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公開番号2024177132
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-19
出願番号2024092425
出願日2024-06-06
発明の名称樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
出願人花王株式会社
代理人弁理士法人池内アンドパートナーズ
主分類G03F 7/42 20060101AFI20241212BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】一態様において、樹脂マスク除去性に優れる洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、多価アルコール(成分A)、アミン類(成分B)、及びハンセン溶解パラメータSP値が18～33MPa^1/2である有機溶剤(ただし、成分A及び成分Bを除く)(成分C)を含有し、成分Aと成分Bとの質量比A/Bが2以上8以下であり、成分Cが含硫黄化合物及び含窒素化合物から選ばれる少なくとも1種である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物に関する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
多価アルコール（成分Ａ）、アミン類（成分Ｂ）、及びハンセン溶解パラメータＳＰ値が１８～３３ＭＰａ
1/2
である有機溶剤（ただし、成分Ａ及び成分Ｂを除く）（成分Ｃ）を含有し、
成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂが２以上８以下であり、
成分Ｃが含硫黄化合物及び含窒素化合物から選ばれる少なくとも１種である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物。
続きを表示（約 580 文字）【請求項２】
成分Ａは、エチレングリコール及びジエチレングリコールの少なくとも一方である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
【請求項３】
成分Ｂは、アルカノールアミンである、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
【請求項４】
成分Ｂは、モノエタノールアミン及びＮ－メチルモノエタノールアミンの少なくとも一方である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
【請求項５】
成分Ｃが含硫黄化合物と含窒素化合物とからなる混合有機溶剤である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
【請求項６】
成分Ａの含有量が４質量％以上１６質量％以下である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
【請求項７】
成分Ｂの含有量が０．５質量％以上８質量％以下である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
【請求項８】
成分Ａと成分Ｃとの合計含有量が９０質量％以上９９．５質量％以下である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
【請求項９】
糖類（成分Ｄ）をさらに含有し、
成分Ｄの含有量は、０．０１質量％以上３質量％以下である、請求項１に記載の洗剤組成物。
【請求項１０】
成分Ｄの分子量は、３５以上７００以下である、請求項９に記載の洗浄剤組成物。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物及びこれを用いる洗浄方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータや各種電子デバイスにおいては、低消費電力化、処理速度の高速化、小型化が進み、これらに搭載されるパッケージ基板などの配線は年々微細化が進んでいる。このような微細配線並びにピラーやバンプといった接続端子形成にはこれまでメタルマスク法が主に用いられてきたが、汎用性が低いことや配線等の微細化への対応が困難になってきたことから、他の新たな方法へと変わりつつある。
新たな方法の一つとして、ドライフィルムレジストをメタルマスクに代えて厚膜樹脂マスクとして使用する方法が知られている。この樹脂マスクは最終的に剥離・除去されるが、その際にアルカリ性の剥離用洗浄剤が使用される。
【０００３】
半導体素子は、半導体基板上にレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成し、次いで該レジストパターンをマスクとし非マスク領域の半導体基板のエッチングを行い、微細回路を形成した後、上記フォトレジストを半導体基板上から剥離して、あるいは同様にして微細回路を形成した後、アッシングを行い残存するレジスト残渣物を半導体基板上から剥離することにより得られる。
このようなレジスト剥離用洗浄剤として、特許文献１には、アミン、ハンセン溶解パラメータが１８～３３ＭＰａ
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である有機溶媒、糖類、及び０～５重量％の水を含有するレジスト用剥離剤組成物が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００５－５５７０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体素子の製造過程において、半導体基板、金属配線及び層間絶縁膜薄膜等に付着した樹脂マスクの残渣は、半導体チップと他の部品との接続不良や電子部品の破壊の原因になるため不良品になり半導体チップの歩留まりが低下するので、洗浄剤組成物には高い樹脂マスク除去性（剥離性）が要求される。特許文献１で提案されている洗浄剤組成物では、樹脂マスクに対する除去性に改善の余地があった。一般的に、樹脂マスクがネガ型レジストである場合、ポジ型レジストに比べて剥離し難く、ネガ型レジストの剥離には過酷な条件（例えば、高温で長時間処理剤（洗浄剤）と接触させるなど）が必要である。そのため、洗浄剤組成物には、ネガ型レジストを温和な処理条件で剥離できること、すなわち、優れた樹脂マスク除去性が求められる。
【０００６】
そこで、本開示は、樹脂マスク除去性に優れる樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物、洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、一態様において、多価アルコール（成分Ａ）、アミン類（成分Ｂ）、及びハンセン溶解パラメータＳＰ値が１８～３３ＭＰａ
1/2
である有機溶剤（ただし、成分Ａ及び成分Ｂを除く）（成分Ｃ）を含有し、成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂが２以上８以下であり、成分Ｃが含硫黄化合物及び含窒素化合物から選ばれる少なくとも１種である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物に関する。
【０００８】
本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物を用いて樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む洗浄方法に関する。
【０００９】
本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、半導体素子の製造方法に関する。
【００１０】
本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法を用いて樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、半導体素子の製造方法に関する。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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