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公開番号2024055118
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-18
出願番号2022161773
出願日2022-10-06
発明の名称セラミック電子部品およびその製造方法
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20240411BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】内部電極層と外部電極との接合性を向上させることができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、金属を主成分とする複数の内部電極層とが交互に積層され、前記複数の内部電極層が複数の部位に交互に露出するように形成された積層チップと、前記複数の部位のそれぞれに設けられた外部電極と、を備え、同じ外部電極に接続される内部電極層が、異なる外部電極に接続される内部電極層を介さずに対向するエンドマージンにおいて、内部電極層の間を埋めるように誘電体パターンが形成され、前記複数の内部電極層には、前記複数の内部電極層の主成分金属とは異なる添加金属元素が1種類以上含まれており、前記添加金属元素の濃度は、前記誘電体パターンよりも前記誘電体層において高いことを特徴とする。
【選択図】図6

特許請求の範囲【請求項１】
セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、金属を主成分とする複数の内部電極層とが交互に積層され、前記複数の内部電極層が複数の部位に交互に露出するように形成された積層チップと、
前記複数の部位のそれぞれに設けられた外部電極と、を備え、
同じ外部電極に接続される内部電極層が、異なる外部電極に接続される内部電極層を介さずに対向するエンドマージンにおいて、内部電極層の間を埋めるように誘電体パターンが形成され、
前記複数の内部電極層には、前記複数の内部電極層の主成分金属とは異なる添加金属元素が１種類以上含まれており、
前記添加金属元素の濃度は、前記誘電体パターンよりも前記誘電体層において高いことを特徴とするセラミック電子部品。
続きを表示（約 890 文字）【請求項２】
異なる外部電極に接続される内部電極層が対向する容量部における内部電極層の前記添加金属元素の濃度は、前記エンドマージンにおける内部電極層の前記添加金属元素の濃度の１．１倍を上回ることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記添加金属元素は、Ａｓ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎのいずれか１種以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記内部電極層は、前記誘電体層との界面に、前記添加金属元素の偏析層を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記複数の内部電極層の主成分は、ＮｉまたはＣｕであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック子部品。
【請求項６】
前記複数の内部電極層は、主成分金属に対して、０．０１ａｔ％以上５ａｔ％以下の前記添加金属元素を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
前記外部電極は、Ｎｉを主成分とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項８】
前記複数の誘電体層は、０．０１ａｔ％以上１ａｔ％以下の前記添加金属元素を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記誘電体層に含まれる前記添加金属元素と、前記誘電体パターンに含まれる前記添加金属元素とは、異なることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】
前記誘電体層に含まれる前記添加金属元素と、前記誘電体パターンに含まれる前記添加金属元素との間の電気陰性度の差は、±０．４以内であることを特徴とする請求項９に記載のセラミック電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品およびその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
携帯電話を代表とする高周波通信用システムにおいて、更なる機能性付与のために小型大容量の積層セラミックコンデンサが求められている。小型・大容量化のためには誘電体層および内部電極層を薄層化し、積層数を増すことが有効である。しかしながら、誘電体を薄層化すると、コンデンサ使用時の電界強度が低下し、絶縁信頼性の面で不利となってしまう。そこで、薄い誘電体層での絶縁信頼性を担保するための方策として、誘電体層や内部電極層中に添加金属元素を添加し、内部電極層と誘電体層との間に添加金属元素の薄層を形成させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００３－７５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
内部電極層に添加金属元素を添加することで、内部電極層と誘電体層との間に電気的障壁が形成され、絶縁信頼性が確保される。しかしながら、内部電極層の引き出し部に添加金属元素が存在すると、内部電極層と外部電極との間の接合性が悪化し、十分な電気特性が得られないおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、内部電極層と外部電極との接合性を向上させることができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るセラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、金属を主成分とする複数の内部電極層とが交互に積層され、前記複数の内部電極層が複数の部位に交互に露出するように形成された積層チップと、前記複数の部位のそれぞれに設けられた外部電極と、を備え、同じ外部電極に接続される内部電極層が、異なる外部電極に接続される内部電極層を介さずに対向するエンドマージンにおいて、内部電極層の間を埋めるように誘電体パターンが形成され、前記複数の内部電極層には、前記複数の内部電極層の主成分金属とは異なる添加金属元素が１種類以上含まれており、前記添加金属元素の濃度は、前記誘電体パターンよりも前記誘電体層において高いことを特徴とする。
【０００７】
上記セラミック電子部品において、異なる外部電極に接続される内部電極層が対向する容量部における内部電極層の前記添加金属元素の濃度は、前記エンドマージンにおける内部電極層の前記添加金属元素の濃度の１．１倍を上回っていてもよい。
【０００８】
上記セラミック電子部品において、前記添加金属元素は、Ａｓ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎのいずれか１種以上であってもよい。
【０００９】
上記セラミック電子部品において、前記内部電極層は、前記誘電体層との界面に、前記添加金属元素の偏析層を備えていてもよい。
【００１０】
上記セラミック電子部品において、前記複数の内部電極層の主成分は、ＮｉまたはＣｕであってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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