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公開番号2024129678
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-27
出願番号2023039030
出願日2023-03-13
発明の名称研磨装置、研磨方法、および、半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20240919BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】より平坦に研磨を行うことができる研磨装置、研磨方法、および、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、ヘッドと、研磨テーブルと、回転テーブルと、粒子供給部と、チャンバと、を備える。ヘッドは、研磨対象物を保持する。研磨テーブルは、研磨対象物の被研磨面を研磨する。回転テーブルは、被研磨面と接触可能である。粒子供給部は、回転テーブルと接触した被研磨面の少なくとも一部に粒子を固着させることが可能なように、粒子を含む粒子含有液を回転テーブル上に供給する。1つのチャンバは、研磨テーブルおよび回転テーブルを収容する。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
研磨対象物を保持するヘッドと、
前記研磨対象物の被研磨面を研磨する研磨テーブルと、
前記被研磨面と接触可能な回転テーブルと、
前記回転テーブルと接触した前記被研磨面の少なくとも一部に粒子を固着させることが可能なように、前記粒子を含む粒子含有液を前記回転テーブル上に供給する粒子供給部と、
前記研磨テーブルおよび前記回転テーブルを収容する１つのチャンバと、
を備える、研磨装置。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
前記被研磨面の少なくとも一部は、前記被研磨面の段差部または凹部を含む、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
前記粒子供給部は、前記回転テーブルを貫通して、前記被研磨面と接触する前記回転テーブルの接触面で開口するように設けられ、前記粒子含有液を前記回転テーブル上に供給する供給管を有する、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記粒子供給部は、前記回転テーブルの上方から前記粒子含有液を滴下することにより、前記粒子含有液を前記回転テーブル上に供給する滴下部を有する、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項５】
前記粒子供給部は、前記粒子を凝集させる凝集剤、および、前記粒子を分散させる分散剤の少なくとも一方をさらに含む前記粒子含有液を供給する、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項６】
前記粒子供給部は、粒径が異なる複数の前記粒子を含む前記粒子含有液を供給する、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項７】
前記粒子は、シリカ、セリア、ポリウレタン、および、ポリエチレンの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項８】
前記回転テーブルは、前記回転テーブルの温度を調整する温調部を有する、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項９】
前記回転テーブル上にガスを供給するガス供給部をさらに備える、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項１０】
前記ヘッドの回転中の駆動電流、または、前記回転テーブルの回転中の駆動電流を検出する第１駆動電流検出部と、
検出された前記駆動電流の変化に基づいて、前記粒子供給部を制御する第１制御部と、
をさらに備える、請求項１に記載の研磨装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、研磨装置、研磨方法、および、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等による研磨が行われる場合がある。しかし、半導体装置における配線等のパターンによっては、平坦化が難しい場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００２－１９８３５０号公報
特開２００４－３３５７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
より平坦に研磨を行うことができる研磨装置、研磨方法、および、半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態による半導体装置は、ヘッドと、研磨テーブルと、回転テーブルと、粒子供給部と、チャンバと、を備える。ヘッドは、研磨対象物を保持する。研磨テーブルは、研磨対象物の被研磨面を研磨する。回転テーブルは、被研磨面と接触可能である。粒子供給部は、回転テーブルと接触した被研磨面の少なくとも一部に粒子を固着させることが可能なように、粒子を含む粒子含有液を回転テーブル上に供給する。１つのチャンバは、研磨テーブルおよび回転テーブルを収容する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態による研磨装置の構成の一例を示す平面図である。
第１実施形態による搬送部、研磨テーブル、および、堆積テーブルの構成の一例を示す斜視図である。
第１実施形態による研磨ヘッドおよび堆積テーブルの構成の一例を示す斜視図である。
第１実施形態による研磨ヘッドの構成の一例を示す断面図である。
第１実施形態による堆積テーブルの構成の一例を示す図である。
第１実施形態による堆積テーブルの構成の一例を示す断面図である。
第1実施形態によるウェハの被研磨面における粒子の状態の一例を示す断面図である。
第１実施形態による堆積テーブルの構成の一例を示す断面図である。
第１実施形態による温調部の構成の一例を示す断面図である。
第１実施形態による堆積パッドの構成の一例を示す断面図である。
第１実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
比較例による半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
第２実施形態による温調部の構成の一例を示す断面図である。
第２実施形態による堆積テーブルの構成の一例を示す平面図である。
第３実施形態による堆積テーブルの構成の一例を示す断面図である。
第３実施形態による温調部の構成の一例を示す断面図である。
第４実施形態による温調部の構成の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による研磨装置１の構成の一例を示す平面図である。尚、図１に示す破線の円は、搬送および処理されるウェハ（研磨対象物）Ｗの位置を示す。
【０００９】
尚、図１は、ウェハＷの表面に平行で互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、ウェハＷの表面に垂直なＺ方向とを示している。本明細書では、＋Ｚ方向を上方向として取り扱い、－Ｚ方向を下方向として取り扱う。－Ｚ方向は、重力方向と一致していても一致していなくてもよい。
【００１０】
研磨装置１は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置を含む。研磨装置１は、チャンバ１０と、搬送部２０と、研磨テーブル３０と、スラリー供給部４０と、堆積テーブル（回転テーブル）５０と、粒子供給部６０と、ガス供給部７０と、ドレッサー８０と、制御部９０と、を備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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