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公開番号2024129366
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-27
出願番号2023038519
出願日2023-03-13
発明の名称半導体パッケージ及びフェーズドアレイアンテナモジュール
出願人株式会社フジクラ
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 23/12 20060101AFI20240919BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高周波信号を扱う小型の半導体パッケージにおいて、高周波信号が通るバンプとICチップとの間のアイソレーションを向上させる。
【解決手段】半導体パッケージ1は、ICチップ10と、平面視でICチップ10を囲むモールド樹脂20と、ICチップ10及びモールド樹脂20の一方の面に形成された絶縁層と、絶縁層に形成された複数のはんだバンプ50と、絶縁層に形成され、ICチップ10を複数のはんだバンプ50に接続する再配線40と、を備え、複数のはんだバンプ50は、高周波信号が通るRFバンプ51と、電気的に接地されるGNDバンプ52と、を含み、RFバンプ51は、平面視でモールド樹脂20と重なる位置に配置されるとともに、平面視でRFバンプ51とICチップ10とを結ぶ最短線分L3,L4上に、GNDバンプ52が配置されている。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
ＩＣチップと、
平面視で前記ＩＣチップを囲むモールド樹脂と、
前記ＩＣチップ及び前記モールド樹脂の一方の面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層に形成された複数のはんだバンプと、
前記絶縁層に形成され、前記ＩＣチップを前記複数のはんだバンプに接続する再配線と、を備え、
前記複数のはんだバンプは、
高周波信号が通るＲＦバンプと、
電気的に接地されるＧＮＤバンプと、を含み、
前記ＲＦバンプは、平面視で前記モールド樹脂と重なる位置に配置されるとともに、
平面視で前記ＲＦバンプと前記ＩＣチップとを結ぶ最短線分上に、前記ＧＮＤバンプが配置されている、
半導体パッケージ。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記ＲＦバンプは、平面視で前記ＩＣチップの周囲に複数設けられており、
複数の前記ＲＦバンプのうち、平面視で最も前記ＩＣチップに近くに配置された前記ＲＦバンプと前記ＩＣチップとを結ぶ最短線分上に、前記ＧＮＤバンプが配置されている、
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記ＲＦバンプは、平面視で前記ＩＣチップの周囲に複数設けられており、
隣り合う前記ＲＦバンプの間に、さらに前記ＧＮＤバンプが配置されている、
請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記ＲＦバンプは、平面視で前記モールド樹脂の最外縁に配置されている、
請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記ＲＦバンプと前記ＩＣチップとを結ぶ最短線分の両端を延長した、該最短線分を含む直線上には、
前記ＲＦバンプ、前記ＧＮＤバンプ、前記ＩＣチップ、もう一つの前記ＧＮＤバンプ、もう一つの前記ＲＦバンプが、この順に配置されている、
請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記ＲＦバンプと接続される前記再配線は、前記ＩＣチップと前記モールド樹脂との境界を跨いで、平面視で前記モールド樹脂と重なる位置まで延び、前記ＲＦバンプと接続されている、
請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記ＲＦバンプと接続される前記再配線は、平面視で前記モールド樹脂と重なる位置において、前記ＧＮＤバンプの間を通り、前記ＲＦバンプと接続されている、
請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記ＲＦバンプと接続される前記再配線の両サイドには、前記ＧＮＤバンプと接続された前記再配線が配置されている、
請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記ＲＦバンプは、一方のＲＦバンプが高周波信号を出力するとき、他方のＲＦバンプには前記ＩＣチップで処理される前の高周波信号が入力される関係を有する、第１ＲＦバンプ及び第２ＲＦバンプを含み、
前記ＧＮＤバンプは、平面視で、少なくとも前記第１ＲＦバンプと前記ＩＣチップとを結ぶ最短線分上に配置されている、
請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
請求項１または２に記載の半導体パッケージと、
前記半導体パッケージと電気的に接続されたフェーズドアレイアンテナと、を備える、
フェーズドアレイアンテナモジュール。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ及びフェーズドアレイアンテナモジュールに関するものである。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、半導体チップ上に、基板を介さずに直接はんだバンプを形成するＷＬ－ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）型の半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第５０３９３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高周波信号を扱う半導体パッケージでは、高周波特性を満足しながら小型化することが求められる。ここで、半導体パッケージを小型化するため、単にはんだバンプのピッチを小さくすると、高周波信号が通るはんだバンプから、ＩＣチップを介して他の接点に、高周波信号の漏れが生じる虞がある。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高周波信号を扱う小型の半導体パッケージにおいて、高周波信号が通るバンプとＩＣチップとの間のアイソレーションを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に係る半導体パッケージは、ＩＣチップと、平面視で前記ＩＣチップを囲むモールド樹脂と、前記ＩＣチップ及び前記モールド樹脂の一方の面に形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成された複数のはんだバンプと、前記絶縁層に形成され、前記ＩＣチップを前記複数のはんだバンプに接続する再配線と、を備え、前記複数のはんだバンプは、高周波信号が通るＲＦバンプと、電気的に接地されるＧＮＤバンプと、を含み、前記ＲＦバンプは、平面視で前記モールド樹脂と重なる位置に配置されるとともに、平面視で前記ＲＦバンプと前記ＩＣチップとを結ぶ最短線分上に、前記ＧＮＤバンプが配置されている。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、半導体パッケージの平面視で、ＲＦバンプとＩＣチップとを結ぶ最短線分上に配置されたＧＮＤバンプが、ＲＦバンプからＩＣチップへの高周波信号伝達時の高周波信号の漏れを抑制する壁の役割を果たす。このため、高周波信号が通るＲＦバンプとＩＣチップとの間のアイソレーションを向上させることができる。
【０００８】
本発明の第２の態様は、第１の態様の半導体パッケージにおいて、前記ＲＦバンプは、平面視で前記ＩＣチップの周囲に複数設けられており、複数の前記ＲＦバンプのうち、平面視で最も前記ＩＣチップに近くに配置された前記ＲＦバンプと前記ＩＣチップとを結ぶ最短線分上に、前記ＧＮＤバンプが配置されていてもよい。
【０００９】
本発明の第３の態様は、第１の態様または第２の態様の半導体パッケージにおいて、前記ＲＦバンプは、平面視で前記ＩＣチップの周囲に複数設けられており、隣り合う前記ＲＦバンプの間に、さらに前記ＧＮＤバンプが配置されていてもよい。
【００１０】
本発明の第４の態様は、第１の態様から第３の態様のいずれか一つの半導体パッケージにおいて、前記ＲＦバンプは、平面視で前記モールド樹脂の最外縁に配置されていてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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