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公開番号2025014433
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2023116980
出願日2023-07-18
発明の名称ウエハ支持装置およびSiCエピタキシャル成長装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H01L 21/205 20060101AFI20250123BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエハガイドの再生時の損傷を抑制することができるウエハ支持装置を提供する。
【解決手段】支持台と、ウエハガイド部と、第1面取り部と、第2面取り部とを持つ。支持台は、ウエハを支持する支持面を持つ。ウエハガイド部は、支持面に支持されたウエハの周囲を、支持面の法線方向に延びる中心軸を中心として囲む円環状である。第1面取り部は、ウエハガイド部における内周面と上面とを繋ぎ、内周面から外周側に向かうにつれて上側に向かう方向に延びる。第2面取り部は、ウエハガイド部における外周面と上面とを繋ぎ、外周面から内周側に向かうにつれて上側に向かう方向に延びる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
ウエハを支持する支持面を有する支持台と、
前記支持面に支持された前記ウエハの周囲を、前記支持面の法線方向に延びる中心軸を中心として囲む円環状のウエハガイド部と、
前記ウエハガイド部における内周面と上面とを繋ぎ、前記内周面から外周側に向かうにつれて上側に向かう方向に延びる第１面取り部と、
前記ウエハガイド部における外周面と前記上面とを繋ぎ、前記外周面から内周側に向かうにつれて上側に向かう方向に延びる第２面取り部と、
を備える、ウエハ支持装置。
続きを表示（約 780 文字）【請求項２】
前記中心軸を含む断面において、前記第１面取り部は、前記内周面から前記外周側に向かうにつれて上側に向かって傾斜する第１傾斜面を備え、
前記断面において、前記第２面取り部は、前記外周面から前記内周側に向かうにつれて上側に向かって傾斜する第２傾斜面を備える、
請求項１に記載のウエハ支持装置。
【請求項３】
前記ウエハガイド部における前記中心軸に沿う方向の厚さは、１．５ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下である、
請求項１または２に記載のウエハ支持装置。
【請求項４】
前記ウエハにおける上側を向く第１面と、前記上面との前記中心軸に沿う方向の第１距離は、１ｍｍ以上、２ｍｍ以下である、
請求項１または２に記載のウエハ支持装置。
【請求項５】
前記第１面取り部と前記上面との交差部と、前記内周面との前記中心軸を中心とする径方向の第２距離は、０．５ｍｍ以上、１０ｍｍ以下である、
請求項１または２に記載のウエハ支持装置。
【請求項６】
前記内周面と前記第１面取り部が交差する前記中心軸に沿う方向の位置は、前記ウエハにおける上側を向く第１面の位置よりも上側である、
請求項１または２に記載のウエハ支持装置。
【請求項７】
水平方向に対する、前記第１面取り部の角度および前記第２面取り部の角度は、１０度以上、４５度以下である、
請求項１または２に記載のウエハ支持装置。
【請求項８】
前記ウエハガイド部は、少なくとも表面がｐｏｌｙ－ＳｉＣで構成されている、
請求項１または２に記載のウエハ支持装置。
【請求項９】
請求項１または２に記載のウエハ支持装置を備える、ＳｉＣエピタキシャル成長装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ウエハ支持装置およびＳｉＣエピタキシャル成長装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
ＳｉＣエピタキシャル成長装置におけるウエハ支持装置においては、支持面に支持されたウエハの周囲にウエハガイドが配置される。ウエハガイドは、ＳｉＣエピタキシャル成長処理によって反応生成物が堆積する。ＳｉＣエピタキシャル成長処理を円滑に行うために、堆積した反応生成物を研磨加工等によって除去してウエハガイドを再生することが行われる。ウエハガイドにおいて反応生成物の堆積が生じやすい上面と周面との交差部に除去加工を施すと損傷する可能性があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１０２０１８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、ウエハガイドの再生時の損傷を抑制することができるウエハ支持装置およびＳｉＣエピタキシャル成長装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態のウエハ支持装置は、支持台と、ウエハガイド部と、第１面取り部と、第２面取り部とを持つ。支持台は、ウエハを支持する支持面を持つ。ウエハガイド部は、前記支持面に支持された前記ウエハの周囲を、前記支持面の法線方向に延びる中心軸を中心として囲む円環状である。第１面取り部は、前記ウエハガイド部における内周面と上面とを繋ぎ、前記内周面から外周側に向かうにつれて上側に向かう方向に延びる。第２面取り部は、前記ウエハガイド部における外周面と前記上面とを繋ぎ、前記外周面から内周側に向かうにつれて上側に向かう方向に延びる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態のＳｉＣエピタキシャル成長装置を示す断面図。
実施形態のウエハ支持装置を示す断面図。
図２における部分拡大図。
ＳｉＣエピタキシャル成長処理後のウエハ支持装置を示す部分断面図。
ＳｉＣエピタキシャル成長処理後のウエハ支持装置を示す部分断面図。
ＳｉＣエピタキシャル膜の面内分布を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態のウエハ支持装置およびＳｉＣエピタキシャル成長装置を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。
【０００８】
以下、ＳｉＣエピタキシャル成長装置の構成について説明する。
図１は、実施形態のウエハ支持装置１０を有するＳｉＣエピタキシャル成長装置１の断面図である。
【０００９】
以下の説明において、供給された原料ガスが流入する側を上側とし、流出する側を下側とする。以下の説明において、中心軸Ｊに沿う方向を単に「軸方向」と呼ぶ。また、中心軸Ｊを中心とする径方向を単に「径方向」と呼ぶ場合がある。さらに、中心軸Ｊを中心とする周方向を単に「周方向」と呼ぶ場合がある。
【００１０】
図１に示すように、ＳｉＣエピタキシャル成長装置１は、炭化珪素（ＳｉＣ）で形成されたウエハＷ上に、化学的気相成長法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：熱ＣＶＤ）等によって、活性領域となるエピタキシャル膜を成長させる。ＳｉＣエピタキシャル成長装置１は、チャンバー２と、リアクタ部材３と、上部ヒータ４と、下部ヒータ５と、回転筒６と、仕切筒７と、ウエハ支持装置１０と、を備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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