TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2025014349
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-01-30
出願番号
2023116838
出願日
2023-07-18
発明の名称
絶縁チップおよび信号伝達装置
出願人
ローム株式会社
代理人
個人
,
個人
主分類
H01L
21/768 20060101AFI20250123BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】改善された接続配線を含む絶縁チップを提供すること。
【解決手段】第1接続配線60Aは、絶縁体84内であって絶縁下面84r寄りに配置された第1層配線62Aと、絶縁体84内であって絶縁上面84s寄りに配置され、Z方向において第1層配線62Aと対向する第2層配線63Aと、第1層配線62Aと第2層配線63Aとを電気的に接続する貫通配線64Aと、を含む。絶縁体84は、Z方向において、第1層配線62Aと第2層配線63Aとの間に形成され、複数の絶縁層85のうち2つ以上の絶縁層85を貫通する貫通孔71Aを含む。貫通配線64Aは、貫通孔71Aに配置されている。貫通孔71Aは、Z方向から視て円形状である。
【選択図】図8
特許請求の範囲
【請求項1】
厚さ方向において互いに反対側を向く絶縁下面および絶縁上面を含み、前記厚さ方向に積層された複数の絶縁層によって構成された絶縁体と、
前記絶縁体内であって前記絶縁下面寄りに配置された第1導電体と、
前記絶縁体内であって前記絶縁上面寄りに配置され、前記厚さ方向において前記第1導電体と対向する第2導電体と、
前記絶縁上面に設けられた第1電極パッドと、
前記第1導電体と前記第1電極パッドとを電気的に接続する接続配線と、
を含み、
前記接続配線は、
前記絶縁体内であって前記絶縁下面寄りに配置された第1層配線と、
前記絶縁体内であって前記絶縁上面寄りに配置され、前記厚さ方向において前記第1層配線と対向する第2層配線と、
前記第1層配線と前記第2層配線とを電気的に接続する貫通配線と、
を含み、
前記絶縁体は、前記厚さ方向において、前記第1層配線と前記第2層配線との間に形成され、前記複数の絶縁層のうち2つ以上の絶縁層を貫通する貫通孔を含み、
前記貫通配線は、前記貫通孔に配置され、
前記貫通孔は、前記厚さ方向から視て円形状である、
絶縁チップ。
続きを表示(約 870 文字)
【請求項2】
前記貫通孔の底面の直径に対する前記貫通孔の深さの比の値であるアスペクト比は1以下である、
請求項1に記載の絶縁チップ。
【請求項3】
前記貫通孔のアスペクト比は、0.5以下である、
請求項2に記載の絶縁チップ。
【請求項4】
前記貫通孔の側面は、2つ以上の前記絶縁層に跨って連続的に形成されている、
請求項1に記載の絶縁チップ。
【請求項5】
前記貫通孔は、前記第2層配線に向かうにつれて直径が徐々に広がるように形成されている、
請求項1に記載の絶縁チップ。
【請求項6】
前記貫通孔は、前記第1層配線寄りの第1部分と、前記第2層配線よりの第2部分と、を含み、
前記第2部分は、前記第2層配線に向かうにつれて直径が徐々に大きくなるように形成されている、
請求項1に記載の絶縁チップ。
【請求項7】
前記第1部分は、前記第2層配線に向かうにつれて直径が徐々に大きくなるように形成され、
前記第1部分の側面の第1傾斜角度は、前記第2部分の側面の第2傾斜角度よりも大きい、
請求項6に記載の絶縁チップ。
【請求項8】
前記貫通孔は、3つの前記絶縁層を貫通して形成されている、
請求項1に記載の絶縁チップ。
【請求項9】
前記第1層配線と前記第2層配線との間には、4つ以上の前記絶縁層が配置されており、
前記第1層配線と前記第2層配線は、前記厚さ方向に配置された複数の前記貫通配線により電気的に接続されている、
請求項1に記載の絶縁チップ。
【請求項10】
前記第1層配線は、前記厚さ方向において前記第1導電体と同じ位置に配置され、
前記第2層配線は、前記厚さ方向において前記第2導電体と同じ位置に配置されている、
請求項1に記載の絶縁チップ。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、絶縁チップおよび信号伝達装置に関するものである。
続きを表示(約 3,700 文字)
【背景技術】
【0002】
