特許ウォッチ

公開番号2024167936
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-05
出願番号2023084264
出願日2023-05-23
発明の名称半導体装置、および半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/48 20060101AFI20241128BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体素子に導通する2つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A10は、第1導通部材20と、第1導通部材20に導電接合された第2導通部材30と、第1導通部材20および第2導通部材30の各々に導通する半導体素子10と、第1導通部材20と第2導通部材30とを導電接合する第1接合層51と、第1導通部材20および第2導通部材30の各々に接する規制部材80と、半導体素子10および規制部材80を覆う封止樹脂60を備える。規制部材80の融点は、第1接合層51の融点よりも高い。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
第１導通部材と、
前記第１導通部材に導電接合された第２導通部材と、
前記第１導通部材および前記第２導通部材の各々に導通する半導体素子と、
前記第１導通部材と前記第２導通部材とを導電接合する接合層と、
前記第１導通部材と前記第２導通部材の各々に接する規制部材と、
前記半導体素子および前記規制部材を覆う封止樹脂と、を備え、
前記規制部材の融点は、前記接合層の融点よりも高い、半導体装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記第１導通部材は、第１方向を向く接合面を有し、
前記第２導通部材は、前記接合面に対向する第１接合部を有し、
前記接合層の少なくとも一部は、前記接合面と前記第１接合部との間に位置しており、
前記規制部材は、前記接合面と前記第１接合部との各々に接している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記規制部材は、絶縁体である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記規制部材は、樹脂を含む、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記規制部材のガラス転移点は、日本産業規格が規定する常温よりも高い、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１接合部は、前記第１方向に対して直交する方向を向く第１面を有し、
前記規制部材は、前記第１面に接している、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１面は、互いに異なる方向を向く第１領域および第２領域を含み、
前記規制部材は、前記第１領域および前記第２領域の各々に接している、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１接合部は、前記第１方向において前記接合面と同じ側を向く第２面を有し、
前記規制部材は、前記第２面に接している、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１導通部材には、前記接合面から凹む第１凹部が設けられており、
前記規制部材の一部は、前記第１凹部に収容されている、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１接合部には、前記第１面から凹む第２凹部が設けられており、
前記規制部材の一部は、前記第２凹部に収容されている、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置およびその製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１リードおよび第２リードと、第１リードおよび第２リードの各々に導電接合された半導体素子と、半導体素子を覆う封止樹脂とを具備する半導体装置の一例が開示されている。第２リードは、半導体素子を搭載している。第１リードおよび第２リードの各々の一部は、封止樹脂から露出している。封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分は、外装めっき層により覆われている。外装めっき層は、錫を含む。これにより、当該半導体装置を配線基板に実装する際、封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分に対してハンダがなじみやすくなる。これにより、ハンダに対する第１リードおよび第２リードの各々の接触面積の拡大を図ることができる。
【０００３】
ここで、特許文献１に開示されている半導体装置においては、第１リードを２つの導通部材に分割することがある。２つの導通部材の一方は、半導体素子に導電接合される。あわせて、分割された２つの導通部材は、ハンダなどの接合層により導電接合される。この場合において、２つの導通部材の導電接合の際、溶融した接合層の影響により当該２つの導通部材の相互位置ずれが発生することがある。相互位置ずれの規模が大きくなると、２つの導通部材のうち、半導体素子に導電接合される導通部材に流れる電流が減少するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１７－１６８５５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は先述の事情に鑑み、半導体素子に導通する２つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１導通部材と、前記第１導通部材に導電接合された第２導通部材と、前記第１導通部材および前記第２導通部材の各々に導通する半導体素子と、前記第１導通部材と前記第２導通部材とを導電接合する接合層と、前記第１導通部材と前記第２導通部材の各々に接する規制部材と、前記半導体素子および前記規制部材を覆う封止樹脂とを備える。前記規制部材の融点は、前記接合層の融点よりも高い。
【０００７】
本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、第１導通部材の隣に半導体素子を配置する工程と、接合層を介して第２導通部材を前記第１導通部材の上に配置するとともに、前記第２導通部材を前記半導体素子の上に配置する工程と、前記第１導通部材および前記第２導通部材の各々に接する規制部材を形成する工程と、前記接合層を溶融させることにより前記第２導通部材を前記第１導通部材に導電接合するとともに、前記第２導通部材を前記半導体素子に導電接合する工程と、前記半導体素子および前記規制部材を覆う封止樹脂を形成する工程と、を備える。前記規制部材の融点は、前記接合層の融点よりも高い。
【発明の効果】
【０００８】
本開示にかかる半導体装置が具備する構成によれば、半導体素子に導通する２つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能となる。
【０００９】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
図２は、図１に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図３は、図１に示す半導体装置の正面図である。
図４は、図１に示す半導体装置の右側面図である。
図５は、図２のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。
図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
図９は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
図１０は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
図１１は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
図１２は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
図１３は、本開示の第１実施形態の変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。
図１４は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。
図１６は、図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。
図１７は、図１５の部分拡大断面図である。
図１８は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。
図２０は、図１８のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。
図２１は、図１９の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許