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公開番号
2025019455
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-02-07
出願番号
2023123074
出願日
2023-07-28
発明の名称
電子部品
出願人
株式会社村田製作所
代理人
弁理士法人北斗特許事務所
主分類
H01F
17/00 20060101AFI20250131BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】特性劣化を低減させつつ小型化を図る。
【解決手段】電子部品100では、第1インダクタL1は、スパイラル状の第1導体パターン部11を含む。第2インダクタL2は、スパイラル状の第2導体パターン部12を含む。絶縁層2は、第1インダクタL1を覆っている層間絶縁膜23を含む、第2インダクタL2の第2導体パターン部12は、層間絶縁膜23上に設けられている。第2インダクタL2の第2導体パターン部12は、基板1の厚さ方向D1からの平面視で第1インダクタL1の第1導体パターン部11に重なる第1部分121と、基板1の厚さ方向D1からの平面視で第1インダクタL1の第1導体パターン部11に重ならない第2部分122と、を有する。第2インダクタL2は、層間絶縁膜23内に形成されており少なくとも一部が第2導体パターン部12の第2部分122に重なる第3導体パターン部13を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
基板と、
前記基板上に設けられている絶縁層と、
前記絶縁層内に設けられているスパイラル状の第1導体パターン部を含む第1インダクタと、
前記絶縁層内に設けられているスパイラル状の第2導体パターン部を含む第2インダクタと、を備え、
前記絶縁層は、前記第1インダクタを覆っている層間絶縁膜を含み、
前記第2インダクタの前記第2導体パターン部は、前記層間絶縁膜上に設けられており、
前記第2インダクタの前記第2導体パターン部は、
前記基板の厚さ方向からの平面視で前記第1インダクタの前記第1導体パターン部に重なる第1部分と、
前記基板の前記厚さ方向からの平面視で前記第1インダクタの前記第1導体パターン部に重ならない第2部分と、を有し、
前記第2インダクタは、前記層間絶縁膜内に形成されており少なくとも一部が前記第2導体パターン部の前記第2部分に重なる第3導体パターン部を含む、
電子部品。
続きを表示(約 1,300 文字)
【請求項2】
前記第1インダクタは、
前記層間絶縁膜内に形成されており、前記第1導体パターン部のうち前記基板の前記厚さ方向からの平面視で前記第2インダクタの前記第2導体パターン部に重ならない部分に重なる第4導体パターン部を更に含む、
請求項1に記載の電子部品。
【請求項3】
前記基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記第2導体パターン部の複数の部分と前記第1導体パターン部の複数の部分とが前記第2導体パターン部及び前記第1導体パターン部の幅方向において交互に並んでいる、
請求項1又は2に記載の電子部品。
【請求項4】
前記第1導体パターン部及び前記第2導体パターン部の少なくとも一方である導体パターン部は、
第1幅を有する細幅部と、
前記第1幅よりも広い第2幅を有する幅広部と、を有し、
前記細幅部は、前記導体パターン部の第1端と第2端とのうち中心側の前記第1端を含み、
前記幅広部は、前記第2端を含み、
前記第2インダクタの前記第2導体パターン部の前記第1部分と前記第1インダクタにおいて前記第1部分に重なる部分との少なくとも一方は、前記細幅部の一部を含む、
請求項1又は2に記載の電子部品。
【請求項5】
前記層間絶縁膜に形成されており、前記第1インダクタと前記第2インダクタとの間に介在するビア導体を更に備え、
前記ビア導体によって前記第1インダクタと前記第2インダクタとが和動接続されている、
請求項1又は2に記載の電子部品。
【請求項6】
前記基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記第2導体パターン部の前記第1部分の面積は、前記第2導体パターン部の前記第2部分の面積よりも小さい、
請求項1又は2に記載の電子部品。
【請求項7】
前記第1導体パターン部及び前記第2導体パターン部の各々は、
中心側の第1端及び外周側の第2端を有し、
前記第2インダクタの前記第2導体パターン部の前記第2部分は、前記第1端と前記第2端とのうち前記第2端に近い、
請求項1又は2に記載の電子部品。
【請求項8】
前記基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記第2インダクタの前記第2導体パターン部の前記第2部分では、前記第3導体パターン部の幅が前記第1導体パターン部の幅よりも狭い、
