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公開番号2025100881
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2025071724,2023127743
出願日2025-04-23,2019-04-26
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250626BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】六方晶の結晶構造体を異なる2方向から適切に切断できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、六方晶の結晶構造体を用意する工程と、前記六方晶のm軸方向に前記結晶構造体を切断して第1切断部を形成する工程と、前記六方晶のa軸方向に前記結晶構造体を切断して前記第1切断部を横切る第2切断部を形成する工程と、を含む。
【選択図】図25A
特許請求の範囲【請求項１】
六方晶の結晶構造体を用意する工程と、
前記六方晶のｍ軸方向に前記結晶構造体を切断して第１切断部を形成する工程と、
前記六方晶のａ軸方向に前記結晶構造体を切断して前記第１切断部を横切る第２切断部を形成する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、一枚のウエハから複数のデバイスを切り出すウエハの加工方法を開示している。ウエハは、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リチウムタンタレート（ＬＴ）、リチウムナイオベート（ＬＮ）等からなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１７－１００２５５号公報
【発明の概要】
【０００４】
六方晶からなる結晶構造体は、結晶面および結晶方向に応じて異なる物性を有している。たとえば、六方晶からなる結晶構造体は、最近接する原子の配列方向（以下、単に「最近接原子方向」という。）に沿って割れ易く、最近接原子方向に交差する交差方向（以下、単に「最近接原子方向の交差方向」という。）に沿って割れ難いという物性を有している。
【０００５】
本願発明者らは、最近接原子方向に沿って結晶構造体を切断した後、最近接原子方向の交差方向に沿って結晶構造体を切断する工程について鋭意検討した。その結果、２度目の切断工程において、最近接原子方向に沿って隆起する隆起部が、結晶構造体の切断部に形成されることを発見した。
【０００６】
特に、この隆起部は、１度目の切断工程において形成される切断部および２度目の切断工程において形成される切断部の接続部を起点に発生する傾向がある。２度目の切断工程では、最近接原子方向に対して原子配列が不連続な方向に結晶構造体が切断される。そのため、結晶構造体において原子配列を保持する力が働き、最近接原子方向に沿う隆起部が切断部に形成されたと考えられる。
【０００７】
本発明の一実施形態は、六方晶の結晶構造体を異なる２方向から適切に切断できる半導体装置の製造方法を提供する。
【０００８】
本発明の一実施形態は、六方晶の結晶構造体を用意する工程と、前記六方晶のｍ軸方向に前記結晶構造体を切断して第１切断部を形成する工程と、前記六方晶のａ軸方向に前記結晶構造体を切断して前記第１切断部を横切る第２切断部を形成する工程と、を含む、半導体装置の製造方法を提供する。
【０００９】
この結晶切断方法によれば、結晶構造体は、第１切断部の形成工程において最近接原子方向の交差方向であるｍ軸方向に沿って切断される。結晶構造体は、第２切断部の形成工程において最近接原子方向であるａ軸方向に沿って切断される。
【００１０】
第１切断部の形成工程では、未切断の結晶構造体が切断されるので、結晶構造体に対する応力が不連続にならない。これにより、第１切断部において隆起部の発生を抑制できる。一方、第２切断部の形成工程では、結晶構造体が最近接原子方向の交差方向に切断されているため、結晶構造体に対する応力が不連続になる。しかし、第２切断部の形成工程では、最近接原子方向に沿って結晶構造体に応力が加えられ、最近接原子方向に沿って結晶構造体が切断される。
（【００１１】以降は省略されています）

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