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公開番号2025009662
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023167881
出願日2023-09-28
発明の名称アレイ基板及び表示パネル
出願人深セン市華星光電半導体顕示技術有限公司
代理人個人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20250110BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】トランジスタの安定性不良の問題を改善するためのアレイ基板及び表示パネルの提供。
【解決手段】本願は、アレイ基板10及び表示パネルを提供し、基板101に配置された第1トランジスタ103と、基板に位置する、第1ドーピング部1032と前記第2ドーピング部1033は、それぞれ第1チャネル部1031の対向する両端に接続され、第1ドーピング部は、第1ドーピングサブ部10321と第2ドーピングサブ部10322とを含み、第2ドーピングサブ部は、第1チャネル部と第1ドーピングサブ部との間に接続され、第2ドーピングサブ部のイオンドーピング濃度は、第1ドーピングサブ部のイオンドーピング濃度よりも低く、第1ドーピングサブ部のイオンドーピング濃度は、第2ドーピング部のイオンドーピング濃度と同じである第1活性層と、ソース1081と、ドレイン1082と、を含むアレイ基板。
【選択図】図1H
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、前記基板に配置された第１トランジスタとを含み、
前記第１トランジスタは、
前記基板に位置し、第１チャネル部と、第１ドーピング部と、第２ドーピング部とを含み、前記第１ドーピング部と前記第２ドーピング部は、それぞれ前記第１チャネル部の対向する両端に接続され、前記第１ドーピング部は、第１ドーピングサブ部と第２ドーピングサブ部とを含み、前記第２ドーピングサブ部は、前記第１チャネル部と前記第１ドーピングサブ部との間に接続され、前記第２ドーピングサブ部のイオンドーピング濃度は、前記第１ドーピングサブ部のイオンドーピング濃度よりも低く、前記第１ドーピングサブ部のイオンドーピング濃度は、前記第２ドーピング部のイオンドーピング濃度と同じである第１活性層と、
前記第１活性層の一側に位置し、前記第１チャネル部と重なる第１ゲートと、
前記第２ドーピング部と接続されるソースと、前記第１ドーピング部の前記第１ドーピングサブ部と接続されるドレインと、を含む、
アレイ基板。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１ゲートは、前記第１活性層の前記基板から遠い側に位置し、
前記アレイ基板は第２トランジスタをさらに含み、
前記第２トランジスタは、
第２活性層であって、前記第２活性層の少なくとも一部は、前記第１ゲートの前記基板から遠い側に位置し、前記第２活性層は、第２チャネル部と第３ドーピング部と第４ドーピング部とを含み、前記第３ドーピング部と前記第４ドーピング部は、それぞれ前記第２チャネル部の対向する両端に接続され、前記第２チャネル部は、前記第１チャネル部及び前記第２ドーピングサブ部と重なり、前記第３ドーピング部は前記第２ドーピング部と重なり、前記第４ドーピング部は前記第１ドーピングサブ部と重なる第２活性層と、
前記第２活性層の前記基板から遠い側に位置し、前記第２チャネル部と重なる第２ゲートと、を含む、
請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記第１トランジスタは、前記第２トランジスタと並列に接続される、
請求項２に記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記アレイ基板は、前記第１ゲートと前記第２活性層との間に配置された第１絶縁層をさらに含み、前記第３ドーピング部は前記第１絶縁層を貫通した第１ビアを介して前記第２ドーピング部と接続される、
請求項２に記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記アレイ基板は、前記第２活性層と前記第２ゲートとの間に配置された第２絶縁層と、前記第２ゲートを覆う第３絶縁層とをさらに含み、前記ソースは前記第３絶縁層に位置し、前記ソースは、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通した第２ビアを介して前記第３ドーピング部と接続される、
請求項４に記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記ドレインは前記第３絶縁層に位置し、前記ドレインは、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通した第３ビアを介して前記第１ドーピングサブ部と接続される、