請求項1又は2に記載の電子部品。
【請求項9】
前記基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記第2インダクタの前記第2導体パターン部の前記第2部分では、前記第3導体パターン部の幅が前記第1導体パターン部の幅よりも広い、
請求項1又は2に記載の電子部品。
【請求項10】
前記絶縁層内に設けられる一対の電極を有し、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタとともにLCフィルタに含まれるキャパシタを更に備え、
前記基板の前記厚さ方向において、前記キャパシタの前記一対の電極は、前記第1インダクタよりも前記基板の近くに位置している、
請求項1又は2に記載の電子部品。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、一般に電子部品に関し、より詳細には、複数のインダクタを備える電子部品に関する。
続きを表示(約 1,600 文字)
【背景技術】
【0002】
特許文献1は、Si基板と、Si基板の表面側に形成されている第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に形成されており、各々が渦巻きパターンを有する2つのインダクタ電極と、2つのインダクタ電極上に形成されている第2絶縁膜と、を備える薄膜素子(電子部品)を開示している。
【0003】
特許文献1に開示されている薄膜素子では、2つのインダクタ電極が、第1絶縁膜上において互いに離隔して配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
国際公開第2011/092910号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献1に開示された薄膜素子では、2つのインダクタ電極が第1絶縁膜上において互いに離隔して配置されているので、薄膜素子が大型化する場合がある。
【0006】
本発明の目的は、特性劣化を低減させつつ小型化を図ることが可能な電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様に係る電子部品は、基板と、絶縁層と、第1インダクタと、第2インダクタと、を備える。前記絶縁層は、前記基板上に設けられている。前記第1インダクタは、前記絶縁層内に設けられているスパイラル状の第1導体パターン部を含む。前記第2インダクタは、前記絶縁層内に設けられているスパイラル状の第2導体パターン部を含む。前記絶縁層は、前記第1インダクタを覆っている層間絶縁膜を含む、前記第2インダクタの前記第2導体パターン部は、前記層間絶縁膜上に設けられている。前記第2インダクタの前記第2導体パターン部は、前記基板の厚さ方向からの平面視で前記第1インダクタの前記第1導体パターン部に重なる第1部分と、前記基板の前記厚さ方向からの平面視で前記第1インダクタの前記第1導体パターン部に重ならない第2部分と、を有する。前記第2インダクタは、前記層間絶縁膜内に形成されており少なくとも一部が前記第2導体パターン部の前記第2部分に重なる第3導体パターン部を含む。
【発明の効果】
【0008】
本発明の上記態様に係る電子部品は、特性劣化を低減させつつ小型化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
図1は、実施形態1に係る電子部品の断面図である。
図2は、同上の電子部品の斜視図である。
図3は、同上の電子部品の平面図である。
図4は、同上の電子部品の下面図である。
図5Aは、同上の電子部品における第1金属パターン部を透視した平面図である。図5Bは、同上の電子部品における第2金属パターン部を透視した平面図である。図5Cは、同上の電子部品における第3金属パターン部を透視した平面図である。図5Dは、同上の電子部品における第4金属パターン部を透視した平面図である。図5Eは、同上の電子部品における第5金属パターン部を透視した平面図である。図5Fは、同上の電子部品における第6金属パターン部を透視した平面図である。
図6は、同上の電子部品の回路図である。
図7は、同上の電子部品の等価回路図である。
図8は、同上の電子部品の特性図である。
図9は、実施形態2に係る電子部品の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、実施形態1~2等について、図面を参照して説明する。以下の実施形態等において参照する図は、模式的な図であり、図中の構成要素の大きさ及び厚さは必ずしも実際の寸法を反映しているとは限らず、構成要素間における大きさの比及び厚さの比も、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
(【0011】以降は省略されています)
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