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公開番号2024168108
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-05
出願番号2023084534
出願日2023-05-23
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20241128BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】 半導体素子に導通する2つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置A10は、第1導通部材20と、第1導通部材20に導電接合された第2導通部材30と、第1導通部材20および第2導通部材30の各々に導通する半導体素子10と、第1導通部材20と第2導通部材30とを導電接合する第1接合層51とを備える。第1導通部材20は、第1方向zを向く第1接合面211と、第1接合面211から第1導通部材20を貫通する第1係合部23とを有する。第2導通部材30は、第1接合面211に対向する第2接合面31と、第2接合面31から突出する第2係合部33とを有する。第2係合部33は、第1係合部23に挿入されている。
【選択図】 図7
特許請求の範囲【請求項1】
第1導通部材と、
前記第1導通部材に導電接合された第2導通部材と、
前記第1導通部材および前記第2導通部材の各々に導通する半導体素子と、
前記第1導通部材と前記第2導通部材とを導電接合する接合層と、を備え、
前記第1導通部材は、第1方向を向く第1接合面と、前記第1接合面から前記第1導通部材を貫通する第1係合部と、を有し、
前記第2導通部材は、前記第1接合面に対向する第2接合面と、前記第2接合面から突出する第2係合部と、を有し、
前記第2係合部は、前記第1係合部に挿入されている、半導体装置。
続きを表示(約 810 文字)【請求項2】
前記接合層の一部は、前記第1接合面と前記第2接合面との間に位置する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第2係合部は、前記第1方向において前記第2接合面と同じ側を向く端面を有し、
前記端面は、前記第1係合部に収容されている、請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1係合部は、前記第1接合面につながり、かつ前記第1係合部を規定する内周面を有し、
前記第2係合部は、前記内周面に接している、請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1導通部材は、前記第1接合面から凹む凹部を有し、
前記凹部は、前記第1係合部から離れており、かつ前記接合層に隣接している、請求項3に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記凹部は、前記第1方向に対して直交する方向に延びている、請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第1方向に視て、前記凹部は、前記第1係合部を囲んでいる、請求項6に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1係合部は、前記第1接合面につながる第1部と、前記第1部を基準として前記第1接合面とは反対側に位置する第2部と、を有し、
前記第1方向に視て、前記第2部の寸法は、前記第1部の寸法よりも小さい、請求項6に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第1方向に視て、前記第1係合部は、矩形状であり、
前記第1方向に視て、前記第2係合部は、円形状である、請求項3に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第2導通部材は、前記第2接合面につながり、かつ前記第2係合部を規定する周面を有し、
前記周面は、前記第2接合面に対して傾斜している、請求項3に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 2,200 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、第1リードおよび第2リードと、第1リードおよび第2リードの各々に導電接合された半導体素子と、半導体素子を覆う封止樹脂とを具備する半導体装置の一例が開示されている。第2リードは、半導体素子を搭載している。第1リードおよび第2リードの各々の一部は、封止樹脂から露出している。封止樹脂から露出する第1リードおよび第2リードの各々の部分は、外装めっき層により覆われている。外装めっき層は、錫を含む。これにより、当該半導体装置を配線基板に実装する際、封止樹脂から露出する第1リードおよび第2リードの各々の部分に対してハンダがなじみやすくなる。これにより、ハンダに対する第1リードおよび第2リードの各々の接触面積の拡大を図ることができる。
【0003】
ここで、特許文献1に開示されている半導体装置においては、第1リードを2つの導通部材に分割することがある。2つの導通部材の一方は、半導体素子に導電接合される。あわせて、分割された2つの導通部材は、ハンダなどの接合層により導電接合される。この場合において、2つの導通部材の導電接合の際、溶融した接合層の影響により当該2つの導通部材の相互位置ずれが発生することがある。相互位置ずれの規模が大きくなると、2つの導通部材のうち、半導体素子に導電接合される導通部材に流れる電流が減少するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2017-168553号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は先述の事情に鑑み、半導体素子に導通する2つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示によって提供される半導体装置は、第1導通部材と、前記第1導通部材に導電接合された第2導通部材と、前記第1導通部材および前記第2導通部材の各々に導通する半導体素子と、前記第1導通部材と前記第2導通部材とを導電接合する接合層とを備える。前記第1導通部材は、第1方向を向く第1接合面と、前記第1接合面から前記第1導通部材を貫通する第1係合部とを有する。前記第2導通部材は、前記第1接合面に対向する第2接合面と、前記第2接合面から突出する第2係合部とを有する。前記第2係合部は、前記第1係合部に挿入されている。
【発明の効果】
【0007】
本開示にかかる半導体装置が具備する構成によれば、半導体素子に導通する2つの導通部材の相互位置ずれを抑制することが可能となる。
【0008】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0009】
図1は、本開示の第1実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
図2は、図1に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図3は、図1に示す半導体装置の正面図である。
図4は、図1に示す半導体装置の右側面図である。
図5は、図2のV-V線に沿う断面図である。
図6は、図2のVI-VI線に沿う断面図である。
図7は、図2のVII-VII線に沿う断面図である。
図8は、図7の部分拡大図である。
図9は、本開示の第1実施形態の第1変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。
図10は、本開示の第1実施形態の第2変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。
図11は、本開示の第1実施形態の第3変形例にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図12は、本開示の第1実施形態の第4変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。
図13は、本開示の第2実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図14は、図13のXIV-XIV線に沿う断面図である。
図15は、本開示の第3実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図16は、図15のXVI-XVI線に沿う断面図である。
図17は、図15のXVII-XVII線に沿う断面図である。
図18は、本開示の第4実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図19は、図18のXIX-XIX線に沿う断面図である。
図20は、本開示の第5実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図21は、図20のXXI-XXI線に沿う断面図である。
図22は、本開示の第6実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図23は、図22のXXIII-XXIII線に沿う断面図である。
図24は、図22のXXIV-XXIV線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
(【0011】以降は省略されています)

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