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公開番号2024055823
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-18
出願番号2023173126
出願日2023-10-04
発明の名称塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
出願人住友化学株式会社
代理人弁理士法人新樹グローバル・アイピー
主分類G03F 7/004 20060101AFI20240411BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができる塩、レジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。
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[式中、XはS又はI;m10は0又は1;Ar¹-Ar³は其々芳香族炭化水素基;R¹-R³は其々*-O-R¹⁰、*-O-CO-R¹⁰等;R¹⁰は置換脂環式炭化水素基であり、該置換基の1以上は、-OR¹¹又は-I基。等々]
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
式（Ｉ）で表される塩を含有する酸発生剤。
TIFF
2024055823000224.tif
59
158
［式（Ｉ）中、
Ｘは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
ｍ１０は、０又は１を表し、Ｘが硫黄原子の場合、ｍ１０は１であり、Ｘがヨウ素原子の場合、ｍ１０は０である。
Ａｒ
１
、Ａｒ
２
及びＡｒ
３
は、それぞれ独立に、炭素数１０～１４の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ
１
、Ｒ
２
及びＲ
３
は、それぞれ独立に、＊－Ｏ－Ｒ
１０
、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｒ
１０
、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－Ｒ
１０
又は＊－Ｏ－Ｌ
１０
－ＣＯ－Ｏ－Ｒ
１０
を表し、＊は、それぞれＡｒ
１
、Ａｒ
２
及びＡｒ
３
との結合部位を表す。
Ｌ
１０
は、炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ
１０
は、１以上の置換基を有する炭素数３～３６の脂環式炭化水素基を表し、該置換基の少なくとも１つは、－ＯＲ
１１
又は－Ｉ基である。
Ｒ
１１
は、水素原子又は酸不安定基を表す。
Ｒ
４
、Ｒ
５
及びＲ
６
は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１～１２のハロアルキル基又は炭素数１～３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該ハロアルキル基及び該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－又は－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。
Ｒ
７
、Ｒ
８
及びＲ
９
は、それぞれ独立に、単結合、ハロゲン原子、炭素数１～１２のハロアルキル基又は炭素数１～３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該ハロアルキル基及び該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－又は－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。Ｘが硫黄原子の場合、Ｒ
７
とＲ
８
又はＲ
８
とＲ
９
が結合して、Ｓ
＋
を含む環を形成してもよく、該環に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－又は－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。該環を形成するＲ
７
とＲ
８
又はＲ
８
とＲ
９
は、Ｓ
続きを表示（約 2,900 文字）【請求項２】
Ａ
１
が、＊－Ｘ
０１
－Ｌ
０１
－又は＊－Ｌ
０１
－Ｘ
０１
－であり、
Ａ
２
が、＊－Ｘ
０２
－Ｌ
０２
－又は＊－Ｌ
０２
－Ｘ
０２
－であり、
Ａ
３
が、＊－Ｘ
０３
－Ｌ
０３
－又は＊－Ｌ
０３
－Ｘ
０３
－であり、
Ｘ
０１
、Ｘ
０２
及びＸ
０３
は、それぞれ独立に、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－又は－ＳＯ
２
－を表し、
Ｌ
０１
、Ｌ
０２
及びＬ
０３
は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１～１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－又は－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよく、
＊は、Ｘ
＋
と結合するベンゼン環との結合部位を表す請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項３】
Ｘ
０１
、Ｘ
０２
及びＸ
０３
が、それぞれ独立に、－Ｏ－又は－Ｓ－である請求項２に記載の酸発生剤。
【請求項４】
Ｌ
０１
、Ｌ
０２
及びＬ
０３
が、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１～６のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－で置き換わっていてもよい。）である請求項２に記載の酸発生剤。
【請求項５】
Ｒ
１０
が、－ＯＲ
１１
基を有する脂環式炭化水素基であり、
Ｒ
１１
が、水素原子又は酸不安定基であり、
Ｒ
１１
の酸不安定基が、式（１ａ）で表される基又は式（２ａ）で表される基である請求項１に記載の酸発生剤。
TIFF
2024055823000225.tif
22
67
［式（１ａ）中、Ｒ
aa1
、Ｒ
aa2
及びＲ
aa3
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数２～８のアルケニル基、炭素数３～２０の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、又はＲ
aa1
及びＲ
aa2
は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３～２０の脂環式炭化水素基を形成する。
ｎａａは、０又は１を表す。
＊は結合部位を表す。］
TIFF
2024055823000226.tif
23
58
［式（２ａ）中、Ｒ
aa1’
及びＲ
aa2’
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、Ｒ
aa3’
は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、又はＲ
aa2’
及びＲ
aa3’
は互いに結合してそれらが結合する－Ｃ－Ｘ
ａ
－とともに炭素数３～２０の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該複素環基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き換わってもよい。
Ｘ
a
は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
＊は結合部位を表す。］
【請求項６】
Ｒ
１０
に含まれる脂環式炭化水素基が、シクロヘキシル基、ノルボルニル基又はアダマンチル基である請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項７】
Ａｒ
１
、Ａｒ
２
及びＡｒ
３
が、ナフタレンである請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項８】
ＡＩ
－
が、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン又はスルホニルメチドアニオンである請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項９】
ＡＩ
－
はスルホン酸アニオンであり、スルホン酸アニオンは式（Ｉ－Ａ）で表されるアニオン又は式（Ｉ－Ｂ）で表されるアニオンである請求項８に記載の酸発生剤。
TIFF
2024055823000227.tif
29
65
［式（Ｉ－Ａ）中、
Ｑ
１
及びＱ
２
