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公開番号2025011220
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-23
出願番号2024177697,2023538382
出願日2024-10-10,2022-07-06
発明の名称基板処理装置、情報処理方法及び記憶媒体
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250116BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】処理液の供給に係る異常要因を詳細且つ正確に特定可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布・現像装置は、基板の周縁部に対して除去液を吐出する除去液ノズルと、除去液の供給源と除去液ノズルとの間で除去液を通流させる処理液供給路である流路と、基板の周縁部を撮像する検査ユニットの撮像部と、流路に設けられ、流路における除去液の通流状態を観測する観測部としての各種センサーと、検査ユニットの撮像部57による撮像画像と各種センサーによる観測結果とに基づき、基板Wに対する除去液の供給に係る異常要因を特定する分析部と、を備える。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
基板の周縁部に対して処理液を吐出するノズルと、
前記処理液の供給源と前記ノズルとの間で前記処理液を通流させる処理液供給路と、
前記基板の周縁部を撮像する撮像部と、
前記処理液供給路に設けられ、前記処理液供給路における前記処理液の通流状態を観測する観測部と、
前記撮像部による撮像画像と前記観測部による観測結果とに基づき、前記基板に対する前記処理液の供給に係る異常要因を特定する分析部と、を備える基板処理装置。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記撮像部は、前記処理液によって膜が除去された前記周縁部の画像を撮像し、
前記分析部は、前記画像における前記膜が除去された領域よりも前記基板の内周側の領域の各画素値に基づき欠陥モードを特定し、特定した欠陥モードと前記観測結果とに基づき前記異常要因を特定する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記欠陥モードは、その種別として、前記各画素値が離散的な値となる第１欠陥モードと前記各画素値が連続的な値となる第２欠陥モードとを含み、
前記観測部は、前記処理液供給路に設けられたバルブ、フィルタ、及びポンプの少なくとも一つの構成の前後の前記通流状態を観測し、
前記分析部は、前記欠陥モードの種別を特定すると共に、特定した前記欠陥モードの種別と、前記少なくとも一つの構成の前後の通流状態とに基づき、前記構成に係る前記異常要因を特定する、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記分析部は、特定した前記異常要因毎に定められた所定の対策処理を実施する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記分析部は、特定した前記異常要因を、前記基板処理装置の使用者に通知する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記分析部は、前記観測部による前記観測結果のプロセスログを取得し、前記プロセスログに基づいて、複数の時間帯に係る前記異常要因それぞれの特定を、バッチ処理により実施する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記観測部は、前記処理液の流量を計測する流量計を含んでおり、
前記分析部は、前記流量計によって計測される前記処理液の流量が所定の範囲内であるか否かに基づいて、前記異常要因を特定する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記観測部は、前記処理液供給路に設けられたバルブ、フィルタ、及びポンプの少なくとも一つの構成の前後の前記処理液の液圧を計測する第１及び第２の液圧センサーを含んでおり、
前記分析部は、前記第１及び第２の液圧センサーによって計測される前記処理液の液圧の差分が所定の範囲内であるか否かに基づいて、前記異常要因を特定する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記観測部は、前記処理液供給路に設けられたバルブ、フィルタ、及びポンプの少なくとも一つの構成の前後の前記処理液の表面電位を計測する第１及び第２の表面電位計を含んでおり、
前記分析部は、前記第１及び第２の表面電位計によって計測される前記処理液の表面電位の差分が所定の範囲内であるか否かに基づいて、前記異常要因を特定する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板の周縁部に対して処理液を吐出するノズルと、前記処理液の供給源と前記ノズルとの間で前記処理液を通流させる処理液供給路と、を備える基板処理装置の情報を処理する情報処理方法であって、
前記処理液が供給された後の前記基板の周縁部の撮像画像を取得する撮像ステップと、
前記処理液供給路における前記処理液の通流状態の観測結果を取得する観測ステップと、
前記撮像画像と前記観測結果とに基づき、前記基板に対する前記処理液の供給に係る異常要因を特定する分析ステップと、を含む情報処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置、情報処理方法及び記憶媒体に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、調整用の半導体ウエハを塗布モジュールにて処理液で処理した後、撮像モジュールに搬送し、半導体ウエハの外端面及び裏面を撮像することが記載されている。また、特許文献１には、撮像結果に基づきベベル部の内縁に対する塗布膜の外縁の高さ寸法が許容値か否かを判定し、許容値でない場合に塗布モジュールの回転数を調整することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－９６６６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、処理液の供給に係る異常要因を詳細且つ正確に特定可能な基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板の周縁部に対して処理液を吐出するノズルと、処理液の供給源とノズルとの間で処理液を通流させる処理液供給路と、基板の周縁部を撮像する撮像部と、処理液供給路に設けられ、処理液供給路における処理液の通流状態を観測する観測部と、撮像部による撮像画像と観測部による観測結果とに基づき、基板に対する処理液の供給に係る異常要因を特定する分析部と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、処理液の供給に係る異常要因を詳細且つ正確に特定可能な基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
基板処理システムの概略構成を例示する模式図である。
塗布ユニットの概略構成を例示する模式図である。
処理液供給路におけるモニタリング構成を説明する図である。
検査ユニットの概略構成を例示する模式図である。
制御部の機能的な構成を例示する模式図である。
欠陥モードの具体的な態様であるスプラッシュ及びラフネスを説明する図である。
欠陥モードの切り分けを説明する図である。
フローメーターを用いたモニタリングを説明する図である。
液圧センサーを用いたモニタリングを説明する図である。
表面電位計を用いたモニタリングを説明する図である。
制御部のハードウェア構成を例示する模式図である。
カップからの跳ね返りに起因するスプラッシュ発生時の欠陥解決処理手順を示すフローチャートである。
吐出異常に起因するスプラッシュ発生時の欠陥解決処理手順を示すフローチャートである。
ラフネス発生時の欠陥解決処理手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板としては、半導体ウエハ、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（ＦｌａｔＰａｎｅｌＤｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。基板は、半導体ウエハ等の上に、前段の処理において被膜等が形成されたものも含む。
【００１０】
図１に示すように、基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。基板Ｗは、例えば円形であり、周方向における位置の基準となる位置指標（例えばノッチ）を周縁部に有する。具体的に、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、基板Ｗの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
（【００１１】以降は省略されています）

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