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公開番号2024089781
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-04
出願番号2022205194
出願日2022-12-22
発明の名称表示装置
出願人厦門天馬顕示科技有限公司
代理人藤央弁理士法人
主分類G09G 3/3233 20160101AFI20240627BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】表示品質を改善する。
【解決手段】複数の画素回路それぞれは、少なくとも第1走査信号と第2走査信号とにより制御される。第1走査信号は、画素回路へのデータ電圧書き込みを含むリフレッシュ動作のために画素回路のN型トランジスタをON/OFFする。第2走査信号は、画素回路の発光素子への発光電流の供給の有無を制御する。クランプスイッチ回路の出力は、第1走査信号線に接続される。クランプスイッチ回路は、第2走査信号を使用して、発光素子の発光期間における少なくとも一部の期間において第1走査信号線をローレベル電位に維持するように制御される。
【選択図】図3A
特許請求の範囲【請求項１】
表示装置であって、
複数の画素回路を含む表示領域と、
第１走査回路と、
第２走査回路と、
クランプスイッチ回路と、
を含み、
前記複数の画素回路それぞれは、少なくとも第１走査信号と第２走査信号とにより制御され、
前記第１走査回路は、前記第１走査信号を前記複数の画素回路の第１走査信号線それぞれに供給し、
前記第２走査回路は、前記第２走査信号を前記複数の画素回路の第２走査信号線それぞれに供給し、
前記第１走査信号は、前記画素回路へのデータ電圧書き込みを含むリフレッシュ動作のために前記画素回路のＮ型トランジスタをＯＮ／ＯＦＦする走査信号であり、
前記第２走査信号は、前記画素回路の発光素子への発光電流の供給の有無を制御する走査信号であり、
前記クランプスイッチ回路の出力は、前記第１走査信号線に接続され、
前記クランプスイッチ回路は、前記第２走査信号を使用して、前記発光素子の発光期間における少なくとも一部の期間において前記第１走査信号線をローレベル電位に維持するように制御される、
表示装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
請求項１の表示装置であって、
前記第１走査回路及び前記第２走査回路の全てのトランジスタは、Ｐ型トランジスタであり、
１フレーム期間において、前記第１走査信号のハイレベル電位の時間長は、ローレベル電位の時間長よりも短い、
表示装置。
【請求項３】
請求項２の表示装置であって、
リフレッシュ周期は、２フレーム期間以上である、
表示装置。
【請求項４】
請求項１の表示装置であって、
前記画素回路はＰ型薄膜トランジスタとＮ型トランジスタを含み、
前記第２走査信号は、前記画素回路に含まれるＰ型トランジスタのＯＮ／ＯＦＦを制御する、
表示装置。
【請求項５】
請求項１の表示装置であって、
前記第１走査信号がハイレベル電位である期間、前記クランプスイッチ回路の出力は、前記第１走査信号線と電気的に遮断されている、
表示装置。
【請求項６】
請求項１の表示装置であって、
前記クランプスイッチ回路は、
第１Ｎ型スイッチトランジスタと、
前記第１Ｎ型スイッチトランジスタのゲートとソースとの間の容量素子と、
を含み、
前記第１Ｎ型スイッチトランジスタのソースはローレベル電位線に接続され、
前記第１Ｎ型スイッチトランジスタのドレインは前記第１走査信号線に接続され、
前記容量素子は、前記少なくとも一部の期間において、前記第１Ｎ型スイッチトランジスタをＯＮ状態に維持する電圧を保持する、
表示装置。
【請求項７】
請求項６の表示装置であって、
前記第１Ｎ型スイッチトランジスタは、前記第１走査信号がハイレベル電位である期間、ＯＦＦ状態に維持される、
表示装置。
【請求項８】
請求項６に記載の表示装置であって、
前記第２走査信号は、前記画素回路に含まれるＰ型トランジスタのＯＮ／ＯＦＦを制御し、
前記クランプスイッチ回路は、第２Ｎ型スイッチトランジスタを含み、
前記第２Ｎ型スイッチトランジスタのゲートは、前記第２走査信号線に接続され、
前記第２Ｎ型スイッチトランジスタのソース／ドレインの一方は、前記第１Ｎ型スイッチトランジスタのゲート及び前記容量素子に接続されている、
表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置であって、
前記第２Ｎ型スイッチトランジスタの前記ソース／ドレインの他方は、前記第２Ｎ型スイッチトランジスタの前記ゲートの前記第２走査信号線より後段の前記第２走査信号線に接続されている、
表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