請求項５に記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記第４ドーピング部は、前記第１絶縁層を貫通した第４ビアを介して前記第１ドーピングサブ部と接続される、
請求項６に記載のアレイ基板。
【請求項８】
前記アレイ基板は、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通した第５ビアをさらに含み、前記ドレインは前記第５ビアを介して前記第４ドーピング部と接続される、
請求項６に記載のアレイ基板。
【請求項９】
前記第２活性層の厚さは、前記第１活性層の厚さよりも小さい、
請求項２に記載のアレイ基板。
【請求項１０】
請求項１～９のいずれか１項に記載のアレイ基板を含む、
表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は表示技術分野に関し、特にアレイ基板及び表示パネルに関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
現在、表示パネルの動作性能を向上させるために高移動度トランジスタを開発することは、表示技術分野における研究の焦点となっている。しかしながら、高移動度トランジスタは、動作時の安定性が低いという問題がある。
【０００３】
従って、高移動度トランジスタの低安定性を如何に改善するかという課題は、解決すべき技術的課題である。
【発明の概要】
【０００４】
本発明は、トランジスタの安定性不良の問題を改善するためのアレイ基板及び表示パネルを提供することを目的とする。
【０００５】
第１方面では、本願はアレイ基板を提供し、前記アレイ基板は、
基板と、
前記基板に配置された第１トランジスタと、を含み、前記第１トランジスタは、
前記基板に位置し、第１チャネル部と、第１ドーピング部と、第２ドーピング部とを含み、前記第１ドーピング部と前記第２ドーピング部は、それぞれ前記第１チャネル部の対向する両端に接続され、前記第１ドーピング部は、第１ドーピングサブ部と第２ドーピングサブ部とを含み、前記第２ドーピングサブ部は、前記第１チャネル部と前記第１ドーピングサブ部との間に接続され、前記第２ドーピングサブ部のイオンドーピング濃度は、前記第１ドーピングサブ部のイオンドーピング濃度よりも低く、前記第１ドーピングサブ部のイオンドーピング濃度は、前記第２ドーピング部のイオンドーピング濃度と同じである第１活性層と、
前記第１活性層の一側に位置し、前記第１チャネル部と重なる第１ゲートと、
前記第２ドーピング部と接続されるソースと、前記第１ドーピング部の前記第１ドーピングサブ部と接続されるドレインと、を含む。
【０００６】
第２方面では、本願は表示パネルを提供し、前記表示パネルは上記の実施例におけるいずれかのアレイ基板を含む。
【０００７】
第２ドーピング部のイオンドーピング濃度は、第１ドーピング部のイオンドーピング濃度よりも低く、第１ドーピング部のイオンドーピング濃度は、第２ドーピング部のイオンドーピング濃度と同じであるため、第２ドーピングサブ部の抵抗を第１ドーピングサブ部の抵抗より大きくさせ、ドレインと接続される第１ドーピング部の電圧降下を低減し、第１トランジスタの自己発熱による安定性不良の問題を改善した。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本願の一部の実施例に係るアレイ基板の製造プロセスを示す構造模式図である。
本願の一部の実施例に係るアレイ基板の製造プロセスを示す構造模式図である。
本願の一部の実施例に係るアレイ基板の製造プロセスを示す構造模式図である。
本願の一部の実施例に係るアレイ基板の製造プロセスを示す構造模式図である。
本願の一部の実施例に係るアレイ基板の製造プロセスを示す構造模式図である。
本願の一部の実施例に係るアレイ基板の製造プロセスを示す構造模式図である。
本願の一部の実施例に係るアレイ基板の製造プロセスを示す構造模式図である。
本願の一部の実施例に係るアレイ基板の製造プロセスを示す構造模式図である。
本願の他の一部の実施例に係るアレイ基板を示す構造模式図である。
本願の他の一部の実施例に係るアレイ基板を示す構造模式図である。
本願の一部の実施例に係る表示パネルを示す断面模式図である。
本願の他の一部の実施例に係る表示パネルを示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本願の実施例における添付の図面と合わせて、本願の実施例における技術案を、明確かつ全面に説明する。本願に記載された実施例は本願の一部の実施例に過ぎず、全ての実施例ではないことは明らかである。当業者が本願における実施例に基づいて、発明的な努力を伴わずに得られた他の全ての実施例は、本願の保護の範囲内に属する。
【００１０】
図１Ａ～図１Ｈは、本願の一部の実施例に係るアレイ基板の製造プロセスを示す構造模式図である。以下、図１Ａ～図１Ｈと合わせて、本願の一部の実施例に係るアレイ基板の製造プロセスを説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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