特許ウォッチ

公開番号2024167798
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-04
出願番号2023084133
出願日2023-05-22
発明の名称発光素子
出願人ソニーグループ株式会社
代理人個人
主分類H01S 5/042 20060101AFI20241127BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本開示では、導電膜の導電性をあげると共に、光の透過性の低下抑制が可能な発光素子を提供する。
【解決手段】上記の課題を解決するために、本開示によれば、レーザ光を生成する積層構造体と、前記積層構造体に積層され、前記レーザ光を透過する導電膜であって、異なる欠陥密度の領域を有する導電膜と、を、備える、発光素子が提供される。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
レーザ光を生成する積層構造体と、
前記積層構造体に積層され、前記レーザ光を透過する導電膜であって、異なる欠陥密度の領域を有する導電膜と、
を、備える、発光素子。
続きを表示（約 850 文字）【請求項２】
前記積層構造体は、第１化合物半導体層、発光層、及び、前記第１化合物半導体層と導電型の異なる第２化合物半導体層が積層され、
前記導電膜は、前記第１化合物半導体層、又は前記第２化合物半導体層に積層される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記欠陥密度は、点欠陥、線欠陥、面欠陥、及び体積欠陥の少なくともいずれかの欠陥の密度であり、前記欠陥は、前記導電膜内に単独、もしくは複合して存在している、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記導電膜はＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＴｉＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｔａｎｉｕｍＯｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌ２Ｏ３－ＺｎＯ）、及びＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯｘ）の少なくともいずれかである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記導電膜は、レーザ光を生成する駆動時に電流経路となる、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記積層構造体は、窒化物半導体から構成され、垂直共振器型面発光レーザとして構成される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記導電膜は、前記レーザ光の透過領域と、前記透過領域と異なる第１周辺領域とを有し、
前記透過領域と、前記第１周辺領域とで前記欠陥密度が異なる、請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記導電膜は、前記透過領域内の所定点から前記積層構造体に沿った方向の距離に応じて前記欠陥密度が異なる、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１周辺領域は、電流を供給する電極と電気的に接続される、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記積層構造体の第１面側に構成される第１光反射層と、
前記第１面と対向する第２面側にされる第２光反射層とを、更に備える、請求項１に記載の発光素子。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
面発光レーザ素子（ＶＣＳＥＬ）から成る発光素子においては、通常、２つの光反射層（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ層、ＤＢＲ層）の間でレーザ光を共振させることによってレーザ発振が生じる。このような発光素子にあっては、例えば、第１化合物半導体層、化合物半導体から成る発光層（活性層）及び第２化合物半導体層が積層された積層構造体を形成する。そして、第２化合物半導体層上に光を透過する導電膜から成る第２電極を形成し、第２電極の上に薄膜の積層構造から成る第２光反射層を形成する。発光効率の向上のために、導電膜の導電性をあげることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－５４８５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、導電膜の導電性をあげると、光の透過性が低下する恐れがある。
【０００５】
そこで、本開示では、導電膜の導電性をあげると共に、光の透過性の低下抑制が可能な発光素子が提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本開示によれば、レーザ光を生成する積層構造体と、
前記積層構造体に積層され、前記レーザ光を透過する導電膜であって、異なる欠陥密度の領域を有する導電膜と、
を、備える、発光素子が提供される。
【０００７】
前記積層構造体は、第１化合物半導体層、発光層、及び、前記第１化合物半導体層と導電型の異なる第２化合物半導体層が積層され、
前記導電膜は、前記第１化合物半導体層、又は前記第２化合物半導体層に積層されてもよい。
【０００８】
前記欠陥密度は、点欠陥、線欠陥、面欠陥、及び体積欠陥の少なくともいずれかの欠陥の密度であり、前記欠陥は、前記導電膜内に単独、もしくは複合して存在してもよい。
【０００９】
前記導電膜はＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＴｉＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｔａｎｉｕｍＯｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌ２Ｏ３－ＺｎＯ）、及びＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯｘ）の少なくともいずれかであってもよい。
【００１０】
前記導電膜は、レーザ光を生成する駆動時に電流経路となってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許