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公開番号2024083433
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-21
出願番号2024059875,2021516365
出願日2024-04-03,2019-10-02
発明の名称薄膜アセンブリを製造する方法
出願人エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 1/62 20120101AFI20240614BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】新規な薄膜アセンブリを製造する方法を提供する。
【解決手段】EUVリソグラフィ用の薄膜アセンブリを製造する方法であって、内側領域及び内側領域の周囲の縁領域を備える平面基板によって支持された少なくとも1つの薄膜層と、平面基板と薄膜層との間の第1の犠牲層と、を備えるスタックを提供するステップと、平面基板の内側領域を選択的に除去するステップであって、薄膜層及びその酸化物には同様のエッチング速度を有し第1の犠牲層には実質的に異なるエッチング速度を有するエッチング液を用いることを備える、平面基板の内側領域を選択的に除去するステップと、を備えており、したがって、薄膜アセンブリは、少なくとも1つの薄膜層から形成された薄膜と、薄膜を保持する縁であって平面基板の縁領域を備える縁と、縁と薄膜層との間に位置する第1の犠牲層と、を備える、方法。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
ＥＵＶリソグラフィ用の薄膜アセンブリであって、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンを備える少なくとも１つの薄膜層から形成された薄膜と、
前記薄膜を保持する縁と、
を備えており、
前記縁領域は内側領域及び前記内側領域の周囲の縁領域を備える平面基板から形成されており、前記縁は前記平面基板の前記内側領域を選択的に除去することによって形成されており、
前記平面基板はコア層と犠牲層とを備え、したがって前記縁は前記コア層と前記犠牲層とを備え、前記犠牲層は前記コア層と前記少なくとも１つの薄膜層との間にあり、
前記コア層及び前記少なくとも１つの薄膜層のエッチング液のエッチング速度は前記犠牲層のエッチング液のエッチング速度とは実質的に異なる、薄膜アセンブリ。
続きを表示（約 580 文字）【請求項２】
前記犠牲層は窒化シリコンを備える、請求項１の薄膜アセンブリ。
【請求項３】
前記コア層はシリコンを備える、請求項１又は２の薄膜アセンブリ。
【請求項４】
前記コア層及び前記少なくとも１つの薄膜層はシリコンを備える、請求項１から３のいずれかの薄膜アセンブリ。
【請求項５】
前記コア層及び前記少なくとも１つの薄膜層の前記エッチング速度は、前記犠牲層の前記エッチング速度よりも実質的に低い、請求項１から４のいずれかの薄膜アセンブリ。
【請求項６】
前記エッチング液はリン酸を備える、請求項５の薄膜アセンブリ。
【請求項７】
前記薄膜アセンブリはパターニングデバイス又は動的ガスロックのためのものである、請求項１から６のいずれかの薄膜アセンブリ。
【請求項８】
前記薄膜アセンブリはルテニウムベースのキャッピング層を備える、請求項１から７のいずれかの薄膜アセンブリ。
【請求項９】
前記ルテニウムベースのキャッピング層はモリブデン層の上に配置される、請求項８の薄膜アセンブリ。
【請求項１０】
前記モリブデン層は前記コア層の上に配置される、請求項９の薄膜アセンブリ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001] 本願は２０１８年１０月１５日に提出された欧州出願第１８２００３９７．０号及び２０１９年６月１７日に提出された欧州出願第１９１８０５２７．４号の優先権を主張するものであり、これらの出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
続きを表示（約 2,100 文字）【０００２】
[0002] 本発明は、薄膜アセンブリを製造する方法と、薄膜アセンブリと、リソグラフィ装置用の光学素子と、リソグラフィ装置用の光学素子を製造する方法とに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003] リソグラフィ装置とは、基板上に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えばマスク）から基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）層にパターンを投影し得る。