従来、入出力間を絶縁しつつパルス信号を伝達する信号伝達装置は、電源装置やモータ駆動装置などの様々なアプリケーションに用いられている。信号伝達装置の一例として、トランジスタ等のスイッチング素子のゲートにゲート電圧を印加する絶縁型のゲートドライバが知られている。このようなゲートドライバに用いられる絶縁チップの一例として、絶縁層積層構造内に形成されたコイルを含む構造が知られている(たとえば特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2018-78169号公報
【0004】
[概要]
ところで、信号伝達装置に用いられる絶縁チップでは、絶縁層積層構造内の低電圧配線によって、絶縁層積層構造上に形成された低電圧パッドと接続される。この低電圧配線については、改善の余地がある。
【0005】
本開示の一態様である絶縁チップは、厚さ方向において互いに反対側を向く絶縁下面および絶縁上面を含み、前記厚さ方向に積層された複数の絶縁層によって構成された絶縁体と、前記絶縁体内であって前記絶縁下面寄りに配置された第1導電体と、前記絶縁体内であって前記絶縁上面寄りに配置され、前記厚さ方向において前記第1導電体と対向する第2導電体と、前記絶縁上面に設けられた第1電極パッドと、前記第1導電体と前記第1電極パッドとを電気的に接続する接続配線と、を含み、前記接続配線は、前記絶縁体内であって前記絶縁下面寄りに配置された第1層配線と、前記絶縁体内であって前記絶縁上面寄りに配置され、前記厚さ方向において前記第1層配線と対向する第2層配線と、前記第1層配線と前記第2層配線とを電気的に接続する貫通配線と、を含み、前記絶縁体は、前記厚さ方向において、前記第1層配線と前記第2層配線との間に形成され、前記複数の絶縁層のうち2つ以上の絶縁層を貫通する貫通孔を含み、前記貫通配線は、前記貫通孔に配置され、前記貫通孔は、前記厚さ方向から視て円形状である。
【0006】
本開示の一態様である信号伝達装置は、絶縁チップと、前記絶縁チップが搭載された第1ダイパッドと、前記絶縁チップおよび前記第1ダイパッドを封止する封止樹脂と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0007】
図1は、信号伝達装置の構成の一例を模式的に示す回路図である。
図2は、図1の信号伝達装置の構成を模式的に示す概略平面図である。
図3は、図1の信号伝達装置の構成を模式的に示す概略断面図である。
図4は、第1実施形態の絶縁チップを示す概略斜視図である。
図5は、図4の絶縁チップの概略平面図である。
図6は、図5の絶縁チップの第1コイルを示す概略平面図である。
図7は、図5の絶縁チップの第2コイルを示す概略平面図である。
図8は、図5の8-8線で切断した絶縁チップの概略断面図である。
図9は、図5の9-9線で切断した絶縁チップの概略断面図である。
図10は、図8の接続配線の第1層配線および貫通配線を模式的に示す概略平面図である。
図11は、図10の11-11線で切断した接続配線の一部を拡大して示す概略断面図である。
図12は、図8の接続配線の製造工程を説明するための概略断面図である。
図13は、図12に続く製造工程を示す概略断面図である。
図14は、図13に続く製造工程を示す概略断面図である。
図15は、図14に続く製造工程を示す概略断面図である。
図16は、図15に続く製造工程を示す概略断面図である。
図17は、図16に続く製造工程を示す概略断面図である。
図18は、図17に続く製造工程を示す概略断面図である。
図19は、図18に続く製造工程を示す概略断面図である。
図20は、図19に続く製造工程を示す概略断面図である。
図21は、図20に続く製造工程を示す概略断面図である。
図22は、図21に続く製造工程を示す概略断面図である。
図23は、図11の貫通配線を形成するための導電層の形成過程を模式的に示す概略断面図である。
図24は、図11の貫通配線を形成するための導電層の形成過程を模式的に示す概略断面図である。
図25は、図11の貫通配線を形成するための導電層の形成過程を模式的に示す概略平面図である。
図26は、図11の貫通配線を形成するための導電層の形成過程を模式的に示す概略平面図である。
図27は、図11の貫通配線を形成するための導電層の形成過程を模式的に示す概略平面図である。
図28は、比較例の接続配線の構成を模式的に示す概略平面図である。
図29は、図28の接続配線の一部を拡大して示す概略断面図である。
図30は、図29の比較例の貫通配線を形成するための導電層の形成過程を模式的に示す概略断面図である。
図31は、図29の比較例の貫通配線を形成するための導電層の形成過程を模式的に示す概略断面図である。
図32は、図29の比較例の貫通配線を形成するための導電層の形成過程を模式的に示す概略平面図である。
