特許ウォッチ

公開番号2025008220
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023110189
出願日2023-07-04
発明の名称基板処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 7/26 20060101AFI20250109BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】薄膜かつ露光部を選択的に除去可能なレジスト膜を形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、金属含有層とハロゲン含有層とを積層した積層構造膜を形成する工程と、所定のパターンで前記積層構造膜に極端紫外線を照射し、前記積層構造膜に、前記極端紫外線が照射された露光部と、前記極端紫外線が照射されていない未露光部と、を形成する工程と、前記積層構造膜の前記露光部を選択的に除去する工程と、を有する、基板処理方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板の上に、金属含有層とハロゲン含有層とを積層した積層構造膜を形成する工程と、
所定のパターンで前記積層構造膜に極端紫外線を照射し、前記積層構造膜に、前記極端紫外線が照射された露光部と、前記極端紫外線が照射されていない未露光部と、を形成する工程と、
前記積層構造膜の前記露光部を選択的に除去する工程と、を有する、
基板処理方法。
続きを表示（約 1,700 文字）【請求項２】
前記金属含有層は、
金属含有前駆体ガスを含む第１の処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマに前記基板をさらして、前記金属含有層を形成する、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記金属含有前駆体ガスは、
化学式Ｍ
Ｘ
Ｃ
Ｙ
Ｈ
Ｚ
で表され、
Ｍは金属であり、ＸとＺは１以上の整数であり、Ｙは０又は１以上の整数である、
請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記金属含有前駆体ガスは、
化学式Ｍ
Ｗ
Ｈａ
Ｘ
Ｃ
Ｙ
Ｈ
Ｚ
で表され、
Ｍは金属であり、Ｈａはハロゲンであり、Ｗは１以上の整数であり、Ｘ，Ｙ，Ｚは０又は１以上の整数である、
請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記金属含有前駆体ガスは、
化学式Ｍ
Ｖ
Ｎ
Ｗ
Ｈ
Ｘ
Ｃ
Ｙ
Ｏ
Ｚ
で表され、
Ｍは金属であり、Ｖは１以上の整数であり、Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは０又は１以上の整数である、
請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記金属（Ｍ）は、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｗから選択される１つである、
請求項３乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記金属含有前駆体ガスは、
Ｓｎ（ＣＨ
３
）
４
、ＳｎＨ（ＣＨ
３
）
３
、ＳｎＨ
２
（ＣＨ
３
）
２
、Ｓｎ（Ｃ
２
Ｈ
５
）
４
、Ａｌ（ＣＨ
３
）
３
、Ｃｏ（Ｃ
５
Ｈ
５
）
２
、ＳｎＲ
４
、ＳｎＨＲ
３
、（但し、Ｒは、－ＣＨ
３
、－Ｃ
２
Ｈ
３
、－Ｃ
３
Ｈ
５
、－Ｃ
４
Ｈ
７
、－Ｃ
６
Ｈ
６
）、ＳｎＨ
４
、ＳｎＨ
３
Ｃｌ、ＳｎＣｌ
３
Ｃ
４
Ｈ
９
、ＡｌＣｌ
３
、Ａｌ（Ｃ
２
Ｈ
５
）
２
Ｃｌ、ＴｉＣｌ
４
、ＴａＣｌ
５
、ＧｅＨ
４
、Ｇｅ（ＣＨ
３
）
４
、Ｓｎ（Ｎ（ＣＨ
３
）
２
）
４
、Ｓｎ（Ｏ－Ｃ
４
Ｈ
９
）
４
、Ａｌ（Ｎ（ＣＨ
３
）
２
）
３
【請求項８】
前記ハロゲン含有層は、
ハロゲン含有前駆体ガスを含む第２の処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマに前記基板をさらして、前記ハロゲン含有層を形成する、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記ハロゲン含有前駆体ガスは、
化学式Ｃ
α
Ｈ
β
Ｈａ
γ
で表され、
Ｈａはハロゲンであり、αとγは１以上の整数であり、βは０又は１以上の整数である、
請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記ハロゲン（Ｈａ）は、Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ，Ｉから選択される１つである、
請求項９に記載の基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板の表面に遷移金属酸化物膜からなる感光性ハードマスクを形成することと、前記感光性ハードマスクにＥＵＶ光を所望のパターンで露光することと、露光の際の熱により露光領域に状態変化を生じさせることと、前記状態変化が生じた領域と、前記状態変化が生じていない領域のいずれか一方を選択的に除去することと、を有するパターン形成方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－１２０４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、薄膜かつ露光部を選択的に除去可能なレジスト膜を形成する基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板の上に、金属含有層とハロゲン含有層とを積層した積層構造膜を形成する工程と、所定のパターンで前記積層構造膜に極端紫外線を照射し、前記積層構造膜に、前記極端紫外線が照射された露光部と、前記極端紫外線が照射されていない未露光部と、を形成する工程と、前記積層構造膜の前記露光部を選択的に除去する工程と、を有する、基板処理方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、本開示は、薄膜かつ露光部を選択的に除去可能なレジスト膜を形成する基板処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本実機形態に係る基板処理装置の一例を示す概略断面図。
本実機形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。
本実機形態に係る基板処理方法によって開口のパターンを有するレジスト膜が形成された基板の断面模式図の一例。
本実機形態に係る基板処理装置によって形成された積層構造のレジスト膜の構造を模式的に示す図。
露光部のレジスト膜の各工程の構造を模式的に示す図。
未露光部のレジスト膜の各工程の構造を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
＜基板処理装置＞
本実機形態に係る基板処理装置１の一例について、図１を用いて説明する。図１は、本実機形態に係る基板処理装置１の一例を示す概略断面図である。基板処理装置１は、プラズマを用いた化学気相堆積（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法により、半導体ウエハ等の基板Ｗに積層構造のレジスト膜（積層構造膜）２３０（後述する図３参照）を形成する成膜装置である。
【００１０】
基板処理装置１は、略円筒状の気密な処理容器２を備える。処理容器２の底壁の中央部分には、排気室２１が設けられている。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許