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公開番号2025014013
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-28
出願番号2024189550,2023062456
出願日2024-10-29,2014-06-26
発明の名称液晶表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G02F 1/1368 20060101AFI20250121BHJP(光学)
要約【課題】開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する半導体
装置において、コストを削減することが可能な作製方法を提供する。または、消費電力を
低減する可能な半導体装置において、コストを削減することが可能な作製方法を提供する
。
【解決手段】、トランジスタと容量素子とを同時に作製する方法であって、多階調フォト
マスクを用いた工程により、トランジスタに含まれるチャネル領域を有する金属酸化物膜
及びチャネル保護膜と、容量素子の一方の電極とを形成する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
トランジスタのチャネル形成領域を有する第１の金属酸化物膜と、
前記トランジスタの走査線と、
前記第１の金属酸化物膜と電気的に接続されたソース配線と、
前記第１の金属酸化物膜と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と絶縁膜を介して重なる領域を有する第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜と電気的に接続された配線と、
前記配線は、前記ソース配線が延伸する方向に配置された複数の画素に渡って配置される領域を有し、
前記配線は、第１の領域と、前記第１の領域よりも線幅の細い第２の領域を有し、
前記ソース配線は、第３の領域と、前記第３の領域よりも線幅の細い第４の領域を有し、
前記走査線は、前記第２の領域と前記第４の領域とに重なっている、液晶表示装置。
続きを表示（約 140 文字）【請求項２】
請求項１において、
平面視において、前記画素電極は、前記配線とは重ならない、液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の金属酸化物膜の上面に接する領域を有する酸化物絶縁膜を有する、液晶表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、トランジスタを有する半導体装置の作製方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や発光表示装置に代表されるフラットパネルディスプレイの多くに用いら
れているトランジスタは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン、単結晶シリ
コンまたは多結晶シリコンなどのシリコン半導体によって構成されている。また、該シリ
コン半導体を用いたトランジスタは、集積回路（ＩＣ）などにも利用されている。
【０００３】
近年、シリコン半導体に代わって、半導体特性を示す金属酸化物をトランジスタに用い
る技術が注目されている。なお、本明細書中では、半導体特性を示す金属酸化物を酸化物
半導体とよぶことにする。
【０００４】
例えば、酸化物半導体として、酸化亜鉛、またはＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いたト
ランジスタを作製し、該トランジスタを表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる
技術が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００７－１２３８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
市場で販売されている表示装置は、画面サイズが対角４０インチ以上と大型化する傾向
にあり、さらには、対角１２０インチ以上の画面サイズも視野に入れた開発が行われてい
る。このため、表示装置に用いられるガラス基板においては、第８世代以上の大面積化が
進んでいる。
【０００７】
ガラス基板の大面積化に伴い、表示装置の作製工程で使用される露光装置において、使
用されるフォトマスクが大きくなり、フォトマスクの価格が問題となっている。例えば、
第１０世代のフォトマスクは１枚１億円以上と高価であるため、フォトマスクの枚数を削
減した作製工程の開発が求められている。
【０００８】
一方で、表示装置の一例である液晶表示装置において、容量素子の電荷容量を大きくす
るほど、電界を加えた状況において、液晶素子の液晶分子の配向を一定に保つことができ
る期間を長くすることができる。静止画を表示させる表示装置において、当該期間を長く
できることは、画像データを書き換える回数を低減することができ、消費電力の低減が望
める。
【０００９】
そこで、容量素子の電荷容量を大きくするためには、容量素子の占有面積を大きくする
、具体的には一対の電極が重畳している面積を大きくするという手段がある。しかしなが
ら、上記表示装置において、一対の電極が重畳している面積を大きくするために遮光性を
有する導電膜の面積を大きくすると、画素の開口率が低減し、画像の表示品位が低下する
。
【００１０】
本発明の一態様は、開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を
有する半導体装置において、コストを削減することが可能な作製方法を提供することを課
題の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力を低減する可能な半導体装置におい
て、コストを削減することが可能な作製方法を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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