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公開番号2024147605
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-16
出願番号2024108028,2023018942
出願日2024-07-04,2020-06-16
発明の名称SiC半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20241008BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】モニタパターンに起因する形状不良を抑制できるSiC半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC半導体装置1の製造方法は、第1ウエハ主面63を有するSiCウエハ62を用意する工程と、SiCウエハの主面に第1チップ領域71A(メインチップ領域)及び第2チップ領域(ダミーチップ領域)を含む複数のチップ領域71を区画する工程と、各チップ領域に第1主面電極32を形成する工程と、各主面電極を部分的に被覆し、各チップ領域の外周をダイシングラインとして露出させる絶縁層40を形成する工程と、ダイシングラインに沿ってレーザ光を照射し、SiCウエハの内部にダイシングラインに沿う改質領域93を形成する工程と、SiCウエハに外力を加え、改質領域を起点にSiCウエハを劈開する工程と、を含み、第1主面電極は、ダイシングラインを避けた領域に形成される。
【選択図】図10P
特許請求の範囲【請求項１】
ＳｉＣ半導体層、前記ＳｉＣ半導体層の上に形成された主面電極、および、前記ＳｉＣ半導体層の上において前記主面電極を部分的に被覆する絶縁層を備えたＳｉＣ半導体装置の製造方法であって、
主面を有するＳｉＣウエハを用意する工程と、
前記ＳｉＣウエハの前記主面にメインチップ領域およびダミーチップ領域を含む複数のチップ領域を区画する工程と、
各チップ領域に主面電極を形成する工程と、
各前記主面電極を部分的に被覆し、各前記チップ領域の外周をダイシングラインとして露出させる絶縁層を形成する工程と、
前記ダイシングラインに沿ってレーザ光を照射し、前記ＳｉＣウエハの内部に前記ダイシングラインに沿う改質領域を形成する工程と、
前記ＳｉＣウエハに外力を加え、前記改質領域を起点に前記ＳｉＣウエハを劈開する工程と、を含み、
前記主面電極は、前記ダイシングラインを避けた領域に形成される、ＳｉＣ半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 480 文字）【請求項２】
前記ダミーチップ領域において各前記チップ領域で実施される各工程の適否を評価するテスト工程をさらに含む、請求項１に記載のＳｉＣ半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層を形成する工程において、金属パターンが存在しない前記ダイシングストリートが露出される、請求項１または２に記載のＳｉＣ半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記チップ領域の区画工程は、平面視において四隅にアライメントパターンがそれぞれ形成された四角形状の複数の前記チップ領域を区画する工程を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記アライメントパターンは、前記ダイシングラインにおいてレーザ光が照射される位置を避けて配置される、請求項４に記載のＳｉＣ半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記アライメントパターンは、エッチング法によって、前記ＳｉＣウエハの前記主面を除去することによって形成される、請求項４または５に記載のＳｉＣ半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、レーザ照射劈開法を用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法が注目されている。レーザ照射劈開法では、ＳｉＣウエハにレーザ光が照射された後、レーザ光が照射された部分に沿ってＳｉＣウエハが劈開される。この方法によれば、ＳｉＣウエハを容易に切断できるので、製造時間を短縮できる。
【０００３】
一方、ＳｉＣ半導体装置の製造方法では、ＳｉＣウエハの任意の領域にＰＣＭ（Process Control Monitor）と称されるモニタパターンが形成される。モニタパターンによれば、当該モニタパターンの物理的特性および電気的特性に基づいて、ＳｉＣウエハで実施される各工程の適否を間接的に評価できる。物理的特性は、たとえば、モニタパターンに形成された構造物の寸法である。電気的特性は、たとえば、モニタパターンに形成された半導体領域等の抵抗値や容量値である。
【０００４】
特許文献１は、レーザ照射領域（切断予定ライン）と重なる位置に集中配置されたアクセサリパターン（モニタパターン）を備えたＳｉＣウエハを用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１６－１３４４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に係るＳｉＣウエハでは、モニタパターンによってレーザ光が遮蔽されるため、モニタパターンによって隠蔽された領域に改質領域が存在しない非改質部が形成される。ＳｉＣウエハの劈開工程では、モニタパターンの直下の非改質部において原子配列（ＳｉＣの結晶構造）を保持する力が働く。その結果、ＳｉＣウエハの劈開部にモニタパターンを起点とする蛇行が形成される。
【０００７】
本発明の一実施形態は、モニタパターンに起因する形状不良を抑制できるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態は、ＳｉＣ半導体層、前記ＳｉＣ半導体層の上に形成された主面電極、および、前記ＳｉＣ半導体層の上において前記主面電極を部分的に被覆する絶縁層を備えたＳｉＣ半導体装置の製造方法であって、主面を有するＳｉＣウエハを用意する工程と、前記ＳｉＣウエハの前記主面にメインチップ領域およびダミーチップ領域を含む複数のチップ領域を区画する工程と、各チップ領域に主面電極を形成する工程と、各前記主面電極を部分的に被覆し、各前記チップ領域の外周をダイシングラインとして露出させる絶縁層を形成する工程と、前記ダイシングラインに沿ってレーザ光を照射し、前記ＳｉＣウエハの内部に前記ダイシングラインに沿う改質領域を形成する工程と、前記ＳｉＣウエハに外力を加え、前記改質領域を起点に前記ＳｉＣウエハを劈開する工程と、を含み、前記主面電極は、前記ダイシングラインを避けた領域に形成される、ＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【０００９】
このＳｉＣ半導体装置の製造方法によれば、主面電極によるレーザ光の干渉を抑制できる。これにより、ＳｉＣウエハにおける所望の領域に改質領域を適切に形成できる。その結果、ＳｉＣウエハを適切に劈開できる。
【００１０】
本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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