特許ウォッチ

公開番号2025019455
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-07
出願番号2023123074
出願日2023-07-28
発明の名称電子部品
出願人株式会社村田製作所
代理人弁理士法人北斗特許事務所
主分類H01F 17/00 20060101AFI20250131BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】特性劣化を低減させつつ小型化を図る。
【解決手段】電子部品100では、第1インダクタL1は、スパイラル状の第1導体パターン部11を含む。第2インダクタL2は、スパイラル状の第2導体パターン部12を含む。絶縁層2は、第1インダクタL1を覆っている層間絶縁膜23を含む、第2インダクタL2の第2導体パターン部12は、層間絶縁膜23上に設けられている。第2インダクタL2の第2導体パターン部12は、基板1の厚さ方向D1からの平面視で第1インダクタL1の第1導体パターン部11に重なる第1部分121と、基板1の厚さ方向D1からの平面視で第1インダクタL1の第1導体パターン部11に重ならない第2部分122と、を有する。第2インダクタL2は、層間絶縁膜23内に形成されており少なくとも一部が第2導体パターン部12の第2部分122に重なる第3導体パターン部13を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられている絶縁層と、
前記絶縁層内に設けられているスパイラル状の第１導体パターン部を含む第１インダクタと、
前記絶縁層内に設けられているスパイラル状の第２導体パターン部を含む第２インダクタと、を備え、
前記絶縁層は、前記第１インダクタを覆っている層間絶縁膜を含み、
前記第２インダクタの前記第２導体パターン部は、前記層間絶縁膜上に設けられており、
前記第２インダクタの前記第２導体パターン部は、
前記基板の厚さ方向からの平面視で前記第１インダクタの前記第１導体パターン部に重なる第１部分と、
前記基板の前記厚さ方向からの平面視で前記第１インダクタの前記第１導体パターン部に重ならない第２部分と、を有し、
前記第２インダクタは、前記層間絶縁膜内に形成されており少なくとも一部が前記第２導体パターン部の前記第２部分に重なる第３導体パターン部を含む、
電子部品。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記第１インダクタは、
前記層間絶縁膜内に形成されており、前記第１導体パターン部のうち前記基板の前記厚さ方向からの平面視で前記第２インダクタの前記第２導体パターン部に重ならない部分に重なる第４導体パターン部を更に含む、
請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記第２導体パターン部の複数の部分と前記第１導体パターン部の複数の部分とが前記第２導体パターン部及び前記第１導体パターン部の幅方向において交互に並んでいる、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１導体パターン部及び前記第２導体パターン部の少なくとも一方である導体パターン部は、
第１幅を有する細幅部と、
前記第１幅よりも広い第２幅を有する幅広部と、を有し、
前記細幅部は、前記導体パターン部の第１端と第２端とのうち中心側の前記第１端を含み、
前記幅広部は、前記第２端を含み、
前記第２インダクタの前記第２導体パターン部の前記第１部分と前記第１インダクタにおいて前記第１部分に重なる部分との少なくとも一方は、前記細幅部の一部を含む、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記層間絶縁膜に形成されており、前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間に介在するビア導体を更に備え、
前記ビア導体によって前記第１インダクタと前記第２インダクタとが和動接続されている、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項６】
前記基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記第２導体パターン部の前記第１部分の面積は、前記第２導体パターン部の前記第２部分の面積よりも小さい、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１導体パターン部及び前記第２導体パターン部の各々は、
中心側の第１端及び外周側の第２端を有し、
前記第２インダクタの前記第２導体パターン部の前記第２部分は、前記第１端と前記第２端とのうち前記第２端に近い、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項８】
前記基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記第２インダクタの前記第２導体パターン部の前記第２部分では、前記第３導体パターン部の幅が前記第１導体パターン部の幅よりも狭い、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項９】
前記基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記第２インダクタの前記第２導体パターン部の前記第２部分では、前記第３導体パターン部の幅が前記第１導体パターン部の幅よりも広い、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記絶縁層内に設けられる一対の電極を有し、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタとともにＬＣフィルタに含まれるキャパシタを更に備え、
前記基板の前記厚さ方向において、前記キャパシタの前記一対の電極は、前記第１インダクタよりも前記基板の近くに位置している、
請求項１又は２に記載の電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に電子部品に関し、より詳細には、複数のインダクタを備える電子部品に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板の表面側に形成されている第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に形成されており、各々が渦巻きパターンを有する２つのインダクタ電極と、２つのインダクタ電極上に形成されている第２絶縁膜と、を備える薄膜素子（電子部品）を開示している。
【０００３】
特許文献１に開示されている薄膜素子では、２つのインダクタ電極が、第１絶縁膜上において互いに離隔して配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開第２０１１／０９２９１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された薄膜素子では、２つのインダクタ電極が第１絶縁膜上において互いに離隔して配置されているので、薄膜素子が大型化する場合がある。
【０００６】
本発明の目的は、特性劣化を低減させつつ小型化を図ることが可能な電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る電子部品は、基板と、絶縁層と、第１インダクタと、第２インダクタと、を備える。前記絶縁層は、前記基板上に設けられている。前記第１インダクタは、前記絶縁層内に設けられているスパイラル状の第１導体パターン部を含む。前記第２インダクタは、前記絶縁層内に設けられているスパイラル状の第２導体パターン部を含む。前記絶縁層は、前記第１インダクタを覆っている層間絶縁膜を含む、前記第２インダクタの前記第２導体パターン部は、前記層間絶縁膜上に設けられている。前記第２インダクタの前記第２導体パターン部は、前記基板の厚さ方向からの平面視で前記第１インダクタの前記第１導体パターン部に重なる第１部分と、前記基板の前記厚さ方向からの平面視で前記第１インダクタの前記第１導体パターン部に重ならない第２部分と、を有する。前記第２インダクタは、前記層間絶縁膜内に形成されており少なくとも一部が前記第２導体パターン部の前記第２部分に重なる第３導体パターン部を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の上記態様に係る電子部品は、特性劣化を低減させつつ小型化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、実施形態１に係る電子部品の断面図である。
図２は、同上の電子部品の斜視図である。
図３は、同上の電子部品の平面図である。
図４は、同上の電子部品の下面図である。
図５Ａは、同上の電子部品における第１金属パターン部を透視した平面図である。図５Ｂは、同上の電子部品における第２金属パターン部を透視した平面図である。図５Ｃは、同上の電子部品における第３金属パターン部を透視した平面図である。図５Ｄは、同上の電子部品における第４金属パターン部を透視した平面図である。図５Ｅは、同上の電子部品における第５金属パターン部を透視した平面図である。図５Ｆは、同上の電子部品における第６金属パターン部を透視した平面図である。
図６は、同上の電子部品の回路図である。
図７は、同上の電子部品の等価回路図である。
図８は、同上の電子部品の特性図である。
図９は、実施形態２に係る電子部品の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態１～２等について、図面を参照して説明する。以下の実施形態等において参照する図は、模式的な図であり、図中の構成要素の大きさ及び厚さは必ずしも実際の寸法を反映しているとは限らず、構成要素間における大きさの比及び厚さの比も、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許