図33は、図29の比較例の貫通配線を形成するための導電層の形成過程を模式的に示す概略平面図である。
図34は、図29の比較例の貫通配線を形成するための導電層の形成過程を模式的に示す概略平面図である。
図35は、第2実施形態の絶縁チップを模式的に示す概略断面図である。
図36は、図35の接続配線の第1層配線および貫通配線を模式的に示す概略平面図である。
図37は、図36の37-37線で切断した接続配線を示す概略断面図である。
図38は、図37の接続配線の製造工程を説明するための概略断面図である。
図39は、図38に続く製造工程を示す概略断面図である。
図40は、図39に続く製造工程を示す概略断面図である。
図41は、図40に続く製造工程を示す概略断面図である。
図42は、図41に続く製造工程を示す概略断面図である。
図43は、図42に続く製造工程を示す概略断面図である。
図44は、第3実施形態の絶縁チップを模式的に示す概略断面図である。
図45は、図44の接続配線の第1層配線および貫通配線を模式的に示す概略平面図である。
図46は、図45の接続配線の製造工程を説明するための概略断面図である。
図47は、図46に続く製造工程を示す概略断面図である。
図48は、図47に続く製造工程を示す概略断面図である。
図49は、図48に続く製造工程を示す概略断面図である。
図50は、図49に続く製造工程を示す概略断面図である。
図51は、信号伝達装置の構成の一例を模式的に示す回路図である。
図52は、第4実施形態の絶縁チップの構成を模式的に概略断面図である。
図53は、変更例の絶縁チップの構成を模式的に示す概略断面図である。
図54は、変更例の絶縁チップの構成を模式的に示す概略断面図である。
図55は、変更例の信号伝達装置の構成を模式的に示す概略断面図である。
【0008】
[詳細な説明]
以下、添付図面を参照して本開示の絶縁チップおよび信号伝達装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。本開示における「第1」、「第2」、「第3」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
【0009】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【0010】
(信号伝達装置の概略構成)
図1から図3を参照して、信号伝達装置10の概略構成について説明する。
図1は、信号伝達装置10の回路構成の一例を模式的して示している。図2は、信号伝達装置10の内部構成を模式的に示す平面構造の一例を示している。図3は、信号伝達装置10の一部の内部構成を模式的に示す断面構造の一例を示している。なお、図3では、便宜上、ハッチング線を省略している。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
個人
テーブルタップ
18日前
三洋化成工業株式会社
軟磁性材料
8日前
キヤノン株式会社
電子機器
18日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
18日前
株式会社ヨコオ
同軸コネクタ
14日前
古河電池株式会社
制御弁式鉛蓄電池
14日前
株式会社ヨコオ
ソケット
1日前
日本特殊陶業株式会社
保持装置
8日前
株式会社半導体エネルギー研究所
電池
7日前
日新電機株式会社
変圧器
2日前
個人
六角形パネル展開アレーアンテナ
18日前
株式会社ユーシン
スイッチ装置
18日前
株式会社ユーシン
スイッチ装置
18日前
三洲電線株式会社
撚線導体
8日前
TDK株式会社
コイル部品
14日前
ローム株式会社
半導体装置
18日前
住友電装株式会社
コネクタ
14日前
株式会社デンソー
半導体装置
18日前
大和電器株式会社
コンセント
14日前
太陽誘電株式会社
コイル部品
18日前
三洋化成工業株式会社
リチウムイオン電池
8日前
株式会社デンソー
半導体装置
18日前
トヨタバッテリー株式会社
二次電池
1日前
オムロン株式会社
リード線整列治具
18日前
ニチコン株式会社
コンデンサ
14日前
シャープ株式会社
アンテナ装置
1日前
個人
ユニバーサルデザインコンセントプラグ
18日前
株式会社村田製作所
コイル部品
今日
マクセル株式会社
電気化学素子
18日前
日本無線株式会社
モノポールアンテナ
18日前
河村電器産業株式会社
接続装置
2日前
河村電器産業株式会社
接続装置
2日前
ローム株式会社
半導体発光装置
14日前
株式会社村田製作所
電池パック
8日前
TDK株式会社
電子部品
14日前
富士電機機器制御株式会社
開閉器
15日前
続きを見る
他の特許を見る