成は、金属ペーストを焼成することにより行われる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－１２９２３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線基板の導体を、金属ペーストを焼成することにより形成する場合、焼成後の導体表面に凹凸が生じ、次工程の研磨効率や歩留まりの低下が発生する虞がある。
従って、本開示に係る実施形態は、導体表面の凹凸が低減された配線基板、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の第一態様に係る配線基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板と接するように配置される、銀と銅とを含む金属層と、を有し、前記金属層の断面視において、銀リッチ相と銅リッチ相とのラメラ構造を有する。
【０００６】
本開示の第二態様に係る配線基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板と接するように配置される、銀と銅とを含む金属層と、を有し、前記金属層の表面粗さ（Ｒａ）は、６０μｍ以下であり、前記金属層の表面は、研磨されていない。
【０００７】
本開示の第三態様に係る半導体装置は、セラミック基板と、前記セラミック基板と接するように配置される、銀と銅とを含む金属層と、を有し、前記金属層の断面視において、銀リッチ相と銅リッチ相とのラメラ構造を有する、配線基板と、前記金属層上に配置される半導体素子と、を備える。
【０００８】
本開示の第四態様に係る配線基板の製造方法は、セラミック基板を準備することと、前記セラミック基板に接するように、銀と銅とを含む導体ペースト層を配置することと、前記導体ペースト層が配置されたセラミック基板を加熱することと、前記加熱されたセラミック基板を冷却することと、を含み、前記セラミック基板を加熱することにおいて、最高温度は７００℃以上９００℃以下あり、前記セラミック基板を冷却することにおいて、４００℃までの冷却速度は３．０℃／分以上である。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一態様によれば、金属層表面の凹凸が低減された配線基板、及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
実施形態に係る配線基板を示す概略平面図である。
図１ＡのＩＢ－ＩＢ線における断面を示す概略断面図である。
実施形態に係る配線基板の金属層の断面を示す概略断面図である。
実施形態に係る配線基板の製造方法において、準備したセラミック基板を示す概略断面図である。
実施形態に係る配線基板の製造方法において、導体ペースト層を配置した状態を示す概略断面図である。
実施形態に係る配線基板の製造方法において、金属層を形成した状態を示す概略断面図である。
実施形態に係る発光装置を示す概略平面図である。
図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における断面を示す概略断面図である。
実施例１の配線基板の金属層の断面画像である。
実施例１の配線基板の金属層の平面画像である。
比較例１の配線基板の金属層の断面画像である。
比較例１の配線基板の金属層の平面画像である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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