表示装置として、ＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔ－ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）表示装置のように、自発光素子を含む表示装置が広く利用されている。これら表示装置は、データ信号を画素に書き込むための走査信号を順次出力する駆動回路を含む。データ書き込みのため、１又は複数の走査信号が使用され得る。
【０００３】
同一基板上に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、酸化物半導体ＴＦＴ、例えば、ＩＧＺＯ－ＴＦＴとを集積したＬＴＰＯ（ＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＰｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＯｘｉｄｅ）技術が、表示パネルへ適用されてきている。例えば、リーク電流が問題となる箇所には酸化物半導体ＴＦＴを適用し、駆動能力が必要な箇所にはＬＴＰＳ－ＴＦＴを適用するといった、デバイス特性に合わせた設計が可能となる。
【０００４】
ＬＴＰＯ技術は、ＯＬＥＤの低消費電力化を進める技術として使用され得る。ＯＬＥＤの低消費電力技術の一つは、データリフレッシュ周波数を、従来の６０Ｈｚから１Ｈｚ程度に低下させ、データリフレッシュに伴うデータドライバの消費電力を低減する。フレーム周波数低減のためには、ＯＬＥＤの発光電流量を決定するデータ信号電圧を保持する画素内の保持容量素子Ｃｓｔからの電荷リークを低減することが必要である。このため、Ｃｓｔに接続されるスイッチＴＦＴを、リーク電流が低いＮ型の酸化物半導体ＴＦＴで構成し、ＯＬＥＤ素子の発光電流が通過するＴＦＴを、駆動能力が高いＰ型のＬＴＰＳ－ＴＦＴで構成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
米国特許出願公開第２０１７／０２４９９０１号
米国特許出願公開第２０１４／０１６８１８２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
額縁を小さくするという要求から、画素行を順次選択する走査回路は、移動度の大きいＰ型のＬＴＰＳ－ＴＦＴを利用することが好ましい。シフトレジスタ回路において、ほとんどの時間の間物理ローレベル電位（Ｐ型ＴＦＴの論理ＯＮレベル）を維持する信号は作りにくく、そのため、物理ローレベル電位を維持できず、電位上昇を生じることがある。
【０００７】
Ｎ型ＴＦＴを含む画素回路に対する走査信号をシフトとレジスタ回路のＰ型ＴＦＴで駆動する場合、そのＰ型ＴＦＴは、その論理ハイレベル電位を、ほぼ１フレーム期間、保持する必要がある。しかし、このＰ型ＴＦＴは、シフトレジスタ回路内の容量に蓄積した電荷を利用して駆動されるため、駆動周波数が低下すると蓄積電荷のリークによって、Ｐ型ＴＦＴからの出力電位が変動し得る。
【０００８】
駆動周波数の低下により、フレーム期間中に、シフトレジスタ回路内のＰ型トランジスタに対する論理ハイレベル電位が低下すると（物理電位が上昇すると）、画素内のＮ型ＴＦＴに対する選択信号の物理電位が上昇する。シフトレジスタ内の論理ハイレベル電位の低下が一定値を超えると、画素内のＮ型ＴＦＴは、わずかにオン状態となる。つまり、保持容量素子Ｃｓｔに接続されているＮ型ＴＦＴのリーク電流増大とこれに伴う画素回路内のＣｓｔの電荷損失が発生する。
【０００９】
リークによりＣｓｔの電荷損失が生じると、発光電流（輝度）も変動するため、周波数の低いフリッカとして視認されるという問題が発生し得る。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の一態様の表示装置は、複数の画素回路を含む表示領域と、第１走査回路と、第２走査回路と、クランプスイッチ回路と、を含む。前記複数の画素回路それぞれは、少なくとも第１走査信号と第２走査信号とにより制御される。前記第１走査回路は、前記第１走査信号を前記複数の画素回路の第１走査信号線それぞれに供給する。前記第２走査回路は、前記第２走査信号を前記複数の画素回路の第２走査信号線それぞれに供給する。前記第１走査信号は、前記画素回路へのデータ電圧書き込みを含むリフレッシュ動作のために前記画素回路のＮ型トランジスタをＯＮ／ＯＦＦする走査信号である。前記第２走査信号は、前記画素回路の発光素子への発光電流の供給の有無を制御する走査信号である。前記クランプスイッチ回路の出力は、前記第１走査信号線に接続される。前記クランプスイッチ回路は、前記第２走査信号を使用して、前記発光素子の発光期間における少なくとも一部の期間において前記第１走査信号線をローレベル電位に維持するように制御される。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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