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公開番号2024168108
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-05
出願番号2023084534
出願日2023-05-23
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20241128BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体素子に導通する2つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A10は、第1導通部材20と、第1導通部材20に導電接合された第2導通部材30と、第1導通部材20および第2導通部材30の各々に導通する半導体素子10と、第1導通部材20と第2導通部材30とを導電接合する第1接合層51とを備える。第1導通部材20は、第1方向zを向く第1接合面211と、第1接合面211から第1導通部材20を貫通する第1係合部23とを有する。第2導通部材30は、第1接合面211に対向する第2接合面31と、第2接合面31から突出する第2係合部33とを有する。第2係合部33は、第1係合部23に挿入されている。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
第１導通部材と、
前記第１導通部材に導電接合された第２導通部材と、
前記第１導通部材および前記第２導通部材の各々に導通する半導体素子と、
前記第１導通部材と前記第２導通部材とを導電接合する接合層と、を備え、
前記第１導通部材は、第１方向を向く第１接合面と、前記第１接合面から前記第１導通部材を貫通する第１係合部と、を有し、
前記第２導通部材は、前記第１接合面に対向する第２接合面と、前記第２接合面から突出する第２係合部と、を有し、
前記第２係合部は、前記第１係合部に挿入されている、半導体装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記接合層の一部は、前記第１接合面と前記第２接合面との間に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２係合部は、前記第１方向において前記第２接合面と同じ側を向く端面を有し、
前記端面は、前記第１係合部に収容されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１係合部は、前記第１接合面につながり、かつ前記第１係合部を規定する内周面を有し、
前記第２係合部は、前記内周面に接している、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１導通部材は、前記第１接合面から凹む凹部を有し、
前記凹部は、前記第１係合部から離れており、かつ前記接合層に隣接している、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記凹部は、前記第１方向に対して直交する方向に延びている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１方向に視て、前記凹部は、前記第１係合部を囲んでいる、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１係合部は、前記第１接合面につながる第１部と、前記第１部を基準として前記第１接合面とは反対側に位置する第２部と、を有し、
前記第１方向に視て、前記第２部の寸法は、前記第１部の寸法よりも小さい、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１方向に視て、前記第１係合部は、矩形状であり、
前記第１方向に視て、前記第２係合部は、円形状である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２導通部材は、前記第２接合面につながり、かつ前記第２係合部を規定する周面を有し、
前記周面は、前記第２接合面に対して傾斜している、請求項３に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１リードおよび第２リードと、第１リードおよび第２リードの各々に導電接合された半導体素子と、半導体素子を覆う封止樹脂とを具備する半導体装置の一例が開示されている。第２リードは、半導体素子を搭載している。第１リードおよび第２リードの各々の一部は、封止樹脂から露出している。封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分は、外装めっき層により覆われている。外装めっき層は、錫を含む。これにより、当該半導体装置を配線基板に実装する際、封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分に対してハンダがなじみやすくなる。これにより、ハンダに対する第１リードおよび第２リードの各々の接触面積の拡大を図ることができる。
【０００３】
ここで、特許文献１に開示されている半導体装置においては、第１リードを２つの導通部材に分割することがある。２つの導通部材の一方は、半導体素子に導電接合される。あわせて、分割された２つの導通部材は、ハンダなどの接合層により導電接合される。この場合において、２つの導通部材の導電接合の際、溶融した接合層の影響により当該２つの導通部材の相互位置ずれが発生することがある。相互位置ずれの規模が大きくなると、２つの導通部材のうち、半導体素子に導電接合される導通部材に流れる電流が減少するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１７－１６８５５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は先述の事情に鑑み、半導体素子に導通する２つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示によって提供される半導体装置は、第１導通部材と、前記第１導通部材に導電接合された第２導通部材と、前記第１導通部材および前記第２導通部材の各々に導通する半導体素子と、前記第１導通部材と前記第２導通部材とを導電接合する接合層とを備える。前記第１導通部材は、第１方向を向く第１接合面と、前記第１接合面から前記第１導通部材を貫通する第１係合部とを有する。前記第２導通部材は、前記第１接合面に対向する第２接合面と、前記第２接合面から突出する第２係合部とを有する。前記第２係合部は、前記第１係合部に挿入されている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示にかかる半導体装置が具備する構成によれば、半導体素子に導通する２つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能となる。
【０００８】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
図２は、図１に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図３は、図１に示す半導体装置の正面図である。
図４は、図１に示す半導体装置の右側面図である。
図５は、図２のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。
図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、図７の部分拡大図である。
図９は、本開示の第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。
図１０は、本開示の第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。
図１１は、本開示の第１実施形態の第３変形例にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１２は、本開示の第１実施形態の第４変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。
図１３は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。
図１５は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。
図１７は、図１５のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
図１８は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。
図２０は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図２１は、図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。
図２２は、本開示の第６実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
図２４は、図２２のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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