【０００４】
[0004] パターンを基板上に投影するためにリソグラフィ装置によって使用される放射の波長は、その基板上に形成されることのできるフィーチャの最小寸法を決定する。（例えば１９３ｎｍの波長を有する電磁放射を使用し得る）従来のリソグラフィ装置よりも小さなフィーチャを基板上に形成するためには、４～２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置が用いられ得る。
【０００５】
[0005] リソグラフィ装置は、パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）を含む。放射は、パターニングデバイスを通って又はパターニングデバイスから反射されて、基板上に画像を形成する。パターニングデバイスを浮遊粒子及び他の形態の汚染から保護するために、ペリクルとも称される薄膜アセンブリが提供され得る。パターニングデバイスの表面上の汚染は、基板に製造不良を引き起こすおそれがある。
【０００６】
[0006] ペリクルは、パターニングデバイス以外の光学コンポーネントを保護するためにも提供され得る。ペリクルは、リソグラフィ装置の相互に密封された領域の間にリソグラフィ放射用の通路を提供するためにも用いられ得る。ペリクルは、スペクトル純度フィルタのようなフィルタとして、又はリソグラフィ装置の動的ガスロックとしても用いられ得る。
【０００７】
[0007] マスクアセンブリは、パターニングデバイス（例えばマスク）を粒子汚染から保護するペリクルを含んでいてもよい。ペリクルは、ペリクルフレームによって支持されて、ペリクルアセンブリを形成してもよい。ペリクルは、例えばペリクルの縁領域をフレームに接着すること又は別の手法で取り付けることによって、フレームに取り付けられてもよい。フレームは、永久的に又は着脱可能に、パターニングデバイスに取り付けられ得る。
【０００８】
[0008] 薄膜アセンブリは、縁と、その縁に張り渡された薄膜とを備えていてもよい。薄膜アセンブリが処理中に変形されることなしに薄膜アセンブリを製造することは、例えば薄膜の薄さにより、困難である。特に、薄膜アセンブリの薄膜が縁でのみ支持されていて、薄膜の下に格子又は基板など追加の機械的強度を提供する支持又は補強手段がないときには、薄膜アセンブリは、より容易に変形可能となるであろう。更に、リソグラフィパターニングデバイスに必要とされるような薄膜面積の大きいペリクルアセンブリは、応力下で非常に変形しやすい。薄膜アセンブリの変形は、性能の低下、薄膜の損傷、又は薄膜の破壊にさえつながり得るもので、望ましくない。
【０００９】
[0009] ＥＵＶ放射ビームの光路内にペリクルが存在することによって、ペリクルは高いＥＵＶ透過率を有する必要がある。高いＥＵＶ透過率は入射放射の大部分がペリクルを通過することを可能にし、ペリクルによって吸収されるＥＵＶ放射の量を低減させることはペリクルの動作温度を低下させ得る。透過率は少なくとも部分的にペリクルの厚さに依存するので、リソグラフィ装置内の時に過酷な環境に耐えるのに十分な強度を確実に保ちつつ可能な限り薄いペリクルを提供するのが望ましい。また、予測可能で安定した物理的特性を有する薄膜アセンブリを提供する方法を提供することも望ましい。ある方法が様々な物理的特性を有するペリクルを提供するとすれば、それは、１つのペリクルはリソグラフィ装置における使用に耐えるが別の１つのペリクルはより短い期間のうちに使用に耐えなくなる場合であろう。こうした、ペリクルがどの程度使用に耐え得るかの予測不可能性は、ペリクルの予想耐用期間に対する非常に保守的なアプローチを必要とする。その結果、ペリクルは、必要であろうよりも頻繁に交換されることになり得る。
【００１０】
[00010] したがって、高いＥＵＶ透過率を有するペリクルをもたらし且つ安定した物理的特性を備えるペリクルを確実に生産することのできるペリクルの生産方法、並びにそのような方法によって生産されたペリクルを提供することが望ましい。また、装置のダウンタイムを低減するために、ペリクルの寿命を長くすることも望ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

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