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１～６のペルフルオロアルキル基又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｌ
１
は、炭素数１～２４の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙ
１
は、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～２４の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。］
TIFF
2024055823000228.tif
30
81
［式（Ｉ－Ｂ）中、
ｍ２１は、１～５のいずれかの整数を表し、ｍ２１が２以上のとき、複数の括弧内の基は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｒ
21
は、炭素数３～１８の環状炭化水素基を含む炭素数３～４８の炭化水素基を表し、該環状炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
2２
は、ハロゲン原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｍ２２は、０～４のいずれかの整数を表し、ｍ２２が２以上のとき、複数のＲ
2２
は互いに同一であっても異なってもよい。］
【請求項１０】
請求項１～９のいずれかに記載の酸発生剤を含有するレジスト組成物。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示（約 3,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、下記式で表される塩、及び該塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物がそれぞれ記載されている。
TIFF
2024055823000001.tif
26
116
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１７５７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記の塩を含有するレジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好なレジストパターンを形成する塩を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される塩を含有する酸発生剤。
TIFF
2024055823000002.tif
59
158
［式（Ｉ）中、
Ｘは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
ｍ１０は、０又は１を表し、Ｘが硫黄原子の場合、ｍ１０は１であり、Ｘがヨウ素原子の場合、ｍ１０は０である。
Ａｒ
１
、Ａｒ
２
及びＡｒ
３
は、それぞれ独立に、炭素数１０～１４の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ
１
、Ｒ
２
及びＲ
３
は、それぞれ独立に、＊－Ｏ－Ｒ
１０
、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｒ
１０
、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－Ｒ
１０
又は＊－Ｏ－Ｌ
１０
－ＣＯ－Ｏ－Ｒ
１０
を表し、＊は、それぞれＡｒ
１
、Ａｒ
２
及びＡｒ
３
との結合部位を表す。
Ｌ
１０
は、炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ
１０
は、１以上の置換基を有する炭素数３～３６の脂環式炭化水素基を表し、該置換基の少なくとも１つは、－ＯＲ
１１
又は－Ｉ基である。
Ｒ
１１
は、水素原子又は酸不安定基を表す。
Ｒ
４
、Ｒ
５
及びＲ
６
は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１～１２のハロアルキル基又は炭素数１～３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該ハロアルキル基及び該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－又は－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。
Ｒ
７
、Ｒ
８
及びＲ
９
は、それぞれ独立に、単結合、ハロゲン原子、炭素数１～１２のハロアルキル基又は炭素数１～３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該ハロアルキル基及び該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－又は－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。Ｘが硫黄原子の場合、Ｒ
７
とＲ
８
又はＲ
８
とＲ
９
が結合して、Ｓ
＋
を含む環を形成してもよく、該環に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－又は－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。該環を形成するＲ
７
とＲ
８
又はＲ
８
とＲ
【発明の効果】
【０００６】
本発明の塩を含有するレジスト組成物を用いることにより、良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）でレジストパターンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「アクリル系モノマー及びメタクリル系モノマーの少なくとも１種」を意味する。「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」等の表記も同様の意味を表す。本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。炭化水素基等に含まれる－ＣＨ
2
－が－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
２
－で置き換わる場合、各基において同様の例を適用するものとする。「組み合わせた基」とは、例示した基を２種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性Ｃ＝Ｃ結合が重合により－Ｃ－Ｃ－基（単結合）となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。各基は、置換基の数等によって、その基に含まれる任意の位置及び数の水素原子が結合手に置き換わることがある。置換基における炭素数は、被置換基の炭素数には含めない。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。
【０００８】
〔式（Ｉ）で表される塩〕
本発明は、式（Ｉ）で表される塩（以下「塩（Ｉ）」という場合がある）に関する。
塩（Ｉ）のうち、正電荷を有する側を「カチオン（Ｉ）」、負電荷を有する側を「アニオン（Ｉ）」と称することがある。
【０００９】
〔カチオン（Ｉ）〕
式（Ｉ）で表される塩のカチオン（Ｉ）は、式（Ｉ－Ｃ）で表されるカチオンである。
TIFF
2024055823000008.tif
59
170
［式（Ｉ－Ｃ）中、全ての符号は、式（Ｉ）と同じ意味を表す。］
【００１０】
Ａｒ
１
、Ａｒ
２
及びＡｒ
３
の芳香族炭化水素基は、それぞれ独立に、ナフタレン、アントラセン又はフェナントレンであることが好ましく、ナフタレン又はアントラセンであることがより好ましい。
Ｒ
１
、Ｒ
２
及びＲ
３
に含まれるＬ
１０
におけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基、ヘキサン－１，６－ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；及び
エタン－１，１－ジイル基、プロパン－１，１－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、プロパン－２，２－ジイル基、ペンタン－２，４－ジイル基、２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペンタン－１，４－ジイル基、２－メチルブタン－１，４－ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
Ｌ
１０
は、炭素数１～３のアルカンジイル基であることが好ましく、メチレン基であることがより好